入力端子と出力端子との間に第１、第２、第３半導体スイッチを直列接続して挿入し、入力端子に接続された第１半導体スイッチ及び出力端子に接続された第３半導体スイッチのそれぞれに第１、第２電圧印加手段を並列接続し、それぞれの電圧印加手段を、利得が約＋１の状態に設定され、入力側が入力端子及び出力端子に接続された直流増幅器と、電圧印加手段用半導体スイッチとの直列接続回路で構成し、この電圧印加手段用半導体スイッチの一端を第１と第２半導体スイッチの接続点Ｊまたは第２と第３半導体スイッチの接続点Ｋに接続し、スイッチ制御手段が第１〜第３半導体スイッチと電圧印加手段用半導体スイッチを逆モードでをオン及びオフ状態に制御し、第１〜第３半導体スイッチがオフ状態に制御されたときに、第１及び第２電圧印加手段が入力端子及び出力端子の電位を接続点Ｊ及びＫに印加するように構成した半導体スイッチ回路。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の双極単投（ＤＰＳＴ）スイッチは、第１入力ポートに対応する第１回路部と、第２入力ポートに対応する第２回路部と、及び出力ポートを有するスイッチ回路とを具備する。ここで、第１及び第２の回路部の各々は、分離チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第１トランジスタと、送信チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第２トランジスタと、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを提供する少なくとも１個の第３トランジスタとを有する。 （もっと読む）

低速出力エッジを有するバッファ回路が記載されている。パルスのより高値の電流が、ワンショットタイミング回路から駆動されて、出力ＭＯＳＦＥＴのターンオンか又はターンオフの開始を加速させるために、電流パルスが前記バッファの該出力ＭＯＳＦＥＴの制御ゲート内へと注入される。前記開始とターンオン及びターンオフとに至る時には、より低値の電流源が、前記出力ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートを駆動するために継続する。一実施形態において、ワンショットは、入力信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとからトリガされる。前記より高値の電流パルスの効果は、バッファによる回路遅延を低減することである。更にまた、温度、供給電圧、及びプロセスの変動が起きる時に、実質的に一定となるようバッファ回路の遅延を維持するために、温度に応じるように、及び供給電圧に応じるように、パルス幅を設計することができる。

（もっと読む）

【課題】 クロストークノイズを安定して減少させることができ、クロストークノイズに起因する回路誤動作を確実に防止できるノイズ低減回路を提供する。
【解決手段】 電源側に並列に接続された第一及び第二のトランジスタと、前記第二のトランジスタの出力側に直列接続された抵抗手段とを設け、前記抵抗手段の出力側と前記第一のトランジスタの出力側とを出力ノードで接続し、前記出力ノードから出力される出力電圧の変化が段階的になるように前記第一及び第二のトランジスタのオン／オフ動作タイミングを制御する制御回路を備えた。 （もっと読む）