【課題】電子機器の筐体に多層基板を容易かつ安価に取り付けて、電磁バンドギャップ構造体を設ける。
【解決手段】多層基板１００は、多層基板１００の下面に形成された接地導体１と、配線導体５と、多層基板１００の下面の各位置であって配線導体５に対向する各位置に所定の間隔ｄ１で形成された複数のパッチ導体６とを備える。基板取り付け装置５０は、パッチ導体６と、各パッチ導体６を電子機器２００の筐体１０にそれぞれ電気的に接続する複数の導電性の足部３０を備える。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料や製造技術が不要で汎用部品で所望の高周波の周波数成分を吸収しかつ直流や低周波成分の電流容量が比較的大きい高周波吸収回路を得る。
【解決手段】信号導体(３)の一端が入力線路(１)の信号導体に接続され、他端が出力線路(２)の信号導体に接続された吸収対象周波数における約半波長の電気長を有する第１伝送線路(５)と、一端が前記第１伝送線路の信号導体の一端または一端近傍に、他端が前記第１伝送線路の信号導体の他端または他端近傍にそれぞれ接続された第１抵抗素子(６)と、信号導体の一端が開放端(８ａ，８ｂ)、他端が入力端(９)となる第１先端開放線路(７)と、一端が前記第１伝送線路の信号導体に接続され、他端が前記第１先端開放線路の入力端へ接続された第２抵抗素子(１０)と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】非常に小型で高周波特性に優れたアッテネータを提供すること。
【解決手段】実施形態のアッテネータは、グランド層と信号層を備えた誘電体基板と、前記信号層に形成された入力用伝送線路と、前記信号層に形成された出力用伝送線路と、前記入力用伝送線路と前記出力用伝送線路との間に接続された抵抗領域と、この抵抗領域に隣接し、かつ前記伝送線路の内側領域に形成され、前記グランド層に接続されたビアホールと、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な高周波特性を確保しつつ、よりコンパクトな減衰器を提供する。
【解決手段】減衰器１は、絶縁基板１０上に、減衰抵抗部分５１および抵抗部分５２，５３を含む抵抗膜パターン５０と、入力電極２０、出力電極３０および接地電極４０Ａ，４０Ｂとが順に積層されたものである。接地電極４０Ａ，４０Ｂは、入力電極２０および出力電極３０を挟んで対向配置されている。減衰抵抗部分５１は、入力電極２０と出力電極３０とを接続するものであり、その平面形状が屈折部分を含むものである。抵抗部分５２，５３は、入力電極２０および出力電極３０と、一対の接地電極４０Ａ，４０Ｂとをそれぞれ接続する。減衰抵抗部分５１がその平面形状に起因したインダクタンス成分を有することにより、全体の寸法の増大を招くことなく、減衰特性の高周波特性が改善される。 （もっと読む）

【課題】高周波においても、V．S．W．Rの劣化がなく、入手性の良い負温度係数温度可変抵抗器を用いて所望の特性が容易に得られるようにする。
【解決手段】伝送線路１に直列に、略λ／４の長さの線路からなる２つの第１遅延回路１４が接続され、これら第１遅延回路１４の両端に、略λ／４の長さの線路からなる第２遅延回路１５が接続され、この第２遅延回路１５と接地との間に、負温度係数のサーミスタ１６及び固定抵抗器５からなる温度可変抵抗体１７が接続される。即ち、第１遅延回路１４と１対の第２遅延回路１５と１対の温度可変抵抗体１７にて構成したπ型回路が２組配置され、また４個の同一の負温度係数のサーミスタ１６が使用される。これによれば、サーミスタ１６により生じるリアクタンス成分がπ型回路によって相殺され、V.S.W.Rが良好な値に維持される。 （もっと読む）

【課題】可変減衰器及び高周波スイッチの機能を単独回路で構成した高周波回路を得る。
