基板、発光装置及び基板の製造方法
【課題】発光素子の発光効率の低下を抑制しつつも、配線の狭ピッチ化に対応することができる基板、発光装置及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１は、複数の外部接続用の電極１１と放熱板１２を有する第１リードフレーム１０と、発光素子搭載用の第１配線２１及び第２配線２２を有し、第１リードフレーム１０上に積層された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０との間に充填された樹脂層３０と、を有している。放熱板１２の上方に第１配線２１が配置され、電極１１と第２配線２２とが接合されている。
【解決手段】基板１は、複数の外部接続用の電極１１と放熱板１２を有する第１リードフレーム１０と、発光素子搭載用の第１配線２１及び第２配線２２を有し、第１リードフレーム１０上に積層された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０との間に充填された樹脂層３０と、を有している。放熱板１２の上方に第１配線２１が配置され、電極１１と第２配線２２とが接合されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、発光装置及び基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線層を形成し、その配線層上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、上記発光装置の用途は、照明装置や表示装置などに拡大している。このような用途では、複数の発光素子を高密度に実装することが望まれており、上記配線層の微細化（狭ピッチ化）が要求されている。しかし、発光素子の実装される配線層はサブトラクティブ法などにより形成されるため、その配線層の狭ピッチ化が困難である。さらに、上記発光装置では、発光ダイオードの通電に伴ってその発光ダイオードに発熱が生じ、それに伴う温度上昇によって発光ダイオードの発光効率が低下する。よって、発光ダイオードから生じた熱を上記配線層から効率良く放熱させるべく配線層が厚く形成される傾向にある。このような場合には、配線層の狭ピッチ化が益々困難になるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、放熱板と複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームと、発光素子搭載用の複数の配線を有し、前記第１リードフレーム上に積層された第２リードフレームと、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間に充填された樹脂層と、を有し、前記放熱板の上方に前記配線が配置され、前記電極と一部の前記配線とが接合されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、発光素子の発光効率の低下を抑制しつつも、配線の狭ピッチ化に対応することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、一実施形態の基板を示す概略断面図、（ｂ）は、第１リードフレームを示す概略平面図、（ｃ）は、第２リードフレームを示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ），（ｃ）のＡ−Ａ線位置における基板の断面構造を示している。
【図２】（ａ）は、一実施形態の発光装置を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｃ）は、ツェナーダイオード周辺の構造を示す概略断面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＢ−Ｂ線位置における基板の断面構造を示している。また、（ｂ）、（ｃ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図３】（ａ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）の一部を拡大した拡大平面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す単位リードフレームのＣ−Ｃ概略断面図。
【図４】（ａ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）の一部を拡大した拡大平面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す単位リードフレームのＤ−Ｄ概略断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略断面図、（ｃ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す説明図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図３（ｂ）のＣ−Ｃ線位置及び図４（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における基板の断面構造を示している。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図３（ｂ）のＣ−Ｃ線位置及び図４（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における基板の断面構造を示している。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す拡大平面図。
