【課題】半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともプロセスガスとしてアンモニアガス、クリーニングガスとしてフッ素化合物、及びプロセスガス又はクリーニングガスのいずれかに珪素化合物を含有するガスを使用する薄膜形成装置（Ａ）から、該薄膜形成装置（Ａ）で発生する排ガス（Ｇ）を処理する燃焼式排ガス処理装置（Ｂ）に該排ガス（Ｇ）を移送するための排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法であって、珪フッ化アンモニウムが堆積する可能性のある排ガス処理系配管（Ｃ）部を加熱して、該配管内表面温度を１２０〜１６０℃に維持することを特徴とする、排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法。 （もっと読む）

【課題】被処理体を直接的に載置する熱分散板の耐久性を向上させて破損し難くし、接続端子が腐食されないようにすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた処理容器３２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を加熱する加熱手段７２が設けられた載置台本体７４と、載置台本体上に設けられると共に、その上面に被処理体を載置する熱分散板７６と、載置台本体内に設けられた電極７８と、載置台本体を支持するために処理容器の底部より起立された筒体状の支柱７０と、支柱内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電部材１１０（１１０Ａ〜１１０）と、支柱内に挿通されると共に上端部が電極に接続された電極給電部材１１２とを備えたことを特徴とする載置台構造である。 （もっと読む）

【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室１２と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室１４ａ，１４ｂと、前記複数の予備室に接続された排気装置５０と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁６１−６３と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段８９と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段８６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の成膜温度を低下させつつ、溝の凹部への埋め込み性を高める。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に成膜原料と、酸化原料と、触媒原料とを同時に供給する工程と、各原料の供給を停止して処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を１回もしくは複数回実施することで、基板上に酸化膜を堆積させる工程と、酸化膜堆積後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アニール処理において半導体基板の所望の温度分布が得られるアニール装置及びアニール方法を提供する。
【解決手段】アニール装置１は、ウエハ４の上方のウエハ４に対応する第１の領域２０１に配置された上部ランプ部２２と、第１の領域２０１の周辺に位置する第２の領域２０２に配置された第１及び第２の側部ランプ部２４、２６と、上部ランプ部２２と第１及び第２の側部ランプ部２４、２６を異なるタイミングで発光させるように制御する制御部８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、第１，第２の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ユニットを均一に加熱すると共に、ガスの供給、置換、排気等の動作の切替え時間の短縮が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２６に処理ガスを供給し、基板に所定の処理を行う基板処理装置に於いて、容器本体９と該容器本体を上方から閉塞する蓋体１１とからなる反応容器８と、基板を載置する基板載置部１６と、基板を加熱する発熱部２７と、前記反応容器の上方から処理ガスを供給するガス供給ユニット２とを具備し、前記蓋体の上面には凹部１７が形成され、該凹部に前記ガス供給ユニットを収納し、該ガス供給ユニットと前記蓋体とを一体化した。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】 Ｆｅ及びＲ，Ｏ（Ｒは、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙのうち少なくとも１つ以上である）を含む薄膜原料供給源と基板との間に、プラズマを発生させ、基板上にＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜を形成する気相成膜方法であって、前記プラズマが、５４３５ｃｐｓより少ないＯ活性種の発光強度を有し、Ｆｅ活性種の発光強度に対するＯ活性種の発光強度が、Ｏ活性種の発光強度／Ｆｅ活性種の発光強度＜２
である気相成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，ＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）