【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】低圧下で高密度のプラズマを生成可能なＥＣＲプラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ生成装置４は、マイクロ波を伝送する矩形導波管４１と、該マイクロ波が通過するスロットを有するスロットアンテナ４２と、スロットを覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面はスロットから入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部４３と、誘電体部４３の裏面に配置される支持板４４と、支持板４４の裏面に配置される永久磁石４５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。マグネトロンスパッタ成膜装置１は、ＥＣＲプラズマ生成装置４を備え、基材２０とターゲット３０との間にＥＣＲプラズマＰ１を照射しながら、マグネトロンプラズマＰ２による成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス１００を軸線Ｌまわりに回転させながら、軸線Ｌに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面５１を仕上げ加工する。正面フライス１００には、スローアウェイチップ（インサート）３として、第１チップ３１と第２チップ３２とが設けられる。第１チップ３１は、円弧状の切り刃を有する。第２チップ３２は、直線状の切り刃を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０であって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記複数の非磁性相のうちの少なくとも１つの非磁性相１４は、磁性相１２よりも細かく酸化物相１８と分散し合っている。 （もっと読む）

【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットであるCu₂Oから、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜（堆積膜）又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu₂O被膜の形成に際して、そのCu₂O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu₂Oを用い、Ａｒをプラズマ化するための投入電力とＡｒを含む全ガス圧力とを、前記Cu₂Oからのスパッタ粒子をO₂流量比が高まるに伴ってCu₂O,Cu₄O₃,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu₂O被膜の形成に際しては、O₂流量比調整により広い範囲で抵抗率（キャリア密度）を調整して、Cu₂O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲット８に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット１２を備える。ターゲット８に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてＰＩＤ制御部１０に出力する放電用電源９と、マグネット１２の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源１１とを有する。ＰＩＤ制御部１０は、放電用電源９から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット１２の電磁石に対する通電量をＰＩＤ制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを含有し、さらに、ＮａＦ化合物、Ｎａ_２Ｓ化合物、又はＮａ_２Ｓｅ化合物の少なくとも１種の状態でＮａが、Ｎａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｅ＋Ｎａ）×１００：０．０５〜５原子％の割合で含有され、酸素濃度が、２００〜２０００重量ｐｐｍであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）