国際特許分類[B24B37/04]の内容
処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544) | 平面を加工するために製作されたもの (1,304)
国際特許分類[B24B37/04]に分類される特許
1 - 10 / 1,304
光学素子の製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
ウエーハ研磨装置及びウエーハ検査方法
【課題】表面に現れずに内在する研磨時の欠け、割れ等の原因を有するウエーハの研磨を防止するためのウエーハ研磨装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ研磨装置は、ウエーハWを載置するステージ51と、前記ステージ51上の前記ウエーハWに圧力を加える加圧器52、53とを含む検査部5と、前記検査部5により検査済みの前記ウエーハWを研磨する研磨部6と、を有し、検査により異常がないとされた半導体ウエーハWを研磨する。
(もっと読む)
炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板
【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第1の面と、非鏡面である第2の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第1の面P1と、第1の面P1の反対側に位置する第2の面P2とを有する炭化珪素基板80が形成される。炭化珪素基板80が形成される際に、第1および第2の面P1、P2のそれぞれに第1および第2の加工ダメージ層71、72が形成される。第1の加工ダメージ層71の少なくとも一部を除去しかつ第1の面P1の表面粗さが5nm以下となるように、第1の面P1が研磨される。第2の面P2の表面粗さを10nm以上に保ちながら第2の加工ダメージ層72の少なくとも一部が除去される。
(もっと読む)
ガラス基板の製造方法
【課題】表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むpH4.0以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、pH4.0以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。
(もっと読む)
研磨装置
【課題】 キャリアから発生した切り粉によって非磁性体のワークが傷つけられてしまうことを防止しつつ、非磁性体のワークの厚さを正確に測定可能とする。
【解決手段】 研磨装置は、上面に研磨布が貼り付けられた磁性体からなる下定盤と、非磁性体のワークを保持し、当該ワークとともに下定盤の研磨布上に載置される非磁性体のキャリアと、キャリアにより保持された前記ワークの上面を研磨する研磨布が下面に貼り付けられ、下定盤の上方に昇降自在に配置された上定盤と、上定盤に内蔵されて、下定盤までの距離を測定する渦電流式変位センサと、渦電流式変位センサの測定結果を基にワークの厚みを算出する算出部とを備えている。キャリアは、ワークの硬度よりも小さい素材によって形成されている。
(もっと読む)
ポリッシング装置およびポリッシング方法
【課題】基板の中心部および周縁部を含む全面において、精度の高い膜厚データを取得することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】ポリッシング装置は、基板Wの表面を研磨パッド22に対して押圧するトップリング24と、光源16a,16bからの光を基板Wの表面に照射し、基板Wからの反射光を受光する第一の光学ヘッド13Aおよび第二の光学ヘッド13Bと、反射光の各波長での強度を測定する分光器14a,14bと、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成する処理部15とを備える。第一の光学ヘッド13Aは、トップリング24に保持された基板Wの中心に対向するように配置され、第二の光学ヘッド13Bは、トップリング24に保持された基板Wの周縁部に対向するように配置されている。
(もっと読む)
被研磨体吸着治具及びガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板
【課題】本発明はガラス基板を吸着する際の痕跡を減少させることを課題とする。
【解決手段】被研磨体吸着治具10は、シリンダ60と、操作部材70と、バネ部材80と、台座90と、吸着パッド100とを有する。操作部材70は、被押圧操作部78が押圧操作されていないとき、被押圧操作部78がバネ部材80のバネ力によりシリンダ60のシリンダ室62より上方に突出する上動位置(負圧停止位置)に保持されている。そして、操作部材70は、被押圧操作部78がバネ部材80のバネ力に抗して下方に押圧操作されると、第2の連通孔76が負圧導入孔64に連通され、吸着パッド100の吸着面に負圧を導入する。また、操作部材70の押圧操作が解除されると、バネ部材80のバネ力により上動して第1の連通孔74が大気導入孔66に連通される上動位置に復帰する。
(もっと読む)
CMP装置
【課題】スラリー洗浄が容易で且つ耐薬品性に優れたCMP装置を提供する。
【解決手段】被研磨部材を研磨パッド上に保持するヘッド部表面及びアーム部表面、スラリー供給管表面、並びに、装置本体内壁よりなる群から選択される少なくとも1つの被覆対象をフッ素樹脂により被覆したことを特徴とするCMP装置。
(もっと読む)
加工方法
【課題】 一つの環状フレームの開口部内に粘着シートを介して複数の被加工物を装着して研削や研磨を実施する場合にも、全ての被加工物を所定の厚みへと薄化可能な加工方法を提供することである。
【解決手段】 環状フレームFに貼着された粘着テープTの中心に第1ウエーハ11を貼着し、複数の第2ウエーハ13をその周りに貼着したウエーハユニット15を形成する。チャックテーブル36の回転軸から第2ウエーハ13の最外周位置までの長さより大きい半径を有する研削ホイール22の外周縁が第1ウエーハ11の中心を通過するように、チャックテーブル36と研削ホイール22の位置関係を設定する。厚み測定器46で第1ウエーハ11の厚みを測定しながら第1及び第2ウエーハ11,13の研削を実施する。第1ウエーハ11の厚みが所定厚みへ達した際に研削送りを停止することにより、全てのウエーハ11,13を所定の厚みへと研削することができる。
(もっと読む)
研磨パッド用表面処理剤及び研磨パッド用スプレー
【課題】 研磨パッドの貼り換え作業を行うことなく、研磨パッドの表面に熱硬化性樹脂からなる膜を薄く均一に形成することができる研磨パッド用表面処理剤及び研磨パッド用スプレーを提供する。
【解決手段】 ウレタン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を溶剤に分散させた20℃における粘度が1000cP(センチポイズ)以下である分散液3からなる研磨パッド用表面処理剤を噴霧可能な容器2に高圧ガスと共に充填してなる研磨パッド用スプレー1。
(もっと読む)
1 - 10 / 1,304
[ Back to top ]