剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウェハと支持基板の剥離処理は、上述のようにウェハと支持基板を剥離した後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して終了する。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、かかるウェハと支持基板の洗浄を別個の装置で行う必要があるが、かかる一連の剥離処理を効率よく行うことは全く考慮されていなかった。このため、剥離処理全体のスループットに改善の余地があった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明の剥離システムによれば、剥離装置において重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、第１の洗浄装置において、剥離された被処理基板を洗浄すると共に、第２の洗浄装置において、剥離された支持基板を洗浄することができる。このように本発明によれば、一の剥離システム内で、被処理基板と支持基板の剥離から被処理基板の洗浄と支持基板の洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置と第２の洗浄装置において、被処理基板の洗浄と支持基板の洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置において被処理基板と支持基板を剥離する間に、第１の洗浄装置と第２の洗浄装置において別の被処理基板と支持基板を処理することもできる。したがって、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００１０】
また、剥離装置で剥離された被処理基板を第１の洗浄装置に搬送する際、前記第２の搬送装置が用いられる。すなわち、支持板によって被処理基板を剥離装置から搬出した後、支持板と保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、被処理基板を第１の洗浄装置に搬送する。そして、第１の洗浄装置において、支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と支持板を洗浄することができる。このように第２の搬送装置で被処理基板を洗浄できるので、その後の第１の洗浄装置における被処理基板の洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、支持板も洗浄できるので、次の被処理基板を適切に搬送することができる。
【００１１】
前記第２の搬送装置は、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記支持板を移動させる第１の移動機構と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記保持部材を移動させる第２の移動機構と、を有していてもよい。
【００１２】
前記保持部材は、ベルヌーイチャックであってもよい。
【００１３】
前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有していてもよい。
【００１４】
別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、前記剥離方法は、前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、前記搬送工程は、前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄することを特徴としている。
【００１５】
前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、前記剥離方法は、前記第１の洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有していてもよい。
【００１６】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１７】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１８】
参考例としての剥離システムは、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板を非接触状態で保持する保持板と、前記保持板の外周に設けられ、前記保持板に保持された被処理基板のガイドと、前記保持板に保持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有することを特徴としている。
【００１９】
前記参考例の剥離システムにおいて、前記ガイドは前記保持板に対して接離自在であってもよい。また、前記保持板から所定温度に温度調整された気体を噴出させてもよい。また、前記保持板からイオンが含まれた気体を噴出させてもよい。また、前記保持板から不活性気体を噴出させてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図８】支持板の構成の概略を示す平面図である。
【図９】支持板の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】ベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。
【図１１】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１２】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１３】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１４】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１５】支持板を第１の保持部の下方に配置した様子を示す説明図である。
【図１６】第１の保持部から支持板に被処理ウェハが受け渡された様子を示す説明図である。
【図１７】ベルヌーイチャックを支持板の上方に配置した様子を示す説明図である。
【図１８】支持板とベルヌーイチャックで被処理ウェハを支持する様子を示す説明図である。
【図１９】支持板とベルヌーイチャックで支持された被処理ウェハの表裏面を反転させた様子を示す説明図である。
【図２０】支持板とベルヌーイチャックで支持された被処理ウェハをポーラスチャックの上方に配置した様子を示す説明図である。
【図２１】支持板とベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハが受け渡された様子を示す説明図である。
【図２２】被処理ウェハと支持板を洗浄する様子を示す説明図である。
【図２３】他の実施の形態にかかる第２の搬送装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２４】第２の搬送装置における保持板とガイドを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００２３】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００２４】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。また、インターフェイスステーション５は、搬入出ステーション２、剥離処理ステーション３及びウェハ搬送領域６のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。
【００２６】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００２７】
ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００２８】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００２９】
インターフェイスステーション５には、Ｘ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な第３の搬送装置４１が設けられている。第３の搬送装置４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３と後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００３０】
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００３１】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００３２】
処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を吸引する吸気口１０１が形成されている。吸気口１０１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置１０２に連通する吸気管１０３が接続されている。
【００３３】
