【課題】低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高める可変出力増幅器を得る。
【解決手段】トランジスタ５と共に並列接続されたトランジスタ１１と、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、トランジスタ５のみ動作するようにバイアス電圧を印加し、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、トランジスタ５，１１の両方が動作するようにバイアス電圧を印加するバイアス制御回路１２とを備えた。
このように構成したことにより、低出力時および高出力時に関わらずバイパス経路を用いずに、トランジスタ５，１１の信号出力をそのまま出力するため、低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】異常発生原因の事後解析を容易に行うことが可能な半導体装置、及び、これを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、入力信号ＩＮに所定の信号処理を施して中間信号ＭＩＤを生成する第１チップＸと、中間信号ＭＩＤを電力増幅して出力信号ＯＵＴを生成する第２チップＹと、を単一のパッケージ内に有し、第２チップＹは、複数の異常を監視して保護動作を行うとともに、複数の異常監視結果に応じてその論理レベルが時分割で順次変遷されるエラー信号ＥＲＲＯＲを生成する保護機能部Ｙ２０を有し、第１チップはＸ、エラー信号ＥＲＲＯＲを時分割で順次サンプリングし、そのサンプリング結果を前記複数の異常監視結果に関する履歴情報として格納するエラー検出部Ｘ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】高利得の増幅器であっても空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】誘電体基板２上に形成されたマイクロストリップ線路３と、このマイクロストリップ線路３に接続された増幅素子１と、誘電体基板２上に載置された増幅素子１を収容する収容部７ａが形成された金属筐体７と、この金属筐体７の収容部７ａに嵌合するとともに、増幅素子１と対向する面側に第１の溝部８ｂが形成された金属体８と、金属体８の第１の溝部８ｂに嵌挿される第１の導電性ラバー９とを備え、金属筐体７の収容部７ａに金属体８を嵌合した時、第１の導電性ラバー９が誘電体基板２上に実装されている増幅素子１を押圧して、増幅素子１上の空間ループを遮断する。 （もっと読む）

【課題】回路動作の安定化を図りつつ、高利得及び高出力の増幅特性を有する電力増幅器を提案する。
【解決手段】電力増幅器１１は、多段接続される複数のトランジスタセル１１０，１４０を備える。最前段のトランジスタセル１１０は、並列接続される複数のトランジスタ１１１を含む。最終段のトランジスタセル１４０は、並列接続される複数のトランジスタ１４１を含む。トランジスタ１４１のベース抵抗値は、トランジスタ１１１のベース抵抗値よりも小さい。このような回路設計によれば、最終段のトランジスタセル１４０を構成するトランジスタ１４１のベース抵抗による電力損失を抑制し、所望のＰ１ｄＢを得るとともに、最前段のトランジスタセル１１０を構成するトランジスタ１１１のベース抵抗によるベース電流制限により回路動作の安定化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】回路構成を複雑にすることなく、所望の周波数帯域において利得を向上させる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成され、高周波信号を増幅するトランジスタ１と、前記トランジスタ１のソース電極１０ｓに接続された誘導性リアクタンス素子とを有し、前記誘導性リアクタンス素子は、前記半導体基板１の上方に形成され、有機物で構成される有機誘電体層６と、前記有機誘電体層６の前記半導体基板３側と反対側の面上に形成された配線を有する金属再配線層７とを含み、前記配線の一端は、前記トランジスタ１のソース電極１０ｓに接続され、前記配線の他端は接地され、前記誘導性リアクタンス素子のリアクタンス値は、前記高周波信号の周波数帯域の中心周波数において１０Ω以下である。 （もっと読む）

【課題】携帯電話機などの移動体通信機器に搭載される電力増幅器をバランスアンプから構成する場合に、バランスアンプの特性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】実施の形態の特徴の１つは、ローバンド信号用ネガティブパスに配置される受動部品と、ローバンド信号用ポジティブパスに配置される受動部品とを半導体チップＣＨＰの中心線ＣＬ１に対して対称となる位置に配置することにある。これにより、ローバンド信号用ネガティブパスと、ローバンド信号用ポジティブパスとの対称性が高められる。この結果、ローバンド信号用ネガティブパスと、ローバンド信号用ポジティブパスとの経路差による整合ロスを充分低減することができ、ローバンド信号用バランスアンプの特性を向上することができる。 （もっと読む）

