【課題】多数の半導体ウエハを水平に保持して使用する高温熱処理用ボートを使用しても半導体ウエハへのスリップ欠陥の発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】一体に固着された複数の高耐熱性支柱１がそれぞれ所定の間隔に刻まれた支持溝２を備え、該支持溝２は、前記複数の高耐熱性支柱１を直立させた状態で複数枚の半導体ウエハ３ａ、３ｂを水平に前記所定の間隔で保持する相互配列を備える高温熱処理用ボート１０を使用して、該ボート１０に保持される複数枚の半導体ウエハ群領域６、７の直上、直下に少なくともダミーウエハ３ｂ（１）を１枚配設し、該ダミーウエハ３ｂ（１）の直上、直下には少なくとも１枚分の空間を空けて、さらに延長部にダミーウエハ３ｂを複数枚配設して高温熱処理炉に炉入れする高温熱処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態に係る酸化膜の形成方法は、半導体基板の表面に、高品質であるとともに均一な膜質と膜厚を有する酸化膜を形成することを目的とする。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る酸化膜の形成方法は、準備工程と膜形成工程とを有している。前記準備工程において、半導体基板を準備する。そして、前記膜形成工程において、前記半導体基板の表面に、キャリアガスを用いて酸化性物質を含む蒸気を接触させることにより、酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】１回のゲート絶縁膜形成工程で複数の厚みのゲート絶縁膜を同一の半導体基板上に形成することができるとともに、ゲート絶縁膜に酸化促進物質による欠陥が発生するのを抑制することができる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板の所定領域に拡散性を有する酸化促進物質を注入する酸化促進物質注入工程と、上記半導体基板に熱処理を行うことで当該半導体基板に上記酸化促進物質の注入量に応じた複数の厚みの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記所定領域に注入された酸化促進物質を拡散させることで上記酸化膜中に存在する上記酸化促進物質の濃度を低下させる酸化促進物質拡散工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてシリコン含有物質を選択的に酸化する方法を提供する。
【解決手段】一態様において、急速熱処理装置を用いて水素を多く含む雰囲気中で高圧において、インサイチュで水蒸気を生成させて基板を選択的に酸化することができ、基板における金属やバリヤ層のような他の物質を酸化しない。金属又は他層を酸化させずにポリシリコン層とゲート酸化物層のみを選択的に酸化する。最良の選択的酸化条件は、圧力が約１５０トール〜約８００トール、特に約２５０トール〜６００トール、例えば、４５０トールで、温度が約７００℃を超え、特に約８００℃〜約１０００℃、例えば、９５０℃で達成される。 （もっと読む）

【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）

【課題】Ｃdsubの低減を通じて、出力容量Ｃossの低減に寄与する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第１導電型の半導体層とを有するＳＯＩ基板と、第１導電型の半導体層からなる活性領域内に、第２導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、ウェル内および第１導電型の活性領域内に、第１導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型ＭＯＳＦＥＴにおいて、活性領域のうち、ドレイン領域にコンタクトするように形成されるドレインパッド形成領域９ｐ下の少なくとも一部は、ＳＯＩ基板の絶縁膜に到達するように形成された絶縁性領域１１で構成される。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成する工程（ステップＳ４）と、第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）と、ＳｉＣ半導体において第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、ＳｉＣ半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）とを備える。第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ４）と、第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）との間において、ＳｉＣ半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置される。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に確実に絶縁膜を残すことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ内にゲート電極を形成した後、一部にリフロー性の絶縁膜を含む絶縁膜を形成して平坦化する。その後、ＣＭＰ法により平坦化した表面を研磨し、トレンチ内に絶縁膜を充填する。その際、フィールド酸化膜の表面も研磨する。 （もっと読む）