処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００３４】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体１２１が設けられている。多孔質体１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００３５】
また、本体部１２０の内部であって多孔質体１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えば多孔質体１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２と多孔質体１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００３６】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００３７】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００３８】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００３９】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００４０】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００４１】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００４２】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００４３】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００４４】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００４５】
処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有している。多孔質体１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００４６】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００４７】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００４８】
図５に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００４９】
アーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
【００５０】
洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００５１】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
【００５２】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
【００５４】
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図７に示すように被処理ウェハＷの接合面ＷＪを支持する支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを保持する保持部材としてのベルヌーイチャック２３１とを有している。
【００５５】
支持板２３０の表面は、図８に示すように洗浄液、例えば有機溶剤を供給するための複数の供給口２４０が水平面内で均一に形成されている。複数の供給口２４０には、図９に示すように支持板２３０の内部に設けられ、複数の供給口２４０に洗浄液を供給する供給管２４１が接続されている。供給管２４１は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２４２に接続されている。かかる構成により、複数の供給口２４０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給されるようになっている。
【００５６】
支持板２３０は、図７に示すように支持アーム２４３に支持されている。支持アーム２４３は、第１の駆動部２４４に支持されている。この第１の駆動部２４４により、支持アーム２４３は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２４４の下方には、第２の駆動部２４５が設けられている。この第２の駆動部２４５により、第１の駆動部２４４は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００５７】
第２の駆動部２４５は、レール２４６に取り付けられている。レール２４６は、図１に示すように剥離装置３０と第１の洗浄装置３１のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に設けられ、当該剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間をＹ方向（図１中の左右方向）に延伸している。そして、第２の駆動部２４５はレール２４６上を移動可能になっており、支持板２３０は搬送装置３０と第１の洗浄装置３１との間を移動可能になっている。なお、支持アーム２４３、第１の駆動部２４４、第２の駆動部２４５及びレール２４６が、本発明における第１の移動機構を構成している。
【００５８】
ベルヌーイチャック２３１は、図１０に示すように被処理ウェハＷよりも大きい径を有し、大きい径の略３／４円環状に構成されている。そして、ベルヌーイチャック２３１は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷの外周部を浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。また、ベルヌーイチャック２３１は、第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０よりも大きい径を有しており、後述するように支持板２３０とベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際に、ベルヌーイチャック２３１とポーラスチャック１９０が干渉しないようになっている。
【００５９】
ベルヌーイチャック２３１は、図７に示すように支持アーム２５０に支持されている。支持アーム２５０は、第１の駆動部２５１に支持されている。この第１の駆動部２５１により、支持アーム２５０は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２５１の下方には、第２の駆動部２５２が設けられている。この第２の駆動部２５２により、第１の駆動部２５１は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００６０】
第２の駆動部２５２は、レール２５３に取り付けられている。レール２５３は、図１に示すように剥離装置３０と第１の洗浄装置３１のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）に設けられ、当該剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間をＹ方向（図１中の左右方向）に延伸している。そして、第２の駆動部２５２はレール２５３上を移動可能になっており、ベルヌーイチャック２３１は搬送装置３０と第１の洗浄装置３１との間を移動可能になっている。なお、支持アーム２５０、第１の駆動部２５１、第２の駆動部２５２及びレール２５３が、本発明における第２の移動機構を構成している。
【００６１】
なお、以上の第２の搬送装置３２において、支持アーム２４３、２５０及び第１の駆動部２４４、２５１が、本発明における反転機構を構成している。
【００６２】
なお、第３の搬送装置４１は、上述した第２の搬送装置３２におけるベルヌーイチャック２３１、支持アーム２５０、第１の駆動部２５１及び第２の駆動部２５２と同様の構成を有しているので説明を省略する。そして、第３の搬送装置４１の第２の駆動部２５２は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、第３の搬送装置４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
【００６３】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００６４】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１１は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００６５】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００６６】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１２に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００６７】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００６８】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１３に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図１４に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図１１の工程Ａ１）。