【解決手段】一対の入出力端子１ａ，１ｂ間に２つ以上の伝送線路２ａ，２ｂが直列に接続され、前記入出力端子１ａ，１ｂと前記伝送線路２ａ，２ｂの接続点にそれぞれ設けられた、一端が該接続点に接続され他端が抵抗４ａ，４ｂを介して接地された少なくとも１つのスイッチング素子を含む第１のスイッチング素子部３ａ，３ｃと、前記伝送線路２ａ，２ｂ間の接続点にそれぞれ設けられた、一端が該接続点に接続され他端が接地または高周波信号接地部が設けられた少なくとも１つのスイッチング素子を含む第２のスイッチング素子部３ｂと、各前記第１のスイッチング素子部３ａ，３ｃの電流、電圧制御を行う第１の制御回路８ａ，７ａ，７ｃ，５ｅと、各前記第２のスイッチング素子部３ｂの電流、電圧制御を行う第２の制御回路８ｂ，７ｂ，５ｆと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】減衰量の周波数依存性を改善することができる減衰器を提供すること。
【解決手段】減衰器１０は、ＦＥＴ１１〜１３、インダクタ１４及び１５、抵抗１６、入力端子１７、出力端子１８を備え、入力端子１７には、ＦＥＴ１１のドレイン電極と、ＦＥＴ１２のドレイン電極と、インダクタ１４の一方端とが接続され、出力端子１８には、ＦＥＴ１１のソース電極と、ＦＥＴ１３のドレイン電極と、インダクタ１５の一方端とが接続され、ＦＥＴ１１のドレイン電極とソース電極との間にインダクタ１４と、抵抗１６と、インダクタ１５とが直列に接続された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】ディジタル回路を始めとするスイッチングモード回路のシグナルインテグリティを向上しＥＭＣ問題を解決する。
【解決手段】インピーダンス整合損失線路構造は、接着剤シートまたはプリプレグから成る絶縁体層１４を使用し、ＰＶＤによって導体箔の一面に形成される軟磁性体薄膜から成る導体層１１、１７および軟磁性体層１２、１６と、軟磁性体層１２および軟磁性体層１６の面上に形成される半導体層１３および１５を、絶縁体層１４の両面に半導体層１２および１５を接して配置して加熱圧縮して形成され、信号伝送回路に使用される。低インピーダンス損失線路構造は、エッチド化成箔から成る絶縁体層１４と、ＰＶＤによって導体箔の一面に形成される軟磁性体薄膜から成る導体層１１、１７および軟磁性体層１２、１６と、導電性ポリマーと接着用のカーボンペーストとから成る半導体層１３、１５によって形成され、電源分配回路に使用される。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数領域においてノイズ吸収能力が優れ、かつ、従来の分布定数型ノイズフィルタに比べて電荷供給能力の優れた分布定数型ノイズフィルタを提供すること。
【解決手段】 ＤＣ電源に接続される第１の電極部４０と電子部品に接続される第２の電極部４１とを端部に有する金属板６と、金属板６の一部と誘電体７を挟んで対向配置され、固定電位に接続される金属膜９とを備え、金属板６と金属膜９が対向配置された領域に形成された、伝送線路構造を有する分布定数回路形成部２を備え、第１の電極部４０から入力された電気信号が前記伝送線路構造を通過して第２の電極部４１に出力するように構成され、第１の電極部４０は前記伝送線路構造に互いに対向する方向から電気信号が入力するように配置された２つの部分電極１１、１２からなり、第２の電極部４１も２つの部分電極１３、１４からなっている。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波帯・ミリ波帯においてオクターブを超える良好な反射特性を持ち、かつ、減衰量の周波数特性が平坦な小型の高周波減衰器を得る。
【解決手段】 誘電体基板の表面に構成された一定幅を有する導体パターンにおいて、導体パターンの一辺側が一方向に傾斜して始まり他辺側で交わる位置までの導体パターンの線路領域を終端部とする入力線路と、導体パターンの一辺側が一方向に傾斜して始まり他辺側で交わる位置までの導体パターンの線路領域を開始端部とする出力線路と、前記入力線路の終端部及び前記出力線路の開始端部と接触して前記誘電体基板の表面に薄膜パターンで構成され、前記入力線路の終端部の傾斜部分を一方の長辺とし、前記出力線路の開始端部の傾斜部分を他方の長辺として、高周波信号を減衰させる矩形の抵抗体とを備える。 （もっと読む）