【課題】動作時の貫通電流を低減させ、かつ動作スピードをあまり損なわないチョッパ型コンパレータを得る。
【解決手段】インバータと接地電圧端子間にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ８を接続し、そのゲート端子に可変電圧源９を接続する。インバータと電源電圧端子間にＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ７を接続し、そのゲート端子に可変電圧源１０を接続する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で電源投入時にも精度よく電源電圧の状態を検出する。
【解決手段】第１スイッチ（１２２）と第２スイッチ（１２４）とは直列に接続されてスイッチ部を形成し、第１スイッチ（１２２）は、基準信号に基づいて開閉が制御される。判定信号生成回路（１１０）は、第１電源電圧（ＶＤＤ）と第２電源電圧（ＶＳＳ）とに基づいて電源電圧判定信号（ＶＧ）を生成し、第２スイッチ（１２４）は、電源電圧判定信号（ＶＧ）に基づいて開閉が制御される。第１負荷素子（１２６）は、第１電源電圧（ＶＤＤ）とスイッチ部との間に直列に挿入される。スイッチ部は、基準信号（Ｖｒｅｆ）が所定の第１電圧を超え、電源電圧判定信号（ＶＧ）が所定の第２電圧を超えたとき回路を閉成して第１負荷素子（１２６）に電流を供給し、第１負荷素子（１２６）とスイッチ部との接続ノードから第１電源電圧（ＶＤＤ）の状態を示す第１出力信号（ＶＯＵＴ）を出力する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗の温度特性に追随して高精度で電流レベル判定を行う。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１に一体に感温素子４が設けられ、ドレイン／ソース間電圧Ｖｄｓと温度検出信号Ｖｆを検出する。電圧Ｖｄｓは電圧検出部６に入力され、感温素子４の電圧Ｖｆは第１および第２の補正回路８、９に入力される。ＭＯＳＦＥＴ１のオン抵抗Ｒｏｎの温度特性を第１および第２の温度領域のそれぞれに対応した近似直線で近似し、傾きを変えるように補正回路８、９で演算処理する。予め設定された判定電流値をＲｏｎの温度特性を考慮して判定電圧生成部１１で判定電流に相当する判定電圧Ｖｄｓｒｅｆを生成する。これにより、比較器１３で判定電流以上の電流がＭＯＳＦＥＴ１に流れたか否かを精度よく判定できる。 （もっと読む）

【課題】直流安定化電源の起動時などにおいて、負荷の動作に影響を与えることのない安定した電源電圧の負荷への印加を可能とする。
【解決手段】直流安定化電源１０２と負荷との間に、ＰチャンネルＭＯＳ ＦＥＴ１が直列接続され、このＦＥＴ１は、そのゲートに接続された第１のＮチャンネルＭＯＳ ＦＥＴ２と共に第１の制御信号ＳＷ１に応じてオン・オフ動作する一方、ＭＯＳ ＦＥＴ１のソースとグランドとの間には、副定電流源５と、外部からの第２の制御信号ＳＷ２に応じて動作する第２のＮチャンネルＭＯＳ ＦＥＴ２が直列接続されており、直流安定化電源１０２の出力電圧の負荷への印加に先立ち、第２の制御信号ＳＷ２によって副定電流源５を直流安定化電源１０２に接続し、出力電圧安定化後に第１の制御信号ＳＷ１によってＭＯＳ ＦＥＴ１をオンとして負荷への電圧印加を行うよう構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】電源供給回路のオン、オフを切り換えるスイッチング素子として用いられる半導体素子のオン故障の兆候を検出し、回路の遮断機能が不能となる前の時点で半導体素子をオフとすることにより、電力供給回路を保護することが可能な電力供給回路のオン故障検出装置を提供する。
【解決手段】バッテリＥと負荷ＲＬとの間にＦＥＴ（Ｔ１）を配置し、負荷ＲＬの駆動、停止を制御する電力供給回路の、ＦＥＴ（Ｔ１）のオン故障を検出するオン故障検出装置において、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに、該ＦＥＴ（Ｔ１）のオン、オフを切り換えるための駆動電圧ＶＤを供給するドライバ回路１と、このドライバ回路１とＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとの間に設けられるゲート抵抗Ｒｇと、ゲート抵抗Ｒｇの電圧降下が所定値を超えるか否かを検出し、所定値を超えている場合にＦＥＴ（Ｔ１）にオン故障が生じているものと判定するオン故障判定回路１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来、過電圧保護回路が設けられた電流検出回路においては、電流検出の精度が低下してしまう。
【解決手段】電流検出回路は、電力用ＭＯＳＦＥＴ１（第１の半導体スイッチング素子）、センスＭＯＳＦＥＴ２（第２の半導体スイッチング素子）、差動増幅器３、ツェナーダイオード３３（第１の電圧クランプ素子）、ツェナーダイオード３４（第２の電圧クランプ素子）、ＭＯＳＦＥＴ６（可変抵抗素子）、ディプリーション型ＭＯＳＦＥＴ３１（第１のＭＯＳＦＥＴ）、およびディプリーション型ＭＯＳＦＥＴ３２（第２のＭＯＳＦＥＴ）を備えている。 （もっと読む）