【００６９】
このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成された電子回路（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハＳが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて設定される。
【００７０】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
【００７１】
先ず、支持板２３０を剥離装置３０内に移動させ、図１５に示すように支持板２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、支持板２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０から支持板２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、図１６に示すように支持板２３０を下降させ、当該支持板２３０を剥離装置３０の外部に移動させる。
【００７２】
その後、図１７に示すように支持板２３０の上方に、ベルヌーイチャック２３１を移動させる。続いて、図１８に示すようにベルヌーイチャック２３１を下降させて、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で被処理ウェハＷを挟み込んで支持する。このとき、ベルヌーイチャック２３１により被処理ウェハＷが吸着保持される。
【００７３】
次に図１９に示すように、支持アーム２４３、２５０を回動させて、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転させる。すなわち、支持板２３０をベルヌーイチャック２３１の上方に配置する。
【００７４】
その後、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１内に移動させ、図２０に示すように被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０の上方に配置する。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、被処理ウェハＷを下降させ、図２１に示すように支持板２３０とベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。その後、ベルヌーイチャック２３１をさらに下降させ、第１の洗浄装置３１の外部に
移動させる。
【００７５】
その後、図２２に示すように支持板２３０を若干程度上昇させ、当該支持板２３０の供給口２４０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給される。こうして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが仮洗浄されると共に、支持板２３０自体も洗浄させる。
【００７６】
被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１１の工程Ａ２）。
【００７７】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００７８】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、この第３の搬送装置４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１１の工程Ａ３）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【００７９】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ４）。
【００８０】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ２〜Ａ４が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図１１の工程Ａ５）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
【００８１】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ６）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００８２】
以上の実施の形態によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３２において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００８３】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【００８４】
また、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１に搬送する際、上記第２の搬送装置３２が用いられる。すなわち、支持板２３０によって被処理ウェハＷを剥離装置３０から搬出した後、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で被処理ウェハＷを挟んで支持し、当該被処理ウェハＷの表裏面を反転させ、被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１に搬送する。そして、第１の洗浄装置３１において、支持板２３０の供給口２４０から洗浄液を供給し、被処理ウェハＷの接合面ＷＪと支持板２３０自体を洗浄することができる。このように第２の搬送装置３２で被処理ウェハＷを洗浄できるので、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、支持板２３０も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。
【００８５】
また、第２の搬送装置３２は被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３１を有しているので、被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。さらにベルヌーイチャック２３１がポーラスチャック１９０よりも大きい径を有しているので、ベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３１がポーラスチャック１９０と干渉するのを回避できる。
【００８６】
以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
【００８７】
以上の剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
【００８８】
また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１１１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１１１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよく、第２の保持部１１１の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。
【００８９】
なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【００９０】
以上の実施の形態では、第３の搬送装置４１はベルヌーイチャック２３１を有していたが、このベルヌーイチャック２３１に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。
【００９１】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【００９２】
また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【００９３】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【００９４】
次に、第２の搬送装置３２の他の実施の形態について説明する。既述と同じ部分については、説明を省略する。本実施の形態における第２の搬送装置３２を、図２３に示す。図２３は、剥離システム１において、剥離装置３０、第１の洗浄装置３１、及び第２の搬送装置３２の部分を抜き出した平面図である。
