説明

Fターム[5J055CX26]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 用途(負荷、信号の種類) (3,195) | 負荷・用途 (2,057) | 信号用、通信用 (591) | 内部信号伝送用、バス駆動等 (43)

Fターム[5J055CX26]に分類される特許

1 - 20 / 43


【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるMOSトランジスタ型のスイッチ1が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線VccBとの間に、プルアップ抵抗2が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路3が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗2による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路4が、加速回路3の作動期間を制御する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Aの電位がグランド側からVDD側、あるいはVDD側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部1は外部出力信号EBの電位を変化させる。差動部2は、外部出力信号EBと、所定の基準信号VREFとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号EBが所定の基準信号VREFに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号EBの低電圧側出力電圧VOLのばらつきを抑制する。 (もっと読む)


【課題】クロスバー回路のコンフリクトを解決する。
【解決手段】クロスバー回路はデータ入力経路12およびデータ出力経路50のアレイを有し、各交差点にはルーティング値を記憶するようにプログラム可能な構成記憶回路と、伝送回路と、アービトレーション回路とを備えるクロスバーセル20が提供される。アービトレーション回路は、適応型優先順位スキームを適用するために、同じデータ出力経路と関連する他のクロスバーセルのアービトレーション回路と組み合わせて動作して、該複数のビット線上の電圧を選択的に修正するように動作可能である。同じデータ出力経路に複数の伝送要求がある場合、同じデータ出力経路と関連する唯一のクロスバーセルの構成記憶回路は、第1の値にプログラムされるルーティング値を有し、適応型優先順位スキームに従い複数の伝送要求間のコンフリクトを解決する。さらに、各クロスバーセルは優先順位記憶回路を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワーオンした瞬間に生じる雑音を除去することができる静音制御回路及び該静音制御回路を有する電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電子装置は、処理ユニット、静音制御回路、オーディオアンプ及びオーディオ出力インターフェースユニットを備え、前記オーディオアンプは、前記電子装置が生成するオーディオ信号を増幅し、且つ増幅されたオーディオ信号を前記オーディオ出力インターフェースユニットに出力し、前記処理ユニットは、静音制御信号を出力し、前記静音制御回路は、前記静音制御信号によって前記オーディオアンプを制御して静音状態と再生状態との間で切替させるメイン回路と、前記電子装置にパワーオンした瞬間、前記オーディオアンプの出力を接地により釈放させて、前記オーディオアンプと前記オーディオ出力インターフェースユニットとの間の通信を切る補助回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】通信速度の高速化に加えて、消費電力の低減や、あるいは伝送波形品質の向上が図れる出力ドライバ回路を提供する。
【解決手段】例えば、正極および負極出力ノード(TXP,TXN)を電圧で駆動する電圧信号生成回路ブロックVSG_BKと、データ入力信号DIN_P,DIN_Nの遷移を受けてパルス信号を生成するパルス信号生成回路PGEN1,PGEN2と、当該パルス信号のパルス幅の期間でTXP,TXNを電流で駆動する電流信号生成回路ブロックISG_BKp1,ISG_BKn1を備える。電流信号生成回路ブロックは、TXP,TXNの寄生容量(Cp1,Cp2)を高速に充電すると共に、パルス幅に応じたプリエンファシスを行う。VSG_BKは、TXP,TXNにおける定常状態の電圧レベルを定めると共に、TXP,TXNをインピーダンスZ0で終端する。 (もっと読む)


【課題】フリーホイールダイオードを用いることなく、より低い電圧のアンダーシュートでも低減できる送信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】PチャネルMOSFET22のドレインをグランドに接続して、NチャネルMOSFET21,PチャネルMOSFET22のソースをそれぞれ信号線3H,3Lに接続する。第1データ電圧設定部41は、信号出力部がハイレベル信号を出力すると、ゲート21G,22G間の電位差を(2・R1・Iref)にする電圧信号を設定し、第2データ電圧設定部42は、信号出力部がロウレベル信号を出力すると、ゲート21G,22G間の電位差をゼロにする電圧信号を設定する。これらの作用により、伝送線路3を構成する信号線3H,3L間の電圧を変化させて差動信号を伝送する。 (もっと読む)