【課題】端子の電源ショート時にも電圧駆動素子およびシャント抵抗を保護する。
【解決手段】一端が端子Ｔ１に接続され、他端がシャント抵抗Ｒｓを介して接地された電圧駆動素子１０と、シャント抵抗Ｒｓの電圧を検出する検出回路２０と、検出回路２０からの電圧検出信号で電圧駆動素子１０をＯＮ／ＯＦＦ制御する駆動回路３０とを備える電源ショート保護回路において、電圧駆動素子１０と並列にシャント抵抗Ｒｓに比べて大きな抵抗値の抵抗素子Ｒ１を接続することにより、電圧駆動素子１０のＯＦＦ時にもシャント抵抗Ｒｓに電流を流して電圧を検出回路２０で検出し、端子Ｔ１が電源ショートしているときには電圧駆動素子１０をＯＮさせないように駆動回路３０を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路本体に駆動電力を供給するためのスイッチトランジスタがオフ状態のときに、このスイッチトランジスタに流れるオフリーク電流を低減する。
【解決手段】入力電圧VinがＨレベルのときには、ＰＭＯＳ１４，１５がオフ状態になって電源電位ノード１１から出力端子１３が切り離され、スイッチ１６がオン状態になって電源電位ノード１２がノードＮ１に接続され、このノードＮ１が電源電位ＶＤ２に固定される。これにより、出力側のＰＭＯＳ１５に基板効果が生じ、出力端子１３に流れるオフリーク電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 出力トランジスタをより高いスイッチング周波数まで駆動する。
【解決手段】 指令信号ＳｃがＬレベルになると、トランジスタＱ１９がオン、トランジスタＱ２０がオフ、トランジスタＱ２１、Ｑ２２がオンとなり、ＭＯＳＦＥＴＱ１１がオンからオフに移行する。このとき抵抗Ｒ１９によりトランジスタＱ２１のベース電流が制限され、ベース領域に蓄積される電荷が減少する。トランジスタＱ２１にベース電流が流れている時に指令信号Ｓｃが再びＨレベルになった場合、抵抗Ｒ１９、ダイオードＤ１５および抵抗Ｒ２０の存在によりトランジスタＱ２１、Ｑ２２のベース蓄積電荷が短時間で消滅するので、ターンオフ時間が短くなる。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子として機能するパワートランジスタのゲートドライブ電流を低減する。
【解決手段】 時分割的にオンオフを繰り返すパワートランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇ１を制御する制御回路１００において、パワートランジスタＭ１のゲートと接地間に直列に、電荷保存用キャパシタＣ１および電荷転送用スイッチＳＷ１を設ける。ドライバ回路１０は、パワートランジスタＭ１のゲートに、第１電圧Ｖ１または第１電圧より低い第２電圧Ｖ２を印加するとともに、電荷転送用スイッチＳＷ１のオンオフを制御する。ドライバ回路１０は、パワートランジスタＭ１のゲート電圧を第１、第２電圧間で遷移させる所定期間、出力端子１２をハイインピーダンスとし、電荷転送用スイッチＳＷ１をオンして電荷転送を行う。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗Ｒonが小さい場合でも、比較器ＣＭＰ１０１のオフセット電圧Ｖoffの影響を低減して高精度な過電流検出が可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】
スイッチング用のＦＥＴ（Ｔ１）のソースに接続された銅箔パターン４の所定点Ｐ２と、該ＦＥＴ（Ｔ１）のドレインＰ１との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）を過電流判定電圧として、比較器ＣＭＰ１の入力端子に供給し、基準電圧Ｖ３と比較する。この際、銅箔パターン４が有する抵抗Ｒｐによる電圧降下分が存在するので、電圧（Ｖ１−Ｖ２）はＦＥＴ（Ｔ１）の端子間電圧ＶDSよりも大きくなり、結果として、比較器ＣＭＰ１が有するオフセット電圧Ｖoffによる影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 外部回路やパワーＦＥＴを保護することが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】 短絡電流Ｉｓ１が流れ続けると、ＲＣ並列回路１２が次第に高変換率状態となり、通電時間がｔ１になったときに、端子電圧Ｖｏが閾値電圧Ｖｒを超えてコンパレータ３２から異常信号Ｓ２が出力される。この異常信号Ｓ２を受けて保護用論理回路４０のＲＳ−ＦＦ６６はセット状態となってハイレベルの制御信号Ｓ４を出力して、パワーＭＯＳＦＥＴ１５及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６に自己復帰不能な遮断動作をさせる。 （もっと読む）

【課題】 駆動用半導体素子のリーク電流測定を正確に行うことを可能とする半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】 負荷２に通電を行うためのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１についてリーク電流を測定したい場合には、ＦＥＴ２１をオフにしＦＥＴ１のゲートと電源との電気的接続を断つことでＦＥＴ１と制御ＩＣ２４とを電気的に接続した状態でも、リーク電流を容易に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
過電流発生時、電源電圧が極端に低い場合であっても、出力トランジスタを確実にオフし、出力トランジスタの破壊を防止できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる半導体装置は、ゲートＧ１に印加される信号に応じて出力電流を流す出力ＭＯＳトランジスタＭ０と、ゲートＧ１に接続されたＭＯＳトランジスタＭ３と、出力ＭＯＳトランジスタＭ０に流れる電流を検出しＭＯＳトランジスタＭ３のゲート端子に出力する第一の検出回路３２と、出力ＭＯＳトランジスタＭ０に流れる電流を検出しＭＯＳトランジスタＭ３のバックゲート端子に出力する第二の検出回路３３と、を備え、第二の検出回路３３は前記第一の検出回路３２よりも低い電圧で動作するものである。 （もっと読む）