【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ部品保持力を確保しつつ、チップ部品を取り出す際のピックアップ性を高めたチップ部品支持装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機粘着フィルム１は、有機樹脂フィルム１１の表面に粘着層１２を有し、周辺が、リング状の枠体５（または７）によって支持されている。粘着層１２は、一面上に、粘着領域と、粘着領域を区画する非粘着領域１３を有している。チップ部品群３に含まれるチップ部品３１のそれぞれは、ギャップｇ１（またはｇ２）によって互いに分離され、底面の一部が非粘着領域１３の上に位置するようにして、粘着層１２の上に粘着されている、 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープに貼着固定される被加工物の向きや位置がターゲットパターン登録時とずれていた場合にもターゲットパターンをいち早く検出することを可能とする切削装置を提供することを目的とする。
【解決手段】チャックテーブル１９は、鉛直方向を回転軸として回転する回転角度がコントローラにより制御され、カセット載置部９と仮置きテーブル１２との間には撮像ユニット３０（撮像手段）が配設され、撮像ユニット３０は被加工物上面を撮像して得られた画像情報から仮置きテーブル１２上での被加工物の分割予定ラインの角度を割り出し、撮像ユニット３０によって割り出された分割予定ラインの角度がチャックテーブル１９の加工送り方向と平行又は直交方向になるよう、チャックテーブル１９が被加工物ユニットを保持後、所定の角度回転される。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を完全に貫通しないためダイを個片化しない不完全エッチングと、材料を除去し過ぎてダイを薄化し過ぎるオーバーエッチングとの両方が防止され得るようにする。
【解決手段】半導体基板の正面のスクライブ領域の上に、終了点材料を含む終了点層を形成し、半導体基板の背面の上にマスク層を形成する。半導体基板からダイが形成される場所を規定するトレンチ領域をマスク層に形成した後、マスク層および半導体基板を同時にエッチングし、マスク層を除去すると同時に半導体基板にトレンチ領域を形成する。その後、半導体基板の背面からエッチングし、半導体基板を薄化すると同時に半導体基板のトレンチ領域を深くし、終了点材料を検出してから所定の時間後にエッチング工程を停止する。これによって、半導体基板が複数のダイへ個片化される。 （もっと読む）