【課題】一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたＤＩＰ型の半導体モジュールの信頼性を高くする。
【解決手段】この曲げ加工により、ダイパッド１０１、１０２と、連結リード１３０のダイパッド１０１、１０２に挟まれた部分とは、図２（ａ）の状態から平行に下側に移動する。これにより、ダイパッド１０１、１０２、連結リード１３０は、外枠部１９０から吊り下げられた形態となる。この曲げ加工の際には、連結部１４０、１５０、連結リード１３０には歪みが生じ、特にこれらは長手方向において長くなるように変形する。連結部１４０においては環状部１４１、連結部１５０においては環状部１５１、連結リード１３０においては環状部１３１、１３２において、特にこの変形が行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ３が搭載された上面２ａ、封止体６から露出する下面、上面２ａと下面との間に位置する複数の側面２ｃ、を備えたタブ（チップ搭載部）２を有している。また、タブ２の複数の側面２ｃは、タブ２の下面に連なる部分２ｃ１と、部分２ｃ１よりも外側に位置し、タブ２の上面２ａに連なる部分２ｃ２と、部分２ｃ２よりも外側に位置し、タブ２の上面２ａに連なり、部分２ｃ１、２ｃ２と同一方向を向いた部分２ｃ３とを有している。そして、平面視において、半導体チップ３の外縁は、タブ２の部分２ｃ３と部分２ｃ２との間に位置し、かつ、半導体チップ３とタブ２を接着固定する接着材の外縁は、半導体チップ３と部分２ｃ２との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのダイパッド間における樹脂未充填領域やボイドの発生などの成形不良を抑制し、樹脂成形性を向上させたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤチップを実装したリードフレーム１０を切断することにより形成され、少なくとも一つのＬＥＤチップを有するＬＥＤパッケージであって、リードフレーム１０を構成するベース側リード１０ａ及び端子側リード１０ｂの間に設けられたクリアランス部１４と、ＬＥＤチップを取り囲むようにリードフレーム１０の上、及び、クリアランス部１４の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂２０とを有し、クリアランス部１４は、パッケージの側面に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのサイズを大きくしつつ、半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置は、切り欠き部３ａを有し且つ表面の上に第１のめっき層２ａが形成されたダイパッド３と、ダイパッド３の切り欠き部３ａから離間して設けられ、表面の上に第１のめっき層２ｂが形成された第１のボンディング部４と、第２のボンディング部５と、第１のボンディング部４から延びる第１のリード７と、半導体チップ９と、第１の接続部材１０と、第１の接続部材１０と異なる材料からなる第２の接続部材１１と、樹脂封止１２とを備えている。第１のボンディング部４は、ダイパッド３の切り欠き部３ａを含む領域よりも外側の領域に配置されている。半導体チップ９は、ダイパッド３の切り欠き部３ａからはみ出すように搭載されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５と複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。各リード部１６は封止樹脂部２３の裏面に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６はダイパッド１５の周囲において平面から見て１つの円周Ｃ_１上に配置されている。ダイパッド１５およびリード部１６は、それぞれ封止樹脂部２３から裏面側に向けて突出している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド３と、ダイパッド３と複数のリード４との間にダイパッド３を囲むように配置された枠状の熱拡散板６と、ダイパッド３と熱拡散板６の内縁とを繋ぐ複数のメンバ９と、熱拡散板６の外延に連結された吊りリード１０とを有し、ダイパッド３よりも大きな外形の半導体チップ２がダイパッド３および複数のメンバ９上に搭載されている。ダイパッド３の上面と、複数のメンバ９のうちの半導体チップ２の裏面に対向している部分の上面とは、全面が半導体チップ２の裏面に銀ペーストで接着されている。半導体チップ２の熱は、半導体チップ２の裏面から、銀ペースト、ダイパッド３およびメンバ９を経由して熱拡散板６に伝導し、そこからリード４を経由して半導体装置の外部に放散される。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドを樹脂で封止する際における樹脂の染み出しを抑制する。
【解決手段】ダイパッド２は、半導体チップ７を載せる側の平面である第１面２ａと、第２面２ｂと、羽根部５とを有し、ダイパッド２のうち羽根部５と第２面２ｂとの境界部分には、ダイパッド２の内部に向かって深くなる溝６が形成される。このとき、ダイパッド２の第２面２ｂの端部の角αは鋭角であり、また、溝６を構成する壁面６ａと壁面６ｂとのなす角βは、鋭角であり、且つ、角αより大きい。 （もっと読む）