半導体基板を選択的に１ステップで窒化するための方法および装置が提供される。窒素は、選択的窒化プロセスを利用することにより、シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する半導体基板のシリコン領域中に選択的に組み込まれる。窒素含有プラズマを形成し、このプラズマからイオンをフィルタリングまたは除去することにより、基板に窒素含有ラジカルが向けられてもよく、または、選択前駆体を使用する熱窒化プロセスを実施してもよい。遠隔プラズマジェネレータが、１つまたは複数のイオンフィルタ、シャワーヘッド、およびラジカル分配器を任意に備える処理チャンバに結合されてもよく、または、ｉｎ ｓｉｔｕプラズマが生成され、１つまたは複数のイオンフィルタもしくはイオンシールドが、チャンバ内においてプラズマ発生ゾーンと基板支持体との間に配設されてもよい。
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【課題】ＳｉＣを用いた、低オン抵抗、かつ信頼性にも優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。炭化珪素層の（０００−１）面または（１１−２０）面上に酸化物膜または酸窒化物膜を形成する工程と、酸化物膜または酸窒化物膜の形成後に、アンモニアガスを含む雰囲気中で熱処理しゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る誘電体膜の製造方法は、基板上に、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））≦０．１であり、非晶質構造を有する金属酸化物を形成する工程と、該非晶質構造を有する金属酸化物に１０００℃以上のアニール処理を施し、結晶相を含む金属酸化物を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩを利用して形成した素子分離膜がウエットエッチング工程により目減りすることを出来るだけ抑制しながら半導体装置を製造する。
【解決手段】 犠牲酸化膜の形成とウエットエッチングによる剥離、及び／又は、二酸化珪素膜の形成とウエットエッチングによる剥離を行う半導体装置の製造プロセスにおいて、犠牲酸化膜及び／又は二酸化珪素膜の形成を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（^１Ｄ_２）ラジカルが支配的なプラズマにより行う。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄いシリコン酸化膜を形成したＳｉ基板上に、ＨｆＮ／Ｈｆ積層膜を形成し、アニール処理によりＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの混合物からなる金属酸窒化物とする誘電体膜の製造する。（１）ＥＯＴの低減が可能であり、（２）リーク電流がＪｇ＝１．０Ｅ−１Ａ／ｃｍ^２以下に低減され、（３）固定電荷の発生によるヒステリシスが抑制され、（４）７００℃以上の熱処理を行ってもＥＯＴの増加が無く耐熱性に優れる。 （もっと読む）

【課題】アニール時の酸化剤の拡散によるゲート電極の酸化を抑制する。
【解決手段】半導体基板の活性領域にゲートトレンチを形成する工程と、前記半導体基板の活性領域上及びゲートトレンチ内にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の前記ゲートトレンチの開口縁近傍における窒素濃度が、前記ゲートトレンチの底部近傍における窒素濃度よりも高濃度となるように、プラズマ窒化処理によって前記ゲート絶縁膜に窒素を導入する窒化工程と、前記ゲートトレンチを埋めて前記ゲート絶縁膜を覆うようにゲート電極層を積層してから、前記ゲート電極層をエッチングによりパターニングしてゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極層のエッチングによって露出した前記活性領域をアニールするアニール工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成にともなう基板へのダメージに起因した性能劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法および酸化処理装置を提供する。
【解決手段】一の面を有する基板６ａが準備される。一の面の上において酸化処理が行なわれる。酸化処理が行なわれる際、導入されたＯ３ガスの低温熱分解によってＯ（³Ｐ）ラジカルが発生させられ、該Ｏ（³Ｐ）ラジカルに光源４ａが発する赤橙色光を照射し励起することによってＯ（¹Ｄ）ラジカルが発生させられる。このＯ（¹Ｄ）ラジカルによって基板６ａの一の面の上に低温でダメージなく酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの反りを低減し、この反りを原因とする保護膜の成膜異常や開口サイズのバラツキを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１の反りを低減させる応力を有する応力膜２をウエハ１の両面に形成する応力膜形成工程と、ウエハ１の裏面に形成された応力膜２の上に裏面保護レジスト３を塗布する裏面保護レジスト塗布工程と、裏面保護レジスト３をエッチングマスクとしてエッチングし、ウエハ１の表面に形成された応力膜２を除去する表面応力膜除去工程と、ウエハ１の裏面に塗布した裏面保護レジスト３を除去する裏面保護レジスト除去工程とをウエハ１に配線を形成する前に行う。 （もっと読む）

【課題】素子特性を劣化させることなく、しきい値電圧の低い、金属のゲート電極を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を製造することを可能にする。
【解決手段】半導体領域２上にゲート絶縁膜５を形成するステップと、第１金属元素と、ＯＨ基、ＮＯ_ｘ（ｘ＝１，２）基のうち少なくとも一つを含有する酸素含有金属層６をゲート絶縁膜上に形成するステップと、酸素含有金属層上に第２金属元素を含むゲート電極膜７を形成するステップと、ゲート電極膜を形成した後、酸素含有金属層の熱分解反応或いは脱水反応が生じる温度以上に加熱するステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内を真空引きする技術を提供する。
【解決手段】 真空引き装置１０は、チャンバ３０と、チャンバ３０内を脱気する真空ポンプ６０と、チャンバ３０内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置５０を備えている。チャンバ３０は、半導体ウエハ２０を収容する収容部４０を備えている。また、チャンバ３０は、マイクロ波を透過するとともに、気密性、及び耐圧性に優れた素材で形成されている。この真空引き装置１０では、収容部４０を真空引きする際に、真空ポンプ６０を用いて収容部４０内を脱気するとともに、収容部４０にマイクロ波を照射する。これによって、収容部４０内の水分子が水蒸気化し、収容部４０内に存在する水蒸気が真空ポンプ６０によって脱気される。収容部４０にマイクロ波を照射することで、半導体ウエハ２０に無用な熱履歴を与えることなく、チャンバ３０内を短時間で高真空化することができる。 （もっと読む）