【００９５】
第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷを保持する保持部３５０を有している。保持部３５０は、支持部材３５１を介して、多関節状に構成された複数、例えば２つのアーム部３５２に支持されている。さらにアーム部３５２は、駆動部３５３に支持されている。この駆動部３５３により、２つのアーム部３５２は、水平方向に伸縮自在、且つ鉛直軸周りに旋回自在に構成されている。また駆動部３５３により、アーム部３５２は鉛直方向に昇降できる。かかる構成により、保持部３５０は、水平面内で移動可能であり、また昇降も可能となっている。
【００９６】
保持部３５０の平面図を図２４に示す。保持部３５０は、ベルヌーイチャックよりなる保持板３６０を有している。そして、保持板３６０は、被処理ウェハＷの下方から被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できる。また、保持板３６０の外周には、被処理ウェハＷの周縁をガイドするためのガイド３６１が複数、例えば４つ設けられている。ガイド３６１により、保持板３６０に対して被処理ウェハＷの位置がずれることを防止できる。また、保持板３６０は、水平な中心軸周り（支持部材３５１の中心軸周り）に回動可能であり、当該保持板３６０の上下面を反転できる構成となっている。つまり、保持板３６０は、被処理ウェハＷの下方から保持板３６０の上面で被処理ウェハＷを保持した状態から反転して、保持板３６０の下面に被処理ウェハＷを保持した状態に姿勢変換できる。なお、本実施の形態では、支持部材３５１、アーム部３５２及び駆動部３５３が、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転機構を構成している。
【００９７】
次に、本実施の形態における第２の搬送装置３２の動作について説明する。先ず、保持板３６０を剥離装置３０内に移動させ、第１の保持部１１０から保持板３６０に被処理ウェハＷが受け渡される。被処理ウェハＷは、保持板３６０から浮上した状態で、且つガイド３６１により水平方向にずれないようにして保持される。その後、保持板３６０を剥離装置３０の外部に移動させる。
【００９８】
その後、保持板３６０の上下面を反転させ、保持板３６０の下面に被処理ウェハＷを保持した状態に姿勢変換する。
【００９９】
その後、保持板３６０を第１の洗浄装置３１内に移動させ、被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０に受け渡す。本実施の形態の構成によれば、第２の搬送装置３２をさらに単純化することが可能であり、装置の信頼性が向上する。また、保持板３６０はベルヌーイチャックなので、被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できる。このため、被処理ウェハＷにおける保持板３６０側の面が汚れている場合でも、その汚れが保持板３６０に移ることはない。また、被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できるので、被処理ウェハＷに製品（電子回路等のデバイス）が形成されていても、その製品が破損することはない。
【０１００】
以上の実施の形態において、ガイド３６１を保持板３６０に対して接離自在な構成としてもよい。この場合、保持板３６０が被処理ウェハＷを受け取る際には、ガイド３６１が保持板３６０に対して離れた状態で被処理ウェハＷを受け取り、その後ガイド３６１を保持板３６０に対して近づける。あるいは、このときガイド３６１により被処理ウェハＷの周縁を保持してもよい。そして、被処理ウェハＷが水平方向にずれない状態になった後、保持板３６０の移動を開始する。なお、保持板３６０が他の部分に被処理ウェハＷを受け渡す際には、この動作と逆の順序でガイド３６１を動作させればよい。このような構成とすることにより、さらに装置の信頼性が向上する。また、被処理ウェハＷを保持した状態で、保持板３６０をさらに速い速度で移動させることが可能となる。
【０１０１】
また、ベルヌーイチャックである保持板３６０から、所定温度に温度調整された気体を噴出させて、保持板３６０に保持された被処理ウェハＷの温度を積極的に調整してもよい。
【０１０２】
また、イオンが含まれた気体を保持板３６０から噴出させて、保持板３６０に保持された被処理ウェハＷの帯電を防止してもよい。
【０１０３】
また、不活性気体を保持板３６０から噴出させてもよく、かかる場合、例えば被処理ウェハＷに形成されたデバイスである銅の酸化を防止できる。
【０１０４】
さらに、上述した実施の形態を部分的に組合せて実施してもよいことはいうまでもない。
【０１０５】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１０６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１０７】
１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 剥離処理ステーション
４ 後処理ステーション
５ インターフェイスステーション
６ ウェハ搬送領域
２０ 第１の搬送装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
３２ 第２の搬送装置
３３ 第２の洗浄装置
４１ 第３の搬送装置
２３０ 支持板
２３１ ベルヌーイチャック
２４０ 供給口
２４３ 支持アーム
２４４ 第１の駆動部
２４５ 第２の駆動部
２４６ レール
２５０ 支持アーム
２５１ 第１の駆動部
２５２ 第２の駆動部
２５３ レール
３００ 制御部
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
ＳＪ 接合面
ＳＮ 非接合面
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ
ＷＪ 接合面
ＷＮ 非接合面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウェハと支持基板の剥離処理は、上述のようにウェハと支持基板を剥離した後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して終了する。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、かかるウェハと支持基板の洗浄を別個の装置で行う必要があるが、かかる一連の剥離処理を効率よく行うことは全く考慮されていなかった。このため、剥離処理全体のスループットに改善の余地があった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明の剥離システムによれば、剥離装置において重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、第１の洗浄装置において、剥離された被処理基板を洗浄すると共に、第２の洗浄装置において、剥離された支持基板を洗浄することができる。このように本発明によれば、一の剥離システム内で、被処理基板と支持基板の剥離から被処理基板の洗浄と支持基板の洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置と第２の洗浄装置において、被処理基板の洗浄と支持基板の洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置において被処理基板と支持基板を剥離する間に、第１の洗浄装置と第２の洗浄装置において別の被処理基板と支持基板を処理することもできる。したがって、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００１０】
また、剥離装置で剥離された被処理基板を第１の洗浄装置に搬送する際、前記第２の搬送装置が用いられる。すなわち、支持板によって被処理基板を剥離装置から搬出した後、支持板と保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、被処理基板を第１の洗浄装置に搬送する。そして、第１の洗浄装置において、支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と支持板を洗浄することができる。このように第２の搬送装置で被処理基板を洗浄できるので、その後の第１の洗浄装置における被処理基板の洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、支持板も洗浄できるので、次の被処理基板を適切に搬送することができる。
【００１１】
前記第２の搬送装置は、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記支持板を移動させる第１の移動機構と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記保持部材を移動させる第２の移動機構と、を有していてもよい。
【００１２】
前記保持部材は、ベルヌーイチャックであってもよい。
【００１３】
前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有していてもよい。
