【課題】溶着性の高い被削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、平均層厚２〜１０μｍのＡｌとＴｉとＳｉの複合窒化物層、（ｂ）上部層として、１〜３μｍの平均層厚を有し、上部層全体における平均組成を、組成式：（Ａｌ_１−ＸＳｉ_Ｘ）_２Ｏ_３で表した場合、０．０１≦Ｘ≦０．３（但し、Ｘ値は原子比）を満足し、かつ、上部層におけるＳｉ含有割合は、下部層側から上部層表面に向かって減少する傾斜組成を有し、しかも、上部層表面におけるＳｉ含有割合を示すＸsurf値が、０≦Ｘsurf≦０．０５（但し、Ｘsurf値は原子比）を満足する組成傾斜型のＡｌとＳｉの複合酸化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物のドープ量を容易に制御して添加できるプラズマ援用反応性薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生用コイル４を、薄膜にドープする元素からなる物質、またはその元素を含む物質で一部または全体が構成されるか被覆されたものとする。そのプラズマ発生用コイル４によってチャンバ１０内にプラズマを発生させ、蒸発源のルツボ６によって蒸発される原料の元素と気体導入口７から導入される気体の元素とがプラズマ雰囲気中で活性化し、前記プラズマ発生用コイル４の表面からスパッタリングされて飛び出す上記物質（例えばCu）の元素とともに基板２の表面において反応し、該物質の元素をドープした薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】一つの成膜装置で蒸着重合法及びスパッタリング法を行うことができる複合型の成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜対象を設置する真空成膜室と、前記真空成膜室中の前記成膜対象にスパッタリング法により膜を形成するスパッタリング手段３０と、前記真空成膜室中の前記成膜対象に蒸着重合法により膜を形成する蒸着重合手段２０ａ、２０ｂとを備え、前記スパッタリング手段３０は、スパッタリングターゲット３１が設けられたターゲット室３２からなり、当該ターゲット室３２は、前記真空成膜室に可動遮蔽手段を介して接続され、前記蒸着重合手段２０ａ、２０ｂは、原料モノマーが封入されている蒸発源容器２１ａ、２１ｂと、蒸発源容器２１ａ、２１ｂに設けられた加熱手段２２ａ、２２ｂとからなる。 （もっと読む）

【課題】安価な薄膜顔料を提供する。
【解決手段】
本発明の成膜装置Ａは、円筒形の成膜対象物２の下方にルツボ３が配置され、上方にアーク蒸発源４とスパッタリングターゲット５が配置されている。スパッタリングターゲット５によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源４による成膜とルツボ３からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。金属材料の粒子を発生させる場合、アーク蒸発源の粒子放出量が多いので、成膜速度が速く、安価な薄膜顔料を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射工程後の基板１０１の表面に乾式法を用いて第１の膜１０３を成膜する第１の成膜工程と、第１の膜１０３の表面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する第２の成膜工程とを、有する。
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【課題】安価でかつ耐食性の高いオーステナイト系ステンレス材料からなる蒸発源や制御板等の蒸発源用治具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着物質に対して蒸着する際に用いられる蒸着材料を収容し一定温度に加熱して蒸着材料を蒸発させる蒸発源と、蒸着材料が加熱・溶融した際に突沸を起こして飛び散った液体が直接、被蒸着物質である基板へ飛行するのを防ぐ金属メッシュ等の分球ふるいからなる蒸発源用治具であって、この蒸発源用治具をＣｒ主体のクロム系酸化物被膜とＦｅ主体の鉄系酸化物被膜の少なくとも２層でこの順に覆われたオーステナイト系ステンレスとする。 （もっと読む）

【課題】同一の被覆チャンバの中でアーク蒸着とスパッタリング工程の両方で基体を被覆する方法および被覆装置の提供。
【解決手段】蒸着装置１は、ガス雰囲気を設定及び維持するプロセス・チャンバ３を含み、プロセス・ガス用の入口４及び出口５、並びにアノード６、６１、及びターゲットとして形成されターゲット材料２００、２０１、２０２を含む円筒形の蒸着カソード２、２１、２２を有する。さらに電気的なエネルギー源７、７１、７２が、アノード６、６１とカソード２、２１、２２との間に電位を発生させ、円筒形のカソード２、２１、２２のターゲット材料２００、２０１、２０２を電気的なエネルギー源によって気相に移すように設けられ、また磁場を発生させる磁場源８、８１、８２が設けられる。プロセス・チャンバ３内には、円筒形の蒸着カソード２、２１及び円筒形のアーク・カソード２、２２が同時に設けられる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】十分な特性を備えたフッ化物材料の薄膜を効率的に基板上に形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、蒸着処理領域３０Ａ及びプラズマ処理領域６０Ａの各領域間で、基板Ｓを繰り返し移動させる回転ドラム４及び基板保持板４ａと、フッ化物材料を含む蒸着原料の蒸発物を蒸着処理領域３０Ａに導入された基板Ｓに付着させる蒸着手段３０と、反応性ガスのプラズマをプラズマ処理領域６０Ａに導入された基板Ｓに接触させることにより、基板Ｓに付着した蒸着原料の蒸発物を処理するプラズマ処理手段６０とを真空チャンバ２内に少なくとも有する。この成膜装置１を用いて基板Ｓ上にフッ化物材料の薄膜を形成する。
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基材上にコーティングを蒸着する方法であって、（a）陰極真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程、および（b）CVA蒸着を除く物理蒸着（PVD）工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程を含み、工程（a）において蒸着された材料の厚さが、工程（b）において蒸着された材料の厚さよりも大きい、方法を提供する。

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