【図８】（ａ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）、（ｃ）は、一実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）は、図１（ｂ）、（ｃ）のＡ−Ａ線位置における基板の断面構造を示している。また、（ｂ）、（ｃ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の断面構造を示している。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、変形例の基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）は、変形例の基板を示す概略平面図、（ｂ）は、変形例の発光装置を示す概略平面図。
【図１４】発光装置の実装例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の樹脂層のハッチングを省略している。
【０００９】
以下、一実施形態を図１〜図８に従って説明する。
（基板の構造）
図１（ａ）に示すように、発光装置に適用される基板１は、第１リードフレーム１０と、その第１リードフレーム１０と接合された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０間に充填された樹脂層３０とを有している。
【００１０】
第１リードフレーム１０は、プリント配線板等の実装基板の配線に電気的に接続される外部接続用の一対の電極１１と、一対の電極１１の間に配設された放熱板１２とを有している。第１リードフレーム１０の材料としては、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金を用いることができる。この第１リードフレーム１０は、例えば金属板をエッチング加工又はプレス加工することにより得られる。
【００１１】
各電極１１は、ベース部１１Ａと、そのベース部１１Ａの上面に形成され、ベース部１１Ａの内側面よりも内側に突出して形成された接続部１１Ｂとを有している。ベース部１１Ａの下面全面には、金属層１３が形成されている。金属層１３の例としては、銀（Ａｇ）又はＡｇ合金からなるＡｇ層、ニッケル（Ｎｉ）又はＮｉ合金からなるＮｉ層、Ｎｉ層／金（Ａｕ）又はＡｕ合金からなるＡｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）又はＰｄ合金からなるＰｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層などを挙げることができる。また、金属層１３の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層なども挙げることができる。このような金属層１３が形成されたベース部１１Ａの下面は、樹脂層３０の下面から露出されている。また、ベース部１１Ａの下面は、樹脂層３０の下面と略面一になるように形成されている。具体的には、ベース部１１Ａの下面に形成された金属層１３の下面が樹脂層３０の下面と略面一になるように形成されている。そして、このようなベース部１１Ａの下面が、基板外部との接続部（例えば、プリント配線板等の実装基板に実装される面）となる。なお、電極１１には、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。
【００１２】
また、ベース部１１Ａの基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面から露出されている。このベース部１１Ａの基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面と略面一になるように形成されている。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、平面視略矩形状に形成された上記ベース部１１Ａの上面には、平面視略半楕円状に形成された接続部１１Ｂが設けられている。接続部１１Ｂは、ベース部１１Ａの上面から上方に突出して形成されている。接続部１１Ｂは、ベース部１１Ａと一体的に形成されており、ベース部１１Ａと電気的に接続されている。また、接続部１１Ｂは、その上面が第２リードフレーム２０の配線２２に当接しており、その配線２２と電気的に接続されている。この接続部１１Ｂの上面には、図１（ａ）に示すように、上記第２リードフレーム２０と接合するための溝部１１Ｘが形成されている。この溝部１１Ｘは、接続部１１Ｂの上面から該接続部１１Ｂの厚さの中途まで形成されている。なお、ベース部１１Ａと第２リードフレーム２０との間には、空間Ｓ１が形成されている。
【００１４】
ここで、各電極１１の厚さ（つまりベース部１１Ａの下面から接続部１１Ｂの上面までの高さ）は、例えば０．４〜０．８ｍｍ程度とすることができる。
一方、放熱板１２は、ベース部１２Ａと、そのベース部１２Ａの上面に形成され、ベース部１２Ａよりも幅の広い幅広部１２Ｂとを有している。ベース部１２Ａの下面全面には、上記ベース部１１Ａの下面と同様に、金属層１３が形成されている。このベース部１２Ａの厚さは、上記ベース部１１Ａと略同じ厚さに設定されている。その一方で、幅広部１２Ｂの厚さは、上記接続部１１Ｂの厚さよりも薄く設定されている。これにより、幅広部１２Ｂと第２リードフレーム２０との間には、空間Ｓ２が形成されている。
【００１５】
ここで、放熱板１２の厚さ（つまりベース部１２Ａの下面から幅広部１２Ｂの上面までの高さ）は、例えば０．３〜０．７ｍｍ程度とすることができ、空間Ｓ２の厚さは、例えば０．１〜０．２ｍｍ程度とすることができる。なお、図１（ｂ）に示すように、幅広部１２Ｂの平面形状は、ベース部１２Ａの平面形状よりも大きく形成されている。