【００１４】
別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、前記剥離方法は、前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、前記搬送工程は、前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄することを特徴としている。
【００１５】
前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、前記剥離方法は、前記第１の洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有していてもよい。
【００１６】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１７】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１８】
参考例としての剥離システムは、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板を非接触状態で保持する保持板と、前記保持板の外周に設けられ、前記保持板に保持された被処理基板のガイドと、前記保持板に保持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有することを特徴としている。
【００１９】
前記参考例の剥離システムにおいて、前記ガイドは前記保持板に対して接離自在であってもよい。また、前記保持板から所定温度に温度調整された気体を噴出させてもよい。また、前記保持板からイオンが含まれた気体を噴出させてもよい。また、前記保持板から不活性気体を噴出させてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図８】支持板の構成の概略を示す平面図である。
【図９】支持板の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】ベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。
【図１１】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１２】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１３】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１４】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１５】支持板を第１の保持部の下方に配置した様子を示す説明図である。
【図１６】第１の保持部から支持板に被処理ウェハが受け渡された様子を示す説明図である。
【図１７】ベルヌーイチャックを支持板の上方に配置した様子を示す説明図である。
【図１８】支持板とベルヌーイチャックで被処理ウェハを支持する様子を示す説明図である。
【図１９】支持板とベルヌーイチャックで支持された被処理ウェハの表裏面を反転させた様子を示す説明図である。
【図２０】支持板とベルヌーイチャックで支持された被処理ウェハをポーラスチャックの上方に配置した様子を示す説明図である。
【図２１】支持板とベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハが受け渡された様子を示す説明図である。
【図２２】被処理ウェハと支持板を洗浄する様子を示す説明図である。
【図２３】他の実施の形態にかかる第２の搬送装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２４】第２の搬送装置における保持板とガイドを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００２３】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００２４】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。また、インターフェイスステーション５は、搬入出ステーション２、剥離処理ステーション３及びウェハ搬送領域６のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。
【００２６】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００２７】
ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００２８】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００２９】
インターフェイスステーション５には、Ｘ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な第３の搬送装置４１が設けられている。第３の搬送装置４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３と後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００３０】
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００３１】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００３２】
処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を吸引する吸気口１０１が形成されている。吸気口１０１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置１０２に連通する吸気管１０３が接続されている。
【００３３】
処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００３４】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体１２１が設けられている。多孔質体１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００３５】
また、本体部１２０の内部であって多孔質体１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えば多孔質体１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２と多孔質体１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００３６】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００３７】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００３８】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００３９】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００４０】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００４１】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００４２】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００４３】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００４４】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００４５】
処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有している。多孔質体１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００４６】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００４７】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００４８】
図５に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００４９】
アーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
【００５０】
洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００５１】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
【００５２】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
【００５４】
