【課題】薄膜積層体において、金属酸化物薄膜と金属薄膜、あるいは金属酸化物薄膜と金属酸化物薄膜との界面での経時による剥離が生じることがあり、その剥離を防止するために、内部応力が小さい非晶質の酸化タンタル薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタリング法により透明基板上に形成される非晶質酸化タンタル薄膜であり、該酸化タンタル薄膜の理論密度をρ_０、実測密度をρとしたとき（ρ／ρ_０）×１００で表わされる値が７５〜９５体積％とする。 （もっと読む）

【課題】曲げ特性の劣化を抑制することが可能な、銅めっき薄膜が形成された薄膜超電導線材および当該薄膜超電導線材を有する超電導ケーブル導体を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の一方の主表面上に形成された中間層３と、中間層３の、基板１と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された超電導層５とを含む積層構造２０を備える薄膜超電導線材１０であり、積層構造２０の外周を覆う銅めっき薄膜９をさらに備えており、銅めっき薄膜９の内部の残留応力が圧縮応力になっている。積層構造２０には銀スパッタ層６を備えていてもよいし、銅めっき薄膜９と積層構造２０との間に、積層構造２０の外周を覆う銀被覆層７をさらに備えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着源からの蒸気を遮ることなく、試料のほぼ外周全域にわたって存在させながら、試料の外周表面の全面に蒸着膜を形成することができる蒸着装置とこの蒸着装置を用いた蒸着方法を提供すること。
【解決手段】中心軸を水平方向に向けたコイルバネ状の形状を有するホルダー２と、試料１をホルダーの内側に保持した状態においてホルダーをその中心軸の周りに回転させる回転手段とを備え、回転手段によってホルダーをその中心軸周りに回転させることにより、試料をホルダーに対して回転させ、蒸着源に対する試料の向きと姿勢を変更し、向きと姿勢を変更させながら試料の外周表面全面に前記蒸着源からの蒸気による蒸着膜を形成させる。 （もっと読む）

本発明は、式ＡＭ_４Ｘ_８（式中、Ａは、ＧａまたはＧｅであり、Ｍは、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭｏであり、Ｘは、ＳまたはＳｅである）の少なくとも１種の化合物の薄膜を製造するための方法に関する。前記方法は、ｉ）少なくとも１種の不活性ガスを含む雰囲気下で式ＡＭ_４Ｘ_８の少なくとも１種の化合物を含有する標的をマグネトロンスプレーすることにより、式ＡＭ_４Ｘ_８の少なくとも１種の化合物の薄膜を形成するステップと、ｉｉ）ステップｉ）で形成された薄膜を熱処理によってアニーリングするステップとを含み、ここで、前記ステップｉ）および／またはステップｉｉ）は、ＸがＳである場合は硫黄の存在下で、またはＸがＳｅである場合はセレニウムの存在下で行われる。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）

【課題】各電極の極性反転時に発生する過電圧を抑制することで、アーク放電の誘発を防止することができるスパッタリング装置用の交流電源を提供する。
【解決手段】直流電力供給源１からの正負の直流出力ライン２ａ、２ｂ間に、複数のスイッチングトランジスタＳＷ１乃至ＳＷ４から構成されるブリッジ回路３を設ける。直流電力供給源１からブリッジ回路３への正負の直流出力ライン２ａ、２ｂの少なくとも一方に、直流出力を定電流特性とするインダクタＤＣＬを設け、ブリッジ回路３の入力３ａ、３ｂに対して並列にスナバ回路７を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）および亜鉛（Ｚｎ）の各酸化物の粉末を１：１：１のモル比で混合、粉砕して原料粉末とする混合工程と、原料粉末を、所定の温度で仮焼して仮焼粉末とする仮焼工程と、仮焼粉末を、所定の寸法の成形体とする成形工程と、成形体を、所定の雰囲気中、１５００〜１６００℃で４時間以上焼成して焼結体とする焼成工程とを有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのバーナー（２）を含む火炎処理装置に沿って移動するガラス基材（１）上に堆積された少なくとも１つの薄膜を火炎熱処理するための方法であり、この処理が少なくとも１つの薄膜の結晶化率を増大させ及び／又は少なくとも１つの薄膜内の微結晶サイズを増大させるのに適している方法であって、最大の一時的な曲げ「ｂ」が１５０ｍｍ未満でかつ以下の条件、すなわち、ｂ≦０．９×ｄを満たし、式中、曲げ「ｂ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）と、バーナー（２）の先端（６）を通りかつ加熱されない基材の平面（Ｐ１）に平行な平面（Ｐ２）に最も近い基材の点との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、「ｄ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）とバーナー（２）の先端（６）との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、移動方向（５）に垂直な方向での基材の幅「Ｌ」が１．１ｍ以上であることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】保護膜がなくても優れた耐アルカリ性（アルカリに対する耐食性）、耐酸性（酸に対する耐食性）および耐湿性（高温多湿環境での耐性）を有して、保護膜が不要となるＡｌ合金反射膜、及び、このようなＡｌ合金反射膜を有する自動車用灯具、照明具、装飾部品、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素（以下、Ｓｃ等という）を合計で２．５〜２０ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、装飾部品、(3) Ｓｃ等を合計で２．５〜３５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）