【課題】プリエンファシス機能を有する出力回路において、デエンファシス時における差動出力信号のコモンモード電圧のプリエンファシス時のコモンモード電圧からの変動を抑制する。
【解決手段】入力信号とその相補信号とを差動入力して差動出力し、差動出力信号のうち高電位側の出力信号にデエンファシスをかける際に、当該デエンファシス電流を供給するトランジスタ(N3、N4)に流れる電流を絞る回路(N5、N6、R3)を備え、デエンファシス時の前記出力信号のハイレベルの前記出力信号のプリエンファシス時のハイレベルからの変化量を縮減させ、デエンファシス時の前記差動出力信号のコモンモード電圧をプリエンファシス時のコモンモード電圧に近づける。 (もっと読む)


【課題】終端抵抗のオンオフの切り替え時に外部端子にインピーダンスの急激な変化が生じることを低減する。
【解決手段】外部端子(図2のDQに相当)と、外部端子に接続され、出力信号を外部端子に出力可能とする出力回路(図2の21に相当)と、外部端子に終端抵抗をオンオフ可能に接続する終端回路(図2の22に相当)と、終端抵抗がオフ状態又はオン状態のいずれか一方の状態から他方の状態に変化するまでの時間を、データ出力時に出力信号が一方の論理レベルから他方の論理レベルへ変化するまでの時間以上となるように制御する第1のスルーレート制御回路(図2の23aに相当)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電源投入手順によらずに安定した動作を行う入出力回路の制御を、回路規模の増大を抑え、チューニングが不要なデジタル回路のみで実現する集積回路を提供する。
【解決手段】信号発生器113で生成した信号を、レベルシフト回路111で電源電圧Vcc2の信号振幅へ変換する。次にVcc2の信号振幅に変換したものを、もう一度レベルシフト回路112で内部電源電圧Vcc1の信号振幅へ変換して、フィードバック信号を生成する。比較器114で信号発生器113が生成したオリジナルの信号と、2つのレベルシフトを経て生成された、フィードバック信号とを論理的に比較し、一致しない場合にはVcc2の電源が遮断されていると見なして、入出力回路115での不定伝播を防止するように制御を行う。 (もっと読む)


【課題】ハイ・インピーダンスにする際に発生する電源ノイズを低減させる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】出力バッファ回路10は、データ信号DA及び制御信号DCに基づいて、PMOSトランジスタT1をオンからオフさせNMOSトランジスタT2をオフからオンさせて出力端子Poを第1状態に、PMOSトランジスタT1をオフからオンさせNMOSトランジスタT2をオンからオフさせて出力端子Poを第2状態に、又、両トランジスタT1,T2をオフさせて出力端子Poをハイ・インピーダンスとなる。そして、オフ時間制御回路部13によって、第1状態又は第2状態からハイ・インピーダンスにする制御信号が入力された時、オンからオフさせるためにPMOSトランジスタT1又はNMOSトランジスタT2のゲートに供給される信号の立ち上がり波形又は立ち下がり波形を緩やかにする (もっと読む)


【課題】電磁波による誤動作を低減することのできる入力回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】入力端子2に供給される入力信号を受け取る入力回路10aであって、一端が前記入力端子に接続された容量42と、前記入力信号を、当該入力信号と同じ正論理の信号に変換し、前記容量の他端に供給して駆動する容量駆動回路51,52,41と、を有するように構成する。 (もっと読む)