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図７に示すように被処理ウェハＷの接合面ＷＪを支持する支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを保持する保持部材としてのベルヌーイチャック２３１とを有している。
【００５５】
支持板２３０の表面は、図８に示すように洗浄液、例えば有機溶剤を供給するための複数の供給口２４０が水平面内で均一に形成されている。複数の供給口２４０には、図９に示すように支持板２３０の内部に設けられ、複数の供給口２４０に洗浄液を供給する供給管２４１が接続されている。供給管２４１は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２４２に接続されている。かかる構成により、複数の供給口２４０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給されるようになっている。
【００５６】
支持板２３０は、図７に示すように支持アーム２４３に支持されている。支持アーム２４３は、第１の駆動部２４４に支持されている。この第１の駆動部２４４により、支持アーム２４３は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２４４の下方には、第２の駆動部２４５が設けられている。この第２の駆動部２４５により、第１の駆動部２４４は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００５７】
第２の駆動部２４５は、レール２４６に取り付けられている。レール２４６は、図１に示すように剥離装置３０と第１の洗浄装置３１のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に設けられ、当該剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間をＹ方向（図１中の左右方向）に延伸している。そして、第２の駆動部２４５はレール２４６上を移動可能になっており、支持板２３０は搬送装置３０と第１の洗浄装置３１との間を移動可能になっている。なお、支持アーム２４３、第１の駆動部２４４、第２の駆動部２４５及びレール２４６が、本発明における第１の移動機構を構成している。
【００５８】
ベルヌーイチャック２３１は、図１０に示すように被処理ウェハＷよりも大きい径を有し、大きい径の略３／４円環状に構成されている。そして、ベルヌーイチャック２３１は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷの外周部を浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。また、ベルヌーイチャック２３１は、第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０よりも大きい径を有しており、後述するように支持板２３０とベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際に、ベルヌーイチャック２３１とポーラスチャック１９０が干渉しないようになっている。
【００５９】
ベルヌーイチャック２３１は、図７に示すように支持アーム２５０に支持されている。支持アーム２５０は、第１の駆動部２５１に支持されている。この第１の駆動部２５１により、支持アーム２５０は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２５１の下方には、第２の駆動部２５２が設けられている。この第２の駆動部２５２により、第１の駆動部２５１は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００６０】
第２の駆動部２５２は、レール２５３に取り付けられている。レール２５３は、図１に示すように剥離装置３０と第１の洗浄装置３１のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）に設けられ、当該剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間をＹ方向（図１中の左右方向）に延伸している。そして、第２の駆動部２５２はレール２５３上を移動可能になっており、ベルヌーイチャック２３１は搬送装置３０と第１の洗浄装置３１との間を移動可能になっている。なお、支持アーム２５０、第１の駆動部２５１、第２の駆動部２５２及びレール２５３が、本発明における第２の移動機構を構成している。
【００６１】
なお、以上の第２の搬送装置３２において、支持アーム２４３、２５０及び第１の駆動部２４４、２５１が、本発明における反転機構を構成している。
【００６２】
なお、第３の搬送装置４１は、上述した第２の搬送装置３２におけるベルヌーイチャック２３１、支持アーム２５０、第１の駆動部２５１及び第２の駆動部２５２と同様の構成を有しているので説明を省略する。そして、第３の搬送装置４１の第２の駆動部２５２は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、第３の搬送装置４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
【００６３】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００６４】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１１は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００６５】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００６６】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１２に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００６７】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００６８】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１３に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図１４に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図１１の工程Ａ１）。
【００６９】
このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成された電子回路（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハＳが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて設定される。
【００７０】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
【００７１】
先ず、支持板２３０を剥離装置３０内に移動させ、図１５に示すように支持板２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、支持板２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０から支持板２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、図１６に示すように支持板２３０を下降させ、当該支持板２３０を剥離装置３０の外部に移動させる。
【００７２】
その後、図１７に示すように支持板２３０の上方に、ベルヌーイチャック２３１を移動させる。続いて、図１８に示すようにベルヌーイチャック２３１を下降させて、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で被処理ウェハＷを挟み込んで支持する。このとき、ベルヌーイチャック２３１により被処理ウェハＷが吸着保持される。
【００７３】
次に図１９に示すように、支持アーム２４３、２５０を回動させて、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転させる。すなわち、支持板２３０をベルヌーイチャック２３１の上方に配置する。
【００７４】
その後、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１内に移動させ、図２０に示すように被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０の上方に配置する。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、被処理ウェハＷを下降させ、図２１に示すように支持板２３０とベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。その後、ベルヌーイチャック２３１をさらに下降させ、第１の洗浄装置３１の外部に
移動させる。
【００７５】