【課題】板状のダイパッドの配置面に固定された半導体素子と、ダイパッドの配置面に間隔をあけて配されたリードとを板状の接続子により接続した半導体装置の内部接続構造に対して、封止樹脂を成形する際に、封止樹脂に対するダイパッドの位置精度を高めて、歩留まり向上を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイパッド２１の配置面２２に沿う一方向の一端２４側に、間隔をあけて配されたリード３１及び一端に一体に形成された支持用リード４１を並べて配置し、支持用リードの延出方向の先端部が配置面よりも上方に位置するように、支持用リードの基端部４２のうちダイパッドの一端に隣接する位置に屈曲部４４を形成し、接続子１３の一方端６１および他方端６２をそれぞれリード及び半導体素子１１に接合し、接続子に接合されたリードの接合部３６を、ダイパッドと屈曲部との境界Ｌ１よりもダイパッドの一端から一方向に離れて位置させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において搭載可能チップサイズの拡大化を図る。
【解決手段】半導体チップ２が搭載されたタブ１ｂと、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された封止部３と、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する被実装面１ｄとその反対側に配置された封止部形成面１ｇとを有した複数のリード１ａと、半導体チップ２のパッド２ａとリード１ａとを接続するワイヤ４とからなり、複数のリード１ａのうち、対向して配置されたリード１ａ同士における封止部形成面１ｇの内側端部１ｈ間の長さ（Ｍ）が被実装面１ｄの内側端部１ｈ間の長さ（Ｌ）より長くなるように形成され、これにより、各リード１ａの封止部形成面１ｇの内側端部１ｈによって囲まれて形成されるチップ搭載領域を拡大することができ、搭載可能チップサイズの拡大化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の製造歩留まりを向上させ、多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２を封止する樹脂封止体３を成形した後、樹脂封止体３の外縁に沿ったライン（モールドライン）よりも内側（樹脂封止体３の中心側）に位置するカットラインＣに沿って樹脂封止体３の周辺部およびリードフレームＬＦ_１を共に切断することにより、樹脂封止体３の側面（切断面）に露出するリード５の全周（上面、下面および両側面）が樹脂によって覆われた状態になるので、リード５の切断面に金属バリが発生しない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップや封止樹脂との剥離を防止する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】ダイパッド３の下面３ｂ側に、その周縁をダイパッドの厚さ方向から押圧することで下面から窪むと共にダイパッドの側面３ｄに開口する周縁段差部１８と、その形成時における押圧に伴って側面から側方に突出する下側突起部１９とが形成され、ダイパッドの上面３ａ側に、その周縁を前記厚さ方向から押圧することで上面から窪むと共に側面に開口しない有底の周縁穴部１３と、その形成時における押圧に伴って側面から側方に突出する上側突起部１７とが形成され、上側突起部が、上面の周縁に沿って互いに間隔をあけるように複数配列されると共に、下側突起部に対して厚さ方向に間隔をあけて配された半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集積回路パッケージ内で小型化された電流センサを有する集積回路の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の集積回路は、複数のリード線を有するリードフレームであって、前記複数のリード線のうちの少なくとも二つを備える電流導体部を有する、リードフレームと、第１の表面および反対の第２の表面を有する基板であって、前記第１の表面が前記電流導体部の近位にあり、前記第２の表面が前記電流導体部から遠位にあり、前記リード線の各一つがそれぞれの長さを有し、前記リード線の各一つが、前記リード線の前記長さ全体にわたって、前記基板の前記第２の表面よりも前記基板の前記第１の表面に近くなるように選択された方向に湾曲部を有する、基板と、前記基板および前記リードフレームの前記電流導体部の間に配設された絶縁層と、前記基板の前記第１の表面上に配設された一つまたは複数の磁場変換器とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの他面がモールド樹脂より直接露出しているハーフモールド構造のモールドパッケージを、熱伝導性部材を介して放熱部材に搭載する実装構造において、半導体チップと熱伝導性部材とが直接接触して熱的に接続される放熱経路を増加して、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ１０の両板面１１、１２の外周端部に位置する側面１３が、モールド樹脂２０より露出しており、熱伝導性部材３は、半導体チップ１０の他面１２から側面１３まで回り込むように配置されて、当該他面１２および当該側面１３に直接接触しており、熱伝導性部材３を介して、半導体チップ１０の他面１２および側面１３と放熱部材２とが、熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド３と、ダイパッド３と複数のリード４との間にダイパッド３を囲むように配置された枠状の熱拡散板６と、ダイパッド３と熱拡散板６の内縁とを繋ぐ複数のメンバ９と、熱拡散板６の外延に連結された吊りリード１０とを有し、ダイパッド３よりも大きな外形の半導体チップ２がダイパッド３および複数のメンバ９上に搭載されている。ダイパッド３の上面と、複数のメンバ９のうちの半導体チップ２の裏面に対向している部分の上面とは、全面が半導体チップ２の裏面に銀ペーストで接着されている。半導体チップ２の熱は、半導体チップ２の裏面から、銀ペースト、ダイパッド３およびメンバ９を経由して熱拡散板６に伝導し、そこからリード４を経由して半導体装置の外部に放散される。 （もっと読む）