【目的】 増幅器の入力におけるパイロット信号レベルの安定化が図れる安価で小型な増幅器ユニットを提供する。
【構成】 主信号にカップラを介して該主信号とは異なる周波数のパイロット信号を合成（注入）し、該主信号及び該パイロット信号を増幅器で増幅する増幅器ユニットにおいて、前記主信号の入力端子と前記カップラの入力端子との間にサーキュレータの入力ポートと出力ポートを接続し、該サーキュレータのアイソレーションポートと接地との間に移相器を設けた。この構成により、増幅器の入力で一部反射されたパイロット信号の位相を所要に調整して後、再度増幅器の入力でパイロット信号の主成分に合成することにより、パイロット信号レベルの安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】高周波、広帯域において高い特性を維持しつつ、パッケージを小型化することができる半導体装置及び増幅器を提供する。
【解決手段】半導体装置20は、内部に半導体チップ22が設けられるとともに、その外郭21ａの主面に入力端子31及び出力端子32を有するパッケージ21と、トランジスタチップ22の入力側を入力端子31に接続する導電性の第１の接続体41と、トランジスタチップ22の出力側を出力端子32に接続する導電性の第２の接続体42と、パッケージ21の外郭２１ａ上に配され、一端が入力端子31に接続され、他端は入力部を有し、入力インピーダンスを調整する入力整合部品５1と、パッケージ21の外郭２１ａ上に配され、一端が出力端子32に接続され、他端は出力部を有し、出力インピーダンスを調整する出力整合部品５2と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用する部品の実装面積を小さくするとともに、良好な高周波性能を得ることができる高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される複数の変調方式で変調された高周波信号のインピーダンス整合をとる入力整合回路１１と、入力整合回路でインピーダンス整合がとられた高周波信号を電力増幅する電力増幅器Ｔｒ１、Ｔｒ２と、電力増幅器から出力される高周波信号を変調方式に応じて切り換えて出力するＲＦスイッチ１２と、ＲＦスイッチから出力される高周波信号の各々に対して電力効率および隣接チャンネル漏洩電力比が最適になるようにインピーダンス整合をとる複数の出力整合回路２０、２１を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳＰＤＴスイッチにおけるスイッチ特性を改善し、高調波歪みを大幅に低減する。
【解決手段】 ＳＰＤＴスイッチ２において、トランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１は、２つのゲートが設けられたデュアルゲートＦＥＴよりなり、これらトランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１には、ゲート制御電圧供給用抵抗であるＲ２〜Ｒ５，Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２０〜Ｒ２２とは別に新たに設けられたゲート耐電力容量間の抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ２３，Ｒ２４がそれぞれ接続されている。これら抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ２３，Ｒ２４は、トランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１におけるゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄにかかる電圧Ｖｇｓ，Ｖｇｄの位相が変化させ、それにより高調波歪み量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】 送信開始時に出力電力が低いレベルで急に立ち上がるのを回避し、立ち上がり特性を向上することができ、パワーの高いところでの出力電力の変化率を大きくしてパワーを十分に出すことができるＲＦパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 電力増幅用トランジスタ（Ｑａ１，２，３）と、該トランジスタとカレントミラー接続されたバイアス用トランジスタ（Ｑｂ１，２，３）とを備えバイアス用トランジスタに出力電力制御電流を流すことで電力増幅用トランジスタにバイアスを与える回路と、出力電力制御電圧（Ｖapc）に基づいて前記バイアス回路へ電流を供給する出力電力制御回路（２３０）とを有し高周波の送信信号を増幅するＲＦパワーモジュールにおいて、バイアス回路には出力電力制御電圧を受け２乗特性を有する電流を生成して上記バイアス用トランジスタに流すようにした。 （もっと読む）

【課題】従来は高誘電率基板またはMOS-Cで整合を取っていたが、高誘電率基板やMOS-Cは回路損失が大きい。また、部品点数が多く、ダイボンディングやワイヤボンディングの組立工程が多い。さらに、各素子間を金ワイヤによってワイヤボンディングするためワイヤ長がばらつき、整合回路内蔵高出力半導体トランジスタの特性がばらつく問題があった。
【解決手段】本発明は、半導体トランジスタ素子が接合され、整合回路が備えられた多層基板の、ＲＦ信号入力端子と半導体トランジスタ素子の入力電極の間、または半導体トランジスタ素子の出力電極とＲＦ信号出力端子の間に半導体トランジスタの整合素子として多層キャパシタを備え、この多層キャパシタの入出力端子の少なくとも一方が多層基板の中層に設けられているものである。 （もっと読む）

【課題】 外部容量やスタブ等を用いることなく各電子部品のインピーダンスを等しくする、高効率で歪みの少ない接続回路装置を提供する。
【解決手段】 電極５に直接接続される第１接続端子１５と、容量１７を介して接続される第２接続端子１６と、第２容量２２を介して接続される第３接続端子２１を、電極５に隣接して１つ乃至複数個配列する。第２接続端子１６に誘導性を有する接地接続線１８を接続し、接地接続線１８と容量１７によって形成した直列共振回路を高調波において共振させ、接地することで高調波において電極５を短絡させる。第３接続端子に誘導性を有して接地された誘導性接地接続線２４を接続し、第２容量２２と誘導性接地接続線２４によって動作信号に対して整合回路を形成する。第１接続端子１５には直流接続線２６を介して直流回路２７が接続されており、電子部品１４に直流バイアスを供給する。 （もっと読む）

本発明は、電磁波におけるノイズを低減することにより電磁波を修正するための装置、方法、および製造物に関する。所望の出力パラメータを識別することにより複数のセグメントの伝達関数を導き出す。その伝達関数を、複数のフィルタやその他の装置を経由して、波に適用する。
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