【課題】出力信号の立ち下がりのスロープ特性をその場で可変できる機能を有するドライバ回路を提供する。
【解決手段】入力信号TXDを受け、駆動出力ノードN1、N2から駆動信号V1、V2を出力する駆動制御回路11、12と、駆動信号V1、V2を受けて駆動されるMOSトランジスタM7、M8を有し、差動出力信号Vdiffを外部負荷に送出する出力バッファ回路13と、駆動制御回路11、12に付加され、入力信号TXDを受け、該入力信号の論理レベルが所定の方向に変化した時にMOSトランジスタM7、M8がオン状態からオフ状態に変化する動作の開始時間を短縮する動作開始加速回路14、15と、動作開始加速回路14、15に付加され、選択信号Vselに応じてMOSトランジスタM7、M8がオン状態からオフ状態に変化する動作の終了時間を可変する動作終了可変回路16、17と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】差動アンプ回路の出力信号の出力をより正確に制御することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、第4のMOSトランジスタと第5のMOSトランジスタとの間の接点の第1の電圧に応じた信号とイネーブル信号とが入力され、イネーブル信号が第1のレベルであり且つ第1の電圧が規定電圧以上の場合に差動アンプ回路の出力信号を出力端子に出力するための第1の信号を出力し、イネーブル信号が第2のレベルまたは第1の電圧が規定電圧未満の場合に第2の信号を出力する演算回路と、差動アンプ回路の出力信号と演算回路が出力した信号とが入力され、第1の信号が入力された場合には、出力信号を出力端子に出力し、第2の信号が入力された場合には、出力端子へ或る論理に固定した信号を出力する出力バッファ回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】SLVSを多値化して、多値のCML及び2値のSLVSと比べ1ビット当りの消費電力を削減し、SLVSの多値化に際して生じる論理値の違いによる電源電流の変動を補償した多値論理ドライバを提供する。
【解決手段】第1、2の差動プッシュプル回路(DPP)は各々対応する第1、2の差動入力を受け、各々第1〜4のトランジスタ(Tr)を含み、第1、3のTrのドレーン(D)は電源に接続され、第2、4のTrのソース(S)は接地され、第1、3のTrのゲート(G)は正入力に接続され、第2、4のTrのGは補入力に接続され、第1のTrのSと第2のTrのD及び第3のTrのSと第4のTrのDは第1、2のDPPに亘り正・補各々コモン接続されて単一の差動出力を形成し、第1、2のDPPを構成する各4個のTrのオン時の抵抗値は差動出力に接続される伝送路の特性抵抗値Zoを単位として各々3/2、3に設定されている。 (もっと読む)


【課題】出力レベルのスイッチング時に電源電位に発生され得るノイズを低減することのできる出力バッファ回路、入出力バッファ回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】駆動回路2aは、駆動能力が同一のトランジスタTP1,TN1を含む第1駆動部E1と、駆動能力が同一のトランジスタTP2,TN2を含む第2駆動部E2と、駆動能力が同一のトランジスタTP3,TN3を含む第3駆動部E3を備える。これら駆動部E1〜E3内のプルアップ側のトランジスタTP1,TP2,TP3同士の駆動能力及びプルダウン側のトランジスタTN1,TN2,TN3同士の駆動能力は互いに異なる。制御回路3aは、データ信号Aと、駆動能力制御信号B1,B2と、駆動能力選択信号DSとに応じて、駆動能力が異なるプルアップ側のトランジスタとプルダウン側のトランジスタとを相補的にオンさせる信号を生成する第1制御回路40を備える。 (もっと読む)


【課題】出力端子が出力回路の電源電圧より高電位である場合や、出力回路の電源電圧が0Vになっても出力端子から電源電圧へ電流の逆流入は発生しないトレラントバッファ回路及びインターフェースを提供すること。
【解決手段】トレラントバッファ回路100は、電源端子VDD1と出力端子102の間にソースを共有して直列接続されたPチャンネルMOSトランジスタQ111,Q112と、出力端子102と接地端子の間に接続されたNチャンネルMOSトランジスタQ113と、PチャンネルMOSトランジスタQ111のゲートに出力接続されたインバータ121と、PチャンネルMOSトランジスタQ112のゲートに出力接続されたインバータ122と、各MOSトランジスタQ111、Q112、Q113にそれぞれ第1、第2及び第3の制御信号を出力してこれらのMOSトランジスタのオン・オフを制御する制御回路130とを備える。 (もっと読む)