【課題】リード端子部が外部接続に必要な長さ（面積）を有し、かつ、吊りリード部とリード端子部との絶縁信頼性が確保された半導体装置およびそれに用いるリードフレームを提供する。平面方向の大きさが小さく実装面積の小さな半導体装置、およびそれに用いるリードフレームを提供する。
【解決手段】このリードフレームは、半導体装置製造単位において、枠部と、枠部の中央部に配置された支持部４と、枠部の角部と支持部４とを接続する吊りリード部３と、枠部の辺部からのびるリード端子部５とを備えている。吊りリード部３に隣接するリード端子部５Ａは、吊りリード部３との干渉を避けるように吊りリード部３にほぼ沿う面取部を先端に有している。 （もっと読む）

【課題】プリモールドタイプのパッケージにあって内部に収納される半導体チップを有効に電磁シールドするとともに、底板部の貫通孔を正確に形成し、かつ、該貫通孔の部分でもシールド効果を有する半導体装置用パッケージ、その製造方法、そのパッケージを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】箱形のモールド樹脂体６と、その底板部５２内に少なくとも一部が埋設されたステージ部、複数の端子部及びステージ部に連結状態の導通フレーム部２６を有するリードフレーム５とが備えられ、底板部５２に貫通孔２８が形成され、ステージ部に、貫通孔２８の内周面を構成する筒状部４１と、該筒状部４１の周囲の下面を板厚の途中まで窪ませてなる凹状部とが形成されるとともに、該凹状部は、モールド樹脂体６内に埋設され、かつ筒状部４１の上端面及び下端面は、底板部５２の上面及び下面でモールド樹脂体６からそれぞれ露出している。 （もっと読む）

【課題】 集積化リードフレーム及びベゼル構成体が平坦状のキャリアフレームと、複数個のボンディングパッドと、ダイパッド領域と、ベゼル構成体とを包含している。
【解決手段】 該ベゼル構成体は、前記ベゼル構成体の一部が前記キャリアフレームの面の外へ折り曲げられることを容易化させるべく形状とされており且つ配設されている曲げ部分を包含している。センサＩＣを該ダイパッド領域へ固定させることが可能であり、且つワイヤボンドが該センサＩＣへの外部接続を可能とさせるために形成されている。該ベゼル構成体は、それらの上部範囲が検知表面内又はその上方にであるように折り曲げられる部分を包含している。その組立体をカプセル化し、その上部表面において、該ベゼル部分の一部及び該センサＩＣの該上部表面を露出させ、且つその底部表面上にはコンタクトパッドがある。該センサＩＣの各側部に１個又はそれ以上の２個又はそれ以上のベゼル部分を設けることが可能である。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの製造工程数を増加させることなく、放熱性を向上することができ、且つ封止樹脂との密着性をも十分に確保することができるリードフレーム及びその製造方法と半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイパッド２は、その端辺が、半導体装置の封止樹脂範囲内に位置するインナーリード４ａの先端形状をかたどった形状をなし、最外周が、半導体装置における封止樹脂の側面と同一面に位置した形状をなすように、形成される。 （もっと読む）

【課題】第１の半導体チップ上に第２の半導体チップが搭載される際に、第１の半導体チップがリードフレームと衝突することを防止する。
【解決手段】リードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドを支持する吊リードＳＬとを有する。接合部ＪＰはリードフレーム上に設けられている。第１の半導体チップＣ１は接合部ＪＰを介してリードフレーム上に設けられている。第２の半導体チップＣ２は第１の半導体チップＣ１上に設けられている。樹脂部材はダイパッドと第１および第２の半導体素子Ｃ１、Ｃ２とを覆っている。接合部ＪＰはダイパッドおよび吊リードＳＬの各々の上に位置している。 （もっと読む）

【課題】ゲート口の位置及びゲート口に対向するリードフレーム先端の形状を調節することで、樹脂パッケージのゲート口に対向する面に、樹脂の上面側及び下面側の流れがほぼ同時に到達し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０と、半導体チップが搭載されるチップ搭載部３１、該チップ搭載部の一端側に、切り欠き部を有したフィン部３２、及び他端側に配置され、樹脂パッケージの外部に突出するアウターリード３３ａを含む端子部３３から構成され、これらが一体的に構成されるリードフレーム３０と、これらを封止する樹脂が注入されるゲート口が、樹脂パッケージの前記端子部と対向する面に設けられている樹脂パッケージ４０とを備え、チップ搭載部とフィン部との間に設けた段差３４により、チップ搭載部の裏面を樹脂パッケージ表層に近接させており、切り欠き部を有したフィン部の先端３２ｂが反り上げられたことを特徴とする。 （もっと読む）