【課題】バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態（ドライアウトしていない状態）を保つことを特徴とするバフ研磨方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤を含まず、（イ）研磨粒子１０〜６０質量％、（ロ）潤滑油１０〜３０質量％、（ハ）増粘安定化剤０．１〜２．０質量％及び水８〜７９．９質量％を含むバフ研磨用水性乳化研磨組成物を用いて、バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態（ドライアウトしていない状態）を保つことを特徴とするバフ研磨方法。及び前記粒子としてアルミナ、シリカ、アルミノシリケート、酸化第二錫から選ばれる１種又は２種以上を用い、かつ、前記潤滑油としてリシノール酸トリグリセライド（ヒマシ油）及び流動パラフィン及びグリセリンを用い、かつ、（ハ）増粘安定化剤として会合型アルカリ可溶性アクリルポリマーを用いたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子写真プロセスを利用する画像形成装置の各種弾性ローラとして再利用可能な再生弾性ローラの製造方法を提供する。
【解決手段】電子写真用の弾性ローラの表面に固着している現像剤由来の固着物を除去する工程を有する再生弾性ローラの製造方法であって、
該工程は、該固着物が固着している弾性層に対して粉体を衝突させて該固着物を除去するブラスト工程を含み、
該粉体は、ウレタンゴム粒子と、該ウレタンゴム粒子の周面に付着させられているシリカ、アルミナおよびチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１つの無機粒子とを含み、
該ブラスト工程は、該粉体の該固着物への衝突時の衝撃力により該無機粒子を該固着物に埋め込む工程を含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質固体が付着した酸化セリウム系研磨材から、酸化セリウム系研磨材を製造できる方法を提供する。
【解決手段】非晶質固体が表面に付着した酸化セリウム系研磨材を含む懸濁液を遠心分離し、非晶質固体が表面に付着した酸化セリウム系研磨材を含む分離堆積物を得る工程を行う。非晶質固体の溶解剤と分離堆積物とを水中で混合することにより、酸化セリウム系研磨材の表面に付着した非晶質固体を溶解させる溶解工程を行う。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】繊維基材で補強しなくても、優れた機械的強度を有する摩擦材を、材料凝集や製造プロセス内での壁面付着や粉塵の発生等がなく、プロセスの簡易化が可能な方法による摩擦材用造粒物の製造方法を提供する。
【解決手段】摩擦調整用粒子材料を、平均粒径が０．１〜０．５μｍのチタン酸カリウム粒子、未架橋ゴム及び熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物含有溶液の存在下で造粒し、得られた造粒物を、水溶性または水分散性結合材含有溶液の存在下で造粒することを特徴とする摩擦材用造粒物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】貴金属酸化物に対して高い除去速度を有する研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は配位子化合物及び水を含有する。配位子化合物としては、貴金属酸化物から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力を有し、その能力が貴金属酸化物中の貴金属と同じ種類の貴金属単体から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力よりも高いものが使用される。配位子化合物の例としては例えば、チオシアン酸アンモニウム等のチオシアン酸塩、チオ硫酸アンモニウム等のチオ硫酸塩、亜ジチオン酸ナトリウム等の亜ジチオン酸塩、テトラチオン酸ナトリウム二水和物等のテトラチオン酸塩、ジエチルジチオカルバミン酸ジエチルアンモニウム等のジエチルジチオカルバミン酸塩、ジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム二水和物やジメチルジチオカルバミン酸ジメチルアンモニウム等のジメチルジチオカルバミン酸塩、及びチオ尿素が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。 （もっと読む）