【００１６】
このような放熱板１２は、ベース部１１Ａ，１２Ａ間に形成された開口部１０Ｘ、及び幅広部１２Ｂと接続部１１Ｂとの間に形成された開口部１０Ｙによって、電極１１と分離されている。換言すると、一対の電極１１及び放熱板１２は、開口部１０Ｘ，１０Ｙによって画定されている。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、第２リードフレーム２０は、発光素子４０（図２参照）が搭載される複数の第１配線２１（リード）、発光素子４０が搭載されると共に上記電極１１と電気的に接続された一対の第２配線２２（リード）と、第２配線２２よりも外側に形成された枠部２３とを有している。第２リードフレーム２０の材料としては、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金を用いることができる。この第２リードフレーム２０は、例えば金属板をエッチング加工又はプレス加工することにより得られる。
【００１８】
複数の第１配線２１は、発光素子４０搭載用の配線である。また、複数の第１配線２１は、放熱板１２の上方に設けられている。これら第１配線２１と放熱板１２との間には、上述したように空間Ｓ２が形成されている。このため、各第１配線２１と放熱板１２とは電気的に分離されている。
【００１９】
各第１配線２１の上面には、金属層２４が形成されている。金属層２４の例としては、銀（Ａｇ）又はＡｇ合金からなるＡｇ層、ニッケル（Ｎｉ）又はＮｉ合金からなるＮｉ層／金（Ａｕ）又はＡｕ合金からなるＡｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）又はＰｄ合金からなるＰｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層などを挙げることができる。また、金属層２４の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層なども挙げることができる。このような金属層２４が形成された第１配線２１の上面は、樹脂層３０の上面から露出されている。また、第１配線２１の上面は、樹脂層３０の上面と略面一になるように形成されている。そして、このような第１配線２１の上面が、発光素子４０（図２参照）の搭載部となり、上記金属層２４が発光素子４０との接続部となる。
【００２０】
図１（ｃ）に示すように、各第１配線２１の平面形状は、略帯状又は長方形状に形成されている。これら複数の第１配線２１は、第２リードフレーム２０の中央部において、平行に隣接して配置されている。これら複数の第１配線２１は、第２リードフレーム２０の開口部２０Ｘによって、互いに電気的に分離されている。
【００２１】
一対の第２配線２２は、発光素子４０搭載用の配線である。また、一対の第２配線２２は、第１配線２１を囲むように形成されている。具体的には、各第２配線２２は、平面視略半楕円状に形成された接続部２２Ａと、その接続部２２Ａの両端から第２リードフレーム２０の内側に向かって延在された延出部２２Ｂとを有し、平面視略コの字状に形成されている。これら一対の第２配線２２は、上記開口部２０Ｘによって、第１配線２１と電気的に分離されている。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、第２配線２２の上面は、樹脂層３０の上面から露出されている。また、第２配線２２の上面は、樹脂層３０の上面と略面一になるように形成されている。
【００２３】
上記接続部２２Ａの上面の一部には、金属層２４が形成されている。この金属層２４上には、複数の発光素子４０（図２参照）が実装される。すなわち、第２配線２２（接続部２２Ａ）の上面が発光素子４０の搭載部となり、上記金属層２４が発光素子４０との接続部となる。
【００２４】
また、接続部２２Ａには、上記電極１１と接合するための開口部２２Ｘが形成されている。この開口部２２Ｘは、第２リードフレーム２０の厚さ方向に貫通して形成され、電極１１の接続部１１Ｂに形成された溝部１１Ｘと連通するように形成されている。そして、これら開口部２２Ｘ及び溝部１１Ｘ内に接合部材３１が充填されている。この接合部材３１によって、第２配線２２が電極１１と接合されている。また、第２配線２２の接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接しており、第２配線２２と電極１１とが電気的に接続されている。このように第２配線２２（接続部２２Ａ）の下面が、電極１１との接続部となる。
【００２５】
図１（ｃ）に示すように、一対の第２配線２２に形成された延出部２２Ｂは、その先端部が他方の延出部２２Ｂの先端部と対向して配置されている。そして、この延出部２２Ｂの先端部の上面には、金属層２４が形成されている。この金属層２４上には、ツェナーダイオード２８（図２（ｂ）、（ｃ）参照）が搭載される。すなわち、延出部２２Ｂはツェナーダイオード２８接続用の配線（リード）であり、その延出部２２Ｂに形成された金属層２４はツェナーダイオード２８との接続部である。
【００２６】
図１（ｃ）に示すように、枠部２３は、第１配線２１及び第２配線２２を囲むように枠状に形成されている。枠部２３は、上記開口部２０Ｘによって、第１配線２１及び第２配線２２と電気的に分離されている。また、枠部２３と上記電極１１との間には、上述したように空間Ｓ１が形成されている。このため、枠部２３と電極１１とは電気的に分離されている。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、枠部２３の上面は、樹脂層３０の上面から露出されている。この枠部２３の上面は、樹脂層３０の上面と略面一になるように形成されている。また、枠部２３の基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面から露出されている。この枠部２３の基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面と略面一になるように形成されている。なお、この枠部２３は、基板１の製造過程において、第１配線２１及び第２配線２２を保持するために設けられている。