その後、図２２に示すように支持板２３０を若干程度上昇させ、当該支持板２３０の供給口２４０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給される。こうして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが仮洗浄されると共に、支持板２３０自体も洗浄させる。
【００７６】
被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１１の工程Ａ２）。
【００７７】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００７８】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、この第３の搬送装置４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１１の工程Ａ３）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【００７９】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ４）。
【００８０】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ２〜Ａ４が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図１１の工程Ａ５）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
【００８１】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ６）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００８２】
以上の実施の形態によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３２において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００８３】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【００８４】
また、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１に搬送する際、上記第２の搬送装置３２が用いられる。すなわち、支持板２３０によって被処理ウェハＷを剥離装置３０から搬出した後、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で被処理ウェハＷを挟んで支持し、当該被処理ウェハＷの表裏面を反転させ、被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１に搬送する。そして、第１の洗浄装置３１において、支持板２３０の供給口２４０から洗浄液を供給し、被処理ウェハＷの接合面ＷＪと支持板２３０自体を洗浄することができる。このように第２の搬送装置３２で被処理ウェハＷを洗浄できるので、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、支持板２３０も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。
【００８５】
また、第２の搬送装置３２は被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３１を有しているので、被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。さらにベルヌーイチャック２３１がポーラスチャック１９０よりも大きい径を有しているので、ベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３１がポーラスチャック１９０と干渉するのを回避できる。
【００８６】
以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
【００８７】
以上の剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
【００８８】
また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１１１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１１１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよく、第２の保持部１１１の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。
【００８９】
なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【００９０】
以上の実施の形態では、第３の搬送装置４１はベルヌーイチャック２３１を有していたが、このベルヌーイチャック２３１に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。
【００９１】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【００９２】
また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【００９３】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【００９４】
次に、第２の搬送装置３２の他の実施の形態について説明する。既述と同じ部分については、説明を省略する。本実施の形態における第２の搬送装置３２を、図２３に示す。図２３は、剥離システム１において、剥離装置３０、第１の洗浄装置３１、及び第２の搬送装置３２の部分を抜き出した平面図である。
【００９５】
第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷを保持する保持部３５０を有している。保持部３５０は、支持部材３５１を介して、多関節状に構成された複数、例えば２つのアーム部３５２に支持されている。さらにアーム部３５２は、駆動部３５３に支持されている。この駆動部３５３により、２つのアーム部３５２は、水平方向に伸縮自在、且つ鉛直軸周りに旋回自在に構成されている。また駆動部３５３により、アーム部３５２は鉛直方向に昇降できる。かかる構成により、保持部３５０は、水平面内で移動可能であり、また昇降も可能となっている。
【００９６】
保持部３５０の平面図を図２４に示す。保持部３５０は、ベルヌーイチャックよりなる保持板３６０を有している。そして、保持板３６０は、被処理ウェハＷの下方から被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できる。また、保持板３６０の外周には、被処理ウェハＷの周縁をガイドするためのガイド３６１が複数、例えば４つ設けられている。ガイド３６１により、保持板３６０に対して被処理ウェハＷの位置がずれることを防止できる。また、保持板３６０は、水平な中心軸周り（支持部材３５１の中心軸周り）に回動可能であり、当該保持板３６０の上下面を反転できる構成となっている。つまり、保持板３６０は、被処理ウェハＷの下方から保持板３６０の上面で被処理ウェハＷを保持した状態から反転して、保持板３６０の下面に被処理ウェハＷを保持した状態に姿勢変換できる。なお、本実施の形態では、支持部材３５１、アーム部３５２及び駆動部３５３が、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転機構を構成している。
【００９７】
次に、本実施の形態における第２の搬送装置３２の動作について説明する。先ず、保持板３６０を剥離装置３０内に移動させ、第１の保持部１１０から保持板３６０に被処理ウェハＷが受け渡される。被処理ウェハＷは、保持板３６０から浮上した状態で、且つガイド３６１により水平方向にずれないようにして保持される。その後、保持板３６０を剥離装置３０の外部に移動させる。
【００９８】
その後、保持板３６０の上下面を反転させ、保持板３６０の下面に被処理ウェハＷを保持した状態に姿勢変換する。
【００９９】
その後、保持板３６０を第１の洗浄装置３１内に移動させ、被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０に受け渡す。本実施の形態の構成によれば、第２の搬送装置３２をさらに単純化することが可能であり、装置の信頼性が向上する。また、保持板３６０はベルヌーイチャックなので、被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できる。このため、被処理ウェハＷにおける保持板３６０側の面が汚れている場合でも、その汚れが保持板３６０に移ることはない。また、被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できるので、被処理ウェハＷに製品（電子回路等のデバイス）が形成されていても、その製品が破損することはない。
【０１００】
