【課題】簡便な方法で、安全に高性能な色素増感太陽電池を組み立てることが可能な色素増感太陽電池作製用キットを提供する。また、該色素増感太陽電池作製用キットを用いてなる色素増感太陽電池の製造方法及び色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】樹脂基板、透明電極及び酸化亜鉛多孔質層がこの順で積層された光電極基板と、ステンレスからなる導電層を有する正電極基板と、ヨウ素を含有する電解液と、食用色素と、電解液封止部材とを有する色素増感太陽電池作製用キットであって、前記食用色素は、側鎖にアルキル基を有しないキサンテン系色素であることを特徴とする色素増感太陽電池作製用キット。 （もっと読む）

【課題】 光電変換層と電荷輸送層との間の短絡が抑止されて所期の光電変換効率が得られる色素増感太陽電池およびその製造方法の提供。
【解決手段】 色素増感太陽電池は、基板上に、第１電極層、半導体物質に増感色素が担持されてなる光電変換層、電荷輸送層および第２電極層が、この順に積層されてなり、前記光電変換層に、下記一般式（１）で表される化合物が含有されていることを特徴とする。ただし、下記一般式（１）において、Ｒは、末端に鎖長６原子以上の、置換基を有さない直鎖構造を有する１価の有機基であり、Ａはオキソ酸基であり、Ｍは金属原子であり、ｎは２〜５の整数である。
（もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】多孔質電極を焼成により形成する際に集電配線を構成する銀粒子が流動するのを有効に防止することができ、配線不良の発生を抑えることができる光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明基板１の透明導電層２上に設けられた多孔質電極５と対極８との間に電解質層１０が設けられた構造を有する光電変換素子を製造する場合に、透明導電層２上に銀粒子と低融点ガラスフリットとを含む導電性ペーストにより集電配線３を形成する。色素増感光電変換素子においては、多孔質電極５の表面に光増感色素を結合させる。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネリングを用いて、狭いエネルギーにおいて分布する電子を広エネルギー分布から抽出することができる光電池装置を提供する。また、平均電子エネルギーを維持するが、伝導バンド最小エネルギーを向上させる光電池装置を提供する。
【解決手段】価電子バンドと伝導バンドのエネルギー差がE_g1である第１半導体材料２４と、価電子バンドと伝導バンドのエネルギー差がE_g2である第２半導体材料２６とを備え、E_g1とE_g2との値が互いに異なる共鳴トンネリング装置である。本装置は、さらに、第１半導体材料２４と第２半導体材料２６とを接続するエネルギー選択的通過インターフェース２５を備えている。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率を向上させることが可能な太陽電池裏面シートを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】内部に太陽電池セル１２を封止した封止材１３の前面側に前面板１１が配置されてなる太陽電池モジュール１０の裏面側に配置される太陽電池裏面シート１４であって、前面側から少なくとも透光性絶縁層と、凹凸構造層と、光反射性金属層と、接着層と、耐候層とを順に積層して構成されており、凹凸構造層のプリズム形状の溝が一方向に延伸する方向に形成された領域Ｘと、領域Ｘのプリズム形状の溝と直交する方向にプリズム形状の溝が形成された領域Ｙからなり、領域Ｘと領域Ｙがそれぞれ複数個形成され、交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】割れにくい酸化チタン層を形成するために、多層の酸化チタン塗膜からなる酸化チタン層を形成する場合において、各塗膜間の密着性を高く（塗膜間での剥離を抑制し）、しかも、湿式太陽電池を製造した場合に光電変換効率を向上させることができる酸化チタン層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に酸化チタン塗膜を形成した後に、形成された酸化チタン塗膜の表面粗さ（Ｒａ）を０．２〜０．５μｍとなるように表面を粗す工程と、表面粗さが０．２〜０．５μｍとなるように表面を粗した酸化チタン塗膜上に、他の酸化チタン塗膜を形成する工程とを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】 高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にＶI族化されることを抑制し、且つＶI族欠陥の少ない高品質なIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜物質を形成する薄膜形成工程（Ｓ１２）と、IＢ族−IIIＡ族金属間化合物を含む薄膜を形成する予備熱処理工程（Ｓ１３）と、ＶI族物質を含む雰囲気中でIＢ族−IIIＡ族金属間化合物を含む薄膜を加熱し、ＣｕｘＡ（ＡはＳ、Ｓｅから選択される少なくとも一種、０．５≦ｘ≦１）相を備える中間体を形成する第一熱処理工程（Ｓ１４）と、ＶI族物質がない雰囲気下またはＶＩ族濃度が薄い雰囲気下で中間体を熱処理する第二熱処理工程（Ｓ１５）と、ＶI族物質を含む雰囲気中又はＶI族濃度が濃い雰囲気中で、IＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体を熱処理する第三熱処理工程（Ｓ１６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】インク材料等として、発光輝度の向上を可能にする材料を提供すること。
【解決手段】分子量２００以上の共役化合物がアスペクト比１．５以上の金属ナノ構造体に吸着されてなる金属複合体及びイオン性化合物を含む金属複合体組成物（ここで、イオン性化合物が共役化合物の場合、イオン性化合物である共役化合物の分子量は２００未満である。）；金属複合体組成物と、分子量２００以上の共役化合物とを含有する混合物等。イオン性化合物は、下記式（ｈｈ−１）で表される構造を有する化合物であってもよい。
【化１】


（式中、Ｍ^ｍ’＋は、金属カチオンを表す。Ｘ’^ｎ’−はアニオンを表す。ａ及びｂはそれぞれ独立に、１以上の整数を表す。Ｍ^ｍ’＋及びＸ’^ｎ’−の各々は複数存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】シリコンナノワイヤを含む太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１^＋＋型多結晶シリコン層を形成する第１^＋＋型多結晶シリコン層形成ステップと、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層上に金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップと、前記金属薄膜層を金属ナノ粒子に形成する金属ナノ粒子形成ステップと、前記金属ナノ粒子をシードにして前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から第１型シリコンナノワイヤを成長させる第１型シリコンナノワイヤ成長ステップと、を含む太陽電池の製造方法が提供される。 （もっと読む）