【課題】湿式摩擦材の摩擦係数を大きくすること。
【解決手段】コルクを粉体化し、必要において当該粉体化した前記コルクを１５０〜２００℃に加熱し、当該粉体化したコルクを他の湿式摩擦材の抄紙材料と共に混ぜ、これらの抄紙材料を抄造して抄紙体とし、その抄紙体にバインダとなる合成樹脂に含浸させた後加熱硬化させたものである。これにより前記コルク自体が高い摩擦係数μを有するばかりでなく、粉体として使用することで表面積が広くなり、相手材のセパレータプレートとの接触面積が広くなることで湿式摩擦材の摩擦表面の摩擦係数が高くなり、また、前記コルクの加熱によりコルク自体の摩擦係数を高め、さらに油の吸排出性を向上することができるから、摩擦係数μをより大きくした湿式摩擦材とすることができる。湿式摩擦材として使用した場合には、摩擦係数μをアップさせることができ、摩擦材の枚数削減による軽量化、高効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機還元剤（Ｂ）および水を必須成分として含有することを特徴とする電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】量産コストを低減させることができる圧粉磁心の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁被覆処理された純鉄粉又は鉄を主成分とする鉄系合金粉末を金型を用いて加圧成形して圧粉磁心を得る工程Ｓ１、得られた圧粉磁心に熱処理を施す工程Ｓ２、及び熱処理された圧粉磁心の少なくとも一部に研削砥石を用いた後加工を施す工程Ｓ３を含んでいる。前記後加工を施す工程において、圧粉磁心及び研削砥石を自転させつつ研削加工を施すことで圧粉磁心の加工面に生じる加工跡を等方性にする。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シラノール基を有する砥粒、及び水溶性重合体を含有する。研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときには、砥粒の表面積１μｍ^２あたりに５０００個以上の水溶性重合体の分子が吸着する。このような水溶性重合体の例としては、ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物、より具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキレンジグリセルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ＬＰＤ低減剤中のナトリウムイオンの濃度が１０ｐｐｂ以下であり、シリコンウエハ研磨において用いられる。ＬＰＤ低減剤は、さらにアルカリを好ましくは含有する。ＬＰＤ低減剤は、シリコンウエハの仕上げ研磨に用いられ、ＬＰＤの大きさが６５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、親水性基を有する水溶性重合体、及び砥粒を含有する。研磨用組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角は、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角と比較して小さく、好ましくは５７度以下である。このような水溶性重合体の例としては、多糖類又はアルコール化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物、ＬＰＤ低減剤及びそれを用いたＬＰＤ低減方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物中の酢酸イオンの濃度が１０ｐｐｂ以下である。研磨用組成物は、アンモニア又は水酸化テトラメチルアンモニウムのようなアルカリを好ましくは含有する。 （もっと読む）

【課題】ミクロン、サブミクロン又はナノサイズのマトリックス材料中に分散したミクロン、サブミクロン又はナノサイズの超硬質研磨剤から成る多結晶研磨要素の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス質を好む表面を有する複数の超硬質研磨粒子を、マトリックス前駆体材料を用いて被覆し、その後焼結に適するように処理する。マトリックス前駆体材料の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物、又は炭窒化物、又は元素形態に、マトリックス前駆体材料を変換することができる。被覆した超硬質研磨粒子が結晶学的又は熱力学的に安定な圧力及び温度で、被覆した超硬質研磨粒子を固め焼結する。 （もっと読む）

【課題】高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を用いる。窒素化合物は、脂肪族アミン、芳香族アミン、アンモニウム塩、アンモニウム塩基またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１種の化合物を含む。 （もっと読む）