【課題】２回のマスク工程によるライン線幅の臨界寸法の不均一性を改善させることができる半導体素子の微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】被エッチング層２０１上に第１エッチング阻止膜２０２を形成し、阻止膜上に第２エッチング阻止膜２０３を形成し、阻止膜上に第１犠牲膜を形成し、第１犠牲膜を選択的にエッチングして、第１犠牲パターンを形成し、第１犠牲パターンを含む阻止膜の上面に沿って第２犠牲膜２０９を形成し、第１犠牲パターンが露出するように、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングし、第１犠牲パターンを除去し、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングして、第２犠牲パターンを形成する。第２犠牲パターンをエッチングバリア層として、第１エッチング阻止膜をエッチングし、第２犠牲パターンと、第１エッチング阻止膜とをエッチングバリア層として、被エッチング層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、アーム支持軸を中心とする円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する。スキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃから微小間隔Ｌ１だけ隔てた近接位置Ｓ１１と、この近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向に設けられ、ウエハＷの回転中心Ｃから間隔Ｌ２だけ隔てた離隔位置Ｓ１２との間を結ぶ線分とみなせる。フッ硝酸の着液点Ｐ１は、近接位置Ｓ１１と、離隔位置Ｓ１２との間で往復移動する。フッ硝酸は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域には直接供給されない。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの位置精度を向上させるとともに、スルーホール周辺の機械強度を高めること。
【解決手段】スルーホールの形成方法では、シリコン基板１０１の第１の面においてスルーホールが形成される領域の周囲に、シリコン基板１０１よりも不純物濃度が高い第１の不純物領域１０２ａを形成し、シリコン基板１０１の深さ方向において第１の不純物領域１０２ａに隣接する位置に、第１の不純物領域１０２ａよりも不純物濃度が高い第２の不純物領域１０２ｂを形成する。そして、前記第１の面の上に、エッチングストップ層１０３を形成し、シリコン基板１０１の前記第１の面に対向する第２の面の上に、開口部を有するエッチングマスク層１０４を形成する。そして、前記開口部を通して、少なくともエッチングストップ層１０３が露出するまで、シリコン基板１０１をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング液から高い除去率でケイ素化合物を除去することができ、エッチング液を処分することなく再利用する。
【解決手段】取り出されたエッチング液を霧化する霧化手段１１と、霧化によって析出および／または凝集されるエッチング液中のケイ素化合物を、エッチング液から分離除去して再生エッチング液を得る分離手段１２を備えている。また、エッチング液の温度調整を行う温度調整手段２３を備えて、エッチング液が霧化手段１１によって霧化されたときのケイ素化合物の析出および／または凝集を制御して分離手段１２によるケイ素化合物のエッチング液からの分離除去が制御された残留濃度に調整し、ケイ素化合物濃度を任意に調整し得るようにしている。 （もっと読む）

【課題】複数の吐出口から処理液を吐出させて基板に対して所定の表面処理を行う際に、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】２つのノズル３Ａ，３Ｂが単一のノズルアーム３１に装着される。このノズルアーム３１が移動されてノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々にノズル３Ａ，３Ｂが同時に挿入される。各ノズル３Ａ，３Ｂには単一の吐出口３０１ａが開口しているのみであり、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの開口部５２１を小さくすることができる。これにより、間隙空間ＳＰに発生する気流の乱れが低減される。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂは互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、間隙空間ＳＰに発生する気流に与える影響を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】マスクの品質を向上させ欠陥を防止するとともに、マスクの生産性を向上させることができるマスクの製造方法およびマスク製造装置を提供する。
【解決手段】原子層堆積法を用い、基板Ｓ上にマスク材料の原子を堆積させて原子層堆積膜Ａを形成する第一工程と、基板Ｓ上の原子層堆積膜Ａを選択的に酸化または窒化する第二工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内面の断面形状が略楕円形に形成された処理液供給ノズルを、簡単かつ安価に製造することができる処理液供給ノズルの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱ステップでは、チューブ２０の端部２１が加熱され（図Ａ参照。）、チューブ２０の端部２１が軟化する。挿入ステップでは、軟化したチューブ２０の端部２１の内部に、整形用治具２２が挿入される（図Ｂ参照。）。整形用治具２２の挿入により、チューブ２０の端部２１が、整形用治具２２の挿入により、チューブ２０のうち整形部２７の両側の側辺側辺２７Ａ，２７Ｂと当接する部分は拡げられ、それ以外の部分がチューブ２０の弾性力により狭められる。冷却ステップでは、チューブ２０の端部２１にスプレー状の冷却剤が吹き付けられて（図Ｃ参照。）、チューブ２０の端部２１が急冷される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の裏面における貫通穴の開口を小さく形成すると共に、貫通穴を効率良く形成する。
【解決手段】開口部７を有するエッチングマスク層６をシリコン基板１の裏面に形成する工程と、シリコン基板１の裏面からエッチングマスク層６の開口部７にレーザ光を照射してシリコン基板１の内部に変質層８を形成する工程と、シリコン基板１の裏面からエッチングマスク層６の開口部７にレーザ光を照射してシリコン基板１の裏面からシリコン基板１の表面まで貫通しない複数の先導孔９を形成する工程と、先導孔９及び変質層８が形成されたシリコン基板１に異方性エッチングを施してシリコン基板１の表面まで貫通する貫通穴としてのインク供給口１１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１３の上方の上方空間ＵＳとカップ２の内部にスピンベース１３の周囲を取り囲むように形成された内部空間Ｓ１との間に気流制御ドラム６の下端が配置され、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流を制御することが可能となっている。基板Ｓを回転させて基板Ｓを乾燥させる際に、内部空間Ｓ１の圧力値（内圧値）とカップ２の外部空間Ｓ２の圧力値（外圧値）をモニタリングしながら気流制御ドラム６を昇降させることによって外圧値から内圧値を引いた差圧値が零または正の値となるように気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔が調整される。これにより、カップ２の内部雰囲気がカップ２の外部に漏れ出すのを防止することができる。 （もっと読む）