少なくとも部分的に、特に少なくともタイムスロット方式でTMDS符号化され、且つ特に少なくとも1つのDVIデータ接続、及び/又は、少なくとも1つのHDMIデータ接続に割り当てられた信号を、少なくとも1つのデータソースから少なくとも1つのデータシンクへ安価に伝送する回路装置(100;100’)及び方法を提供するために、
駆動回路(S1;S1’)は、上流に接続され且つ前記データソースに割り当てられた少なくとも1つの接続インターフェース(IQ)によって、約5ボルトの供給電圧を含み、特に約55ミリアンペア以下でチャージすることができる、供給電圧(VDVI/HDMI)を供給されること、
前記駆動回路(S1;S1’)の下流に接続された少なくとも1つの発光素子(LD)、特に少なくとも1つの光ダイオード、少なくとも1つの発光ダイオード、少なくとも1つのレーザダイオード、あるいは少なくとも1つの半導体レーザを含む少なくとも1つのレーザによって、電気的なTMDS符号化信号を電気−光変換して、前記TMDS符号化信号を与えられた光(LTMDS)として、少なくとも1つの光ファイバー(F)、特に少なくとも1つのガラス繊維又は少なくとも1つのプラスチックファイバーを含む少なくとも1つのプラスチック材料繊維に、連結すること、
少なくとも1つのTMDSトランスミッタ(TM)からデータソースに割り当てられた前記接続インターフェース(IQ)へ供給される直流電流部分は、前記駆動回路(S1;S1’)によって前記発光素子(LD)を制御する変調信号電流に変換されること、
前記TMDS符号化信号を与えられた前記光(LTMDS)は、少なくとも1つの光吸収素子(PD)、特に少なくとも1つのフォトダイオードによって、前記光ファイバー(F)から取り出されて、光−電気変換され、前記光吸収素子(PD)の下流且つ前記データシンクに割り当てられた少なくとも1つの接続インターフェース(IS)の上流に接続された少なくとも1つのトランスインピーダンス変換回路(S2;S2’)に供給され、前記トランスインピーダンス変換回路(S2;S2’)は、少なくとも1つの差動ペア配線(AD、AD’)によって印加される直流電圧部分によって提供されることが提案される。
(もっと読む)


【課題】電源投入を契機として、コネクタインタフェースの接続状態の全てを自律的に診断可能にする。
【解決手段】コネクタインタフェースCIFを診断対象とする接続状態診断装置は、第1の基盤1への電源投入を契機として、複数の第1の運用信号線1A−1Dのそれぞれに診断電位信号を自律的に出力する手段13と、コネクタインタフェースを通して複数の第2の運用信号線2A−2Dにそれぞれ伝送される診断電位信号を全て受信したときは、コネクタインタフェースの正常接続状態を示す第1の状態監視信号を出力する手段20と、第1の状態監視信号が受信されたときは、複数の第1の運用信号線への診断電位信号の出力を停止制御して、自律的に診断モードから運用モードに切替設定し、異常接続状態を示す第2の状態監視信号が受信されたときは、複数の第1の運用信号線への診断電位信号の出力を維持制御する手段14とを備える。 (もっと読む)


【課題】追加回路を最小限に抑えた設計で消費電力を効果的に削減する消費電力制御を行う半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】バスマスタ3、4は、バスアクセス要求を発行して、かつアクセス許可がない場合は、クロックゲーティング回路6にクロック遮断要求を発行し、バスアービタ2は、バスアクセス許可を発行したとき、該バスアクセス許可の発行先のバスマスタに関するクロック遮断解除要求をクロックゲーティング回路に発行し、クロックゲーティング回路6は、クロック遮断要求を発行したバスマスタへのクロック供給を遮断し、クロック供給が遮断されたバスマスタに関するクロック遮断解除要求が発行されたとき該バスマスタへのクロック供給の遮断を解除する。 (もっと読む)


【課題】接地電圧と電源電圧の電位差を規定値に保ち、誤動作を防止することができるバッファ回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】出力制御信号に応じて入力信号に対応する信号を出力する場合、第1スイッチング素子により出力スイッチング素子を導通状態に駆動し、第2および第3スイッチング素子により出力スイッチング素子を非導通状態に駆動する。一方、出力制御信号に応じてハイインピーダンス状態を出力する場合、第3スイッチング素子は非導通に制御されるので、出力スイッチング素子は、第2スイッチング素子のみにより非導通状態に駆動される。 (もっと読む)


1 - 20 / 43