【００２８】
このように第２リードフレーム２０では、上記開口部２０Ｘによって、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３が互いに分離されている。換言すると、複数の第１配線２１、一対の第２配線２２及び枠部２３は、開口部２０Ｘによって画定されている。なお、これら第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３の厚さはそれぞれ、例えば０．１〜０．２５ｍｍ程度とすることができる。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、樹脂層３０は、電極１１と枠部２３との間の空間Ｓ１及び放熱板１２と第１配線２１との間の空間Ｓ２に充填されている。また、樹脂層３０は、第１リードフレーム１０に形成された開口部１０Ｘ，１０Ｙ、及び第２リードフレーム２０に形成された開口部２０Ｘに充填されている。すなわち、電極１１と放熱板１２との間に樹脂層３０が形成され、各第１配線２１間、第１配線２１と第２配線２２との間、及び第１配線２１及び第２配線２２と枠部２３との間に樹脂層３０が形成されている。この樹脂層３０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂やシリコーン樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、樹脂層３０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることもできる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン等のフィラーを混入した樹脂材やＴｉＯ２又はＢａＳＯ４などの白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。
【００３０】
（発光装置の構造）
図２（ａ）に示すように、発光装置２は、上記基板１と、その基板１に実装された複数の発光素子４０と、基板１に搭載された複数のツェナーダイオード２８と、発光素子４０等を封止する封止樹脂５０とを有している。発光素子４０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。なお、発光ダイオードとしては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の単結晶基板上に窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）等の化合物半導体を積層し、ｐｎ接合構造を形成した発光素子基体の片面に正負両電極パッドを形成した構造を用いることができる。
【００３１】
各発光素子４０は、第１配線２１上及び第２配線２２上に形成された金属層２４上に実装されている。具体的には、各発光素子４０は、第１配線２１と第２配線２２の間又は各第１配線２１間に形成された開口部２０Ｘを跨るように、その開口部２０Ｘの両側に形成された２つの金属層２４上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子４０の片面（図２では下面）に形成された一方のバンプ４１が上記２つの金属層２４のうちの一方の金属層２４にフリップチップ接合され、他方のバンプ４１が他方の金属層２４にフリップチップ接合されている。また、図２（ｂ）に示すように、発光素子４０は、金属層２４上にマトリクス状（図２（ｂ）では、７×７）に配列されている。このため、本実施形態の発光装置２では、一対の第２配線２２間に７個の発光素子４０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子４０群が７個並列に接続されることになる。これら発光素子４０は、第１配線２１及び第２配線２２を介して電極１１に接続されている。そして、これら発光素子４０は、外部の電源（図示略）から電極１１や第２配線２２などを介して給電されて発光する。なお、発光素子４０の平面形状は例えば矩形状に形成されており、そのサイズは例えば０．３〜０．５ｍｍ２程度である。
【００３２】
なお、バンプ４１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００３３】
各ツェナーダイオード２８は、一方の延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４上に搭載されている。詳述すると、各ツェナーダイオード２８は、ツェナーダイオードチップ下面に電極２８Ａが形成されるとともに、ツェナーダイオードチップ上面に電極２８Ｂが形成されている。具体的には、ツェナーダイオードチップ下面では、下面全体が電極２８Ａに形成されている。そして、図２（ｃ）に示すように、各ツェナーダイオード２８は、ツェナーダイオードチップ下面（電極２８Ａ）が一方の延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４上に接合部材２８Ｃを介して接合され、延出部２２Ｂ上に搭載されている。これにより、ツェナーダイオードチップ下面（電極２８Ａ）が、一方の延出部２２Ｂと電気的に接続されている。また、ツェナーダイオードチップ上面の電極２８Ｂは、ボンディングワイヤ２９を介して、対向する延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４と電気的に接続されている。このようにして、対向する２つの延出部２２Ｂ間に、ツェナーダイオード２８が搭載される。なお、このツェナーダイオード２８は、発光ダイオード等の発光素子４０の静電気による破壊防止のために搭載されている。