以上の実施の形態において、ガイド３６１を保持板３６０に対して接離自在な構成としてもよい。この場合、保持板３６０が被処理ウェハＷを受け取る際には、ガイド３６１が保持板３６０に対して離れた状態で被処理ウェハＷを受け取り、その後ガイド３６１を保持板３６０に対して近づける。あるいは、このときガイド３６１により被処理ウェハＷの周縁を保持してもよい。そして、被処理ウェハＷが水平方向にずれない状態になった後、保持板３６０の移動を開始する。なお、保持板３６０が他の部分に被処理ウェハＷを受け渡す際には、この動作と逆の順序でガイド３６１を動作させればよい。このような構成とすることにより、さらに装置の信頼性が向上する。また、被処理ウェハＷを保持した状態で、保持板３６０をさらに速い速度で移動させることが可能となる。
【０１０１】
また、ベルヌーイチャックである保持板３６０から、所定温度に温度調整された気体を噴出させて、保持板３６０に保持された被処理ウェハＷの温度を積極的に調整してもよい。
【０１０２】
また、イオンが含まれた気体を保持板３６０から噴出させて、保持板３６０に保持された被処理ウェハＷの帯電を防止してもよい。
【０１０３】
また、不活性気体を保持板３６０から噴出させてもよく、かかる場合、例えば被処理ウェハＷに形成されたデバイスである銅の酸化を防止できる。
【０１０４】
さらに、上述した実施の形態を部分的に組合せて実施してもよいことはいうまでもない。
【０１０５】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１０６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１０７】
１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 剥離処理ステーション
４ 後処理ステーション
５ インターフェイスステーション
６ ウェハ搬送領域
２０ 第１の搬送装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
３２ 第２の搬送装置
３３ 第２の洗浄装置
４１ 第３の搬送装置
２３０ 支持板
２３１ ベルヌーイチャック
２４０ 供給口
２４３ 支持アーム
２４４ 第１の駆動部
２４５ 第２の駆動部
２４６ レール
２５０ 支持アーム
２５１ 第１の駆動部
２５２ 第２の駆動部
２５３ レール
３００ 制御部
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
ＳＪ 接合面
ＳＮ 非接合面
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ
ＷＪ 接合面
ＷＮ 非接合面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
前記剥離処理ステーションは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
前記第２の搬送装置は、
被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項２】
前記第２の搬送装置は、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記支持板を移動させる第１の移動機構と、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記保持部材を移動させる第２の移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１に記載の剥離システム。
【請求項３】
前記保持部材は、ベルヌーイチャックであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離システム。
【請求項４】
前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに剥離システム。
【請求項５】
剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離システムは、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
前記剥離処理ステーションは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
前記第２の搬送装置は、
被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、
前記剥離方法は、
前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、
前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、
前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、
前記搬送工程は、
前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、
その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、
その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄することを特徴とする、剥離方法。
【請求項６】
前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、
前記第１の洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有することを特徴とする、請求項５に記載の剥離方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
前記剥離処理ステーションは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
前記第２の搬送装置は、
被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項２】
前記第２の搬送装置は、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記支持板を移動させる第１の移動機構と、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記保持部材を移動させる第２の移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１に記載の剥離システム。
【請求項３】
前記保持部材は、ベルヌーイチャックであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離システム。
【請求項４】
前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに剥離システム。
【請求項５】
剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離システムは、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
前記剥離処理ステーションは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
前記第２の搬送装置は、
被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、
前記剥離方法は、
前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、
前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、
前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、
前記搬送工程は、
前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、
その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、
その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄することを特徴とする、剥離方法。
【請求項６】
前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、
前記第１の洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有することを特徴とする、請求項５に記載の剥離方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１２−６９９１５（Ｐ２０１２−６９９１５Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５５９９６（Ｐ２０１１−１５５９９６）
【出願日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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