国際特許分類[H01L21/314]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431)
国際特許分類[H01L21/314]の下位に属する分類
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
窒化物からなるもの (1,092)
国際特許分類[H01L21/314]に分類される特許
1 - 10 / 287
液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
半導体装置及びその製造方法
【課題】所望の領域に容易に第1の膜を形成して半導体装置の不良を低減する。また、スループットが向上して、製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、半導体基板の第1及び第2の領域上に第1の膜を形成した後、第1の膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをマスクに用いた第1の膜のエッチングにより、第2の領域上の第1の膜を除去すると共に第2の領域上を覆うように被覆膜を形成する。半導体基板に熱処理を行うことにより、被覆膜を除去すると共にフォトレジストパターンに焼き締め処理を行う。この後、フォトレジストパターンを除去する。
(もっと読む)
半導体記憶装置及びその製造方法
【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法
【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。
(もっと読む)
成膜装置及びその運用方法
【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器8内で保持手段22に保持された複数の被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜70を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。
(もっと読む)
液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子
【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子を提供する。
【解決手段】弾性膜50、密着層56、第1電極60、圧電体層70、及び第2電極80を備えた圧電素子300を具備し、圧電体層70は、少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、チタンとバリウムのモル比(Ti/Ba)が1.17以上1.45以下である。
(もっと読む)
アモルファスカーボン薄膜作製方法
【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル6の流体層5内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層5内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。
(もっと読む)
化合物半導体装置及びその製造方法
【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体積層構造8と、基板1と化合物半導体積層構造8との間に形成された非晶質性絶縁膜2と、が設けられている。
(もっと読む)
シリコン酸化物含有膜の形成方法
【課題】SiO2膜形成の間にOH結合の形成を妨げるか制限する400℃またはそれ以下の温度で基板上にシリコン酸化物含有膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】a)PECVD反応チャンバ11内に基板を収納すること、b)少なくとも1つのシリコン含有化合物、ここで前記シリコン含有化合物はビス(ジエチルアミノ)シランである、を前記反応チャンバに注入すること、c)オゾン、酸素および/または湿気(水分)からなる群から選ばれる少なくとも1つの酸素含有ガスを前記反応チャンバに注入すること、d)前記基板上に堆積されるシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも1つのシリコン含有化合物と少なくとも1つの酸素含有ガスを400℃未満の温度で反応させること、e)所期の膜厚が得られるまで工程b)〜d)を繰返すこと。
(もっと読む)
1 - 10 / 287
[ Back to top ]