【課題】光出力の低下を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１に光導波路２がバットジョイント接合されている。半導体レーザ１は、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５と、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５の側面を覆う埋め込み層１７とを有するメサ構造である。光導波路２は、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５とは異なる層構造からなるＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸光導波路層９と、ＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸光導波路層９の側面を覆う埋め込み層１７とを有するメサ構造である。光導波路２のメサ幅Ｗ２は、半導体レーザ１のメサ幅Ｗ１より狭い。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体光変調素子部４のコア層４０４と一体に形成されており、半導体レーザ素子部２の活性層２０４にバットジョイント接合されている。このため、その接合部における反射光が半導体レーザ素子部２に戻ることに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体レーザ素子部２の活性層２０４と一体に形成されており、半導体光変調素子部４のコア層４０４がバットジョイント接合されている。このため、その接合部の異常成長部Ｐ１に電流が流入することに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置及びその製造方法に関し、アクティブ素子部分の特性の向上とスポットサイズ変換器による結合効率の向上を両立させる。
【解決手段】少なくとも第２の積層構造からなるスポットサイズ変換器部６の両側に第２の積層構造と同じ積層構造の上に少なくとも第２上部クラッド層５を積層したテラス構造８を設け、スポットサイズ変換器とモノリシックに結合する導波路メサ部７の両側面のみを埋め込むとともに、スポットサイズ変換器部の両側面及び頂部を埋め込む埋込層９を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１上に、分離溝１３で互いに分離された光半導体素子１４，１５を形成する。光半導体素子１４，１５の上面に、Ｐｔを含む電極２１，２２をそれぞれ形成する。電極２１，２２に電気的に接続された電極２４を形成する。電極２４を給電層とした電解メッキ法により電極２１，２２上にＡｕメッキ層２６，２７をそれぞれ形成する。Ａｕメッキ層２６，２７を覆うレジスト２３をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト２３をマスクとして電極２４をエッチングして電極２１と電極２２を電気的に分離する。電極２４を形成する際に、分離溝１３内に電極２４が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）