【課題】 半導体ウエハの裏面加工を行う際に、半導体ウエハ表面を保護するための表面保護シートとして用いられる粘着シートにおいて、バンプウエハ等の表面の高低差を吸収、緩和でき、高温環境下においては過度に軟化しない中間層を有する粘着シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る粘着シートは、基材フィルムと、中間層と、粘着剤層とがこの順に積層されてなり、
該中間層が融点（Ｔｍ）を有する熱溶融性樹脂を含み、
前記融点Ｔｍよりも６℃高い温度（Ｔｍ＋６）における中間層の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｔｍ＋６）と、前記融点Ｔｍよりも６℃低い温度（Ｔｍ−６）における中間層の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｔｍ−６）について、Ｇ’（Ｔｍ−６）／Ｇ’（Ｔｍ＋６）が２．０以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成として破損などのトラブルも生じにくく、安価に製造可能な新規なブレード着脱補助治具を提供する。
【解決手段】切削ブレードが装着される高速回転可能なスピンドルと、該切削ブレードを該スピンドルに固定するための強磁性を有するナットと、を備えた切削装置に用いるブレード着脱補助治具であって、該スピンドルの回転を規制した状態で、該ナットに形成された被係合部と係合して該ナットを回転させるためのナット係合部と、該ナットを磁力によって保持可能な磁石と、を有することを特徴とするブレード着脱補助治具とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程におけるブレードの磨耗量を低減させ、かつ作業性を向上させる半導体デバイス用ダイシング加工用粘着テープ、及びそれを用いた半導体デバイスチップの製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルム１０上に放射線硬化型粘着剤層２０を形成してなる半導体デバイスダイシング用粘着テープ１００であって、前記基材フィルム１０が２層以上の基材樹脂フィルム層からなり、前記粘着剤層側に隣接する基材樹脂フィルム層２の融点が１００〜１２０℃であり、該粘着剤層側の基材樹脂フィルム層と前記粘着剤層と逆側で隣接する基材樹脂フィルム層１の融点が１４０〜１５０℃である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を格子状にスクライブ及びブレイクによって分断する場合に、割断面の突起や割れを小さくすること。
【解決手段】半導体基板１０に対してスクライブ及びブレイクしてチップに分断する場合に、あらかじめスクライブ予定ラインの下方にＶ字形の溝１２を形成する。そしてスクライブ予定ラインに沿ってスクライブライン１４を形成し、ブレイク装置によって分断する。こうすれば半導体チップの裏面に突起や割れが生じにくく、垂直断面性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ファンに加工屑等の異物が付着する恐れを低減してファンの吸引力の低下を防止可能な加工装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルと、加工手段２４と、加工液供給手段と、加工室３１と、一端が該加工室３１に連通すると共に他端がファン４５に連通して該加工室３１内の雰囲気を排気する排気路４４とを備えた加工装置であって、該加工室３１から該排気路４４に流入した排気に含まれる廃液を気体から分離する分離手段４８を更に具備し、該分離手段４８は、一端に該加工室３１に連通する吸気口５４を有する底部５０ａと、上端部に該ファン４５に連通する気体排出口５６を有する立ち上がり部５０ｂと、該底部５０ａと該立ち上がり部５０ｂとを連結する屈曲部５０ｃとから構成される筒状本体５０と、該筒状本体５０の該底部５０ａに形成された廃液を排出する廃液排出口５８と、該廃液排出口５８に連通する廃液排出路６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラットドレスにおける作業の簡素化、生産性の向上を図る切削装置を提供すること。
【解決手段】チャックテーブル１０と、スピンドル２２ａに装着された切削ブレード２１ａを有する切削手段２０ａ，２０ｂと、スピンドル２２ａをＹ軸方向に移動させるＹ軸移動手段３０ａ，３０ｂと、スピンドル２２ａをＺ軸方向に移動させるＺ軸移動手段４０ａ，４０ｂとを備える切削装置１であって、チャックテーブル１０に隣接し、かつＹ軸移動手段３０ａ，３０ｂによる切削ブレード２１ａの移動経路上に配設されたドレス手段５０ａ，５０ｂをさらに備え、ドレス手段５０ａ，５０ｂは、研磨面がＺ軸方向のうち離間方向に向かって配設されるドレッサーボードと、ドレッサーボードを保持し、中心軸線を中心に回転可能な保持手段とを有し、保持手段により保持されているドレッサーボードの研磨面の高さＨ１は、チャックテーブル１０の表面の高さＨ２と同一または低い。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；をこの順で有する基材の仮固定方法。 （もっと読む）