【課題】同調範囲が拡大された電気機械式マイクロ可変容量ダイオードおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】可動ビーム（５０）および固定電極（５１）をそれぞれ別々の基板上に製作し、その基板を互いに結合した３次元電気機械的マイクロ（ＭＥＭ）可変容量ダイオードについて説明する。くし型駆動電極を有した可動ビームを「チップ側」上に製作し、一方固定底部電極を別の基板「キャリア側」上に製作する。両方の基板の表面上にデバイスを組み立てた後、チップ側デバイスをダイスし、「反転させて」「キャリア」基板に位置合わせして接合し、それによって最終デバイスを形成する。くし型駆動（フィン）電極は、動作させるために使用され、一方電極の移動が、キャパシタンスの変化をもたらす。発生する駆動力が一定になるので、広いキャパシタンスの同調範囲を得ることができる。デバイスの３次元の側面によって、広い面積が利用できる。縦横比が大きい特性のとき、動作電圧は、より低い電圧を使用することができる。製造後、ＭＥＭデバイスが、完全にカプセル化され、デバイスの追加のパッケージングは、不要になる。さらに、ウェハ・スケール（ウェハ・スケールでＭＥＭパッケージング）で位置合わせしボンディングできるので、より低いコストで、高められたデバイスの歩留まりが得られる。
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【課題】補償されたカソード・コンタクトを有する超階段接合バラクタを含む半導体構造およびその製作方法を提供すること。
【解決手段】本方法は、サブコレクタ／カソード、コレクタ／ウェル、および超階段接合を形成する際に使用される単一の注入マスクを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置は、サーフェイスＭＥＭＳ素子を有する半導体装置であって、半導体基板１１と、この半導体基板１１の上方に空間３４を設けて配置され、下部電極１９と上部電極２１とこれら下部電極１９及び上部電極２１に挟まれた圧電体層２０とを有し、下部電極１９、上部電極２１及び圧電体層２０のうち少なくとも圧電体層２０の全面がほぼ平坦であるアクチュエータ２２ａ，２２ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 電圧変化に対する空乏層の変化幅を小さくし、使用電圧範囲での電圧−共振周波数の線形性を大きく向上させる可変容量ダイオードを提供する。
【解決手段】 半導体基板１に形成され、Ｐ型不純物拡散領域５とＰＮ接合を構成するＮ型不純物拡散領域６を有する可変容量ダイオードの電極３、４間に逆バイアス電圧ｖを印加した時の容量Ｃを逆バイアス電圧ｖの関数Ｃ（ｖ）で表し、その時の共振周波数ｆを逆バイアス電圧ｖの関数ｆ（ｖ）で表し、関数ｆ（ｖ）を比例式ｆ（ｖ）＝Ｋ′／√Ｃ（Ｋ′は定数）で表した場合において、関数ｆ（ｖ）のｖ＋０．０５とｖ−０．０５間の差分ｆ’（ｖ）（Ｋ／（１／√（Ｃ（ｖ＋０．０５））−１／√（Ｃ（ｖ−０．０５）））（Ｋは定数）が１＜ｖ＜３．５の範囲において以下の関係式（１）を満足するようにする。（１）式は、０．９５＜ｆ（ｖ）／ｆ（１）＜１．０５ で表される。 （もっと読む）

半導体デバイスは、逆直列形態で接続される第１及び第２のバラクタを備える。この接続は、第１の導電型のドーパントを有する第２の領域と第１の導電型のドーパントを有する第３の領域との間に第１の略導電領域が存在するように行われる。第２及び第３の領域は、当該領域内に均一に分布させられたドーパントを含む。第１の領域には、少なくとも１ｋΩのＡＣ抵抗を有する接点が設けられ又は接続されている。
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【課題】 より広い電圧範囲において高調波を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｐ⁻半導体層２は、基板１上に形成され、ｐ^＋半導体層３は、ｐ⁻半導体層２上に形成され、ｐ⁻半導体層４Ａ〜４Ｄは、ｐ^＋半導体層３上に形成され、ｎ^＋半導体層５Ａ〜５Ｄは、それぞれ、ｐ⁻半導体層４Ａ〜４Ｄ上に形成され、電極６Ａは、ｎ^＋半導体層５Ａ，５Ｄ上と、ｐ^＋半導体層３上の一部とに形成される。電極６Ｂ，６Ｃは、それぞれ、ｎ^＋半導体層５Ｂ，５Ｃ上に形成され、電極７は、ｐ^＋半導体層３上に形成される。第２の面内方向ＤＲ２において、ｐ⁻半導体層２は導電部２１〜２３を含み、ｐ^＋半導体層３は、導電部３１〜３３を含む。導電部２２，３２は、抵抗部を構成し、負の直流電圧は、電極７から導電部２３，３３、；２２，３２；導電部２１，３１を介してｐ⁻半導体層４Ｂ，４Ｃに印加される。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタを形成する半導体層のうち、ベース層とコレクタ層とで構成されるＰＮ接合及びバイポーラトランジスタを用いて同一半導体基板上に容量成分と直列に繋がる抵抗成分の小さい可変容量素子を備えた電圧制御発振回路を形成できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（ＢＰＴ）を形成する半導体層のうちベース層とコレクタ層とによって形成されるＰＮ接合を、単一のコレクタ層８に複数のベース層９を形成することによって複数個のＰＮ接合を形成すると共に、各ＰＮ接合を上記コレクタ層を共通として逆直列接続し、各ベース層間に発生する容量が共通のコレクタ層に印加する電圧に応じて変化するようにした可変容量素子３１を同一半導体基板６上に形成されたＢＰＴ１０と組み合わせて接続することにより電圧制御発振回路を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを変更せずに、容量を製造工程で任意に変えることができる可変容量ダイオード等を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。拡散領域１１の間の表面には、入れ子状に形成された櫛形のゲート酸化膜１２，１３を介して、制御電極１４，１５が形成されている。ゲート酸化膜１２の厚さは、論理回路３中のトランジスタのゲート酸化膜と同じ２．５ｎｍに形成され、ゲート酸化膜１３は、入力回路２中のトランジスタのゲート酸化膜と同じ５．０ｎｍに形成されている。２種類の膜厚の構成割合を変えたり、製造後に櫛の歯をレーザービームで切断することにより、回路パターンを変えずに可変容量ダイオードの容量を変更することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＰＮ接合型可変容量ダイオードに関し、水晶型発振回路に採用したときにその水晶型発振回路の発振周波数の直線性を改善する。
【解決手段】 半導体基板上の第１導電型の半導体領域の表面に形成された第２導電型の第１拡散領域と、第１拡散領域内に形成された、第１拡散領域よりも深い、第２導電型の複数の第２拡散領域とからなるＰＮ接合型可変容量ダイオードであって、第２拡散領域が、第１拡散領域を第１の部分と第２の部分とに分けたときの第１の部分には第１の配置パターンで配置されているとともに、第２の部分には第１の部分における第２拡散領域が占める面積割合とは異なる面積割合の第２の配置パターンで配置されている。 （もっと読む）

【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）