【００３４】
上記接合部材２８Ｃとしては、例えば銀ペーストやはんだを用いることができる。また、ボンディングワイヤ２９としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤを用いることができる。
【００３５】
図２（ａ）に示すように、封止樹脂５０は、発光素子４０、バンプ４１、ツェナーダイオード２８及びボンディングワイヤ２９を封止するように第２リードフレーム２０及び樹脂層３０の上面に設けられている。この封止樹脂５０の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子４０上に形成することにより、発光素子４０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００３６】
（作用）
電極１１を有する第１リードフレーム１０と、発光素子４０の実装領域となる第１配線２１及び第２配線２２を有する第２リードフレーム２０とを接合して基板１を形成するようにした。このため、第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を個別に製造した後に、それら第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を接合することができる。これにより、第２リードフレーム２０を製造する際には、第２リードフレーム２０の両面からの加工が可能となるため、従来の発光装置のようにサブトラクティブ法などで片面からのエッチング加工しかできない場合よりも、第１配線２１及び第２配線２２を狭ピッチ化（微細化）することができる。具体的には、サブトラクティブ法で配線層を形成する場合には、エッチングが配線層の面内方向に進行するサイドエッチ現象により配線層の断面形状が台形となるため、配線層が厚くなり配線のピッチが狭くなると配線間のスペースを確保することが困難になる。これに対し、第２リードフレーム２０に第１配線２１及び第２配線２２を形成する場合には、第２リードフレーム２０となる金属板の両面からエッチング加工を行うことができる。このようなエッチング加工によれば、第１配線２１及び第２配線２２の厚さが厚くなっても、その厚さ（例えば、１０５μｍ）に相当するスペース（例えば、１０５μｍ）を容易に確保することができる。このため、第１配線２１及び第２配線２２を狭ピッチ化することができる。
【００３７】
（基板の製造方法）
次に、上記基板１の製造方法について図３〜図７に従って説明する。
まず、図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程では、金属板をプレス加工又は両面からエッチング加工して基板フレーム６０を形成する。この基板フレーム６０は、図３（ａ）に模式的に示すように、その一方の面において複数（図では、３つ）の樹脂充填領域６１が分離して画定されている。各樹脂充填領域６１には、上記第１リードフレーム１０となる単位リードフレーム１０Ａがマトリクス状（図３（ａ）では、４×３）に複数個連設して形成されている。各樹脂充填領域６１では、４×３個の単位リードフレーム１０Ａが、長手方向（図中の左右方向）に延在される一対のレール部６２と、幅方向（図中の上下方向）に延在される一対のレール部６３とに支持されている。各単位リードフレーム１０Ａにおいては、図３（ｂ）に示すように、一対の電極１１と放熱板１２が画定されている。また、各単位リードフレーム１０Ａにおいては、電極１１及び放熱板１２を隣接する単位リードフレーム１０Ａ内の電極１１及び放熱板１２にそれぞれ接続し、又は電極１１及び放熱板１２をレール部６２，６３に支持するタイバー６４が画定されている。さらに、図３（ｃ）に示すように、各単位リードフレーム１０Ａにおいては、電極１１の接続部１１Ｂに溝部１１Ｘが形成されている。なお、後工程の樹脂充填工程では、一括モールディング方式により樹脂充填領域６１毎に樹脂充填が行われる。
【００３８】
一方、図４（ａ）〜（ｃ）に示す工程では、金属板をプレス加工又は両面からエッチング加工して基板フレーム７０を形成する。この基板フレーム７０は、図４（ａ）に模式的に示すように、その一方の面において複数（図では、３つ）のフレーム領域７１が分離して画定されている。各フレーム領域７１には、上記第２リードフレーム２０となる単位リードフレーム２０Ａがマトリクス状（図では、４×３）に複数個連設して形成されている。また、各フレーム領域７１では、４×３個の単位リードフレームが、長手方向（図中の左右方向）に延在される一対のレール部７２と、幅方向（図中の上下方向）に延在される一対のレール部７３とに支持されている。各単位リードフレーム２０Ａにおいては、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３が画定されている。また、各単位リードフレーム２０Ａにおいては、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３を互いに電気的に接続する連結部７４が画定されている。この連結部７４は、複数の第１配線２１を第２配線２２の延出部２２Ｂに支持し、第２配線２２を枠部２３に支持する機能を有している。また、各単位リードフレーム２０Ａにおいては、枠部２３を隣接する単位リードフレーム２０Ａ内の枠部２３に接続し、又は枠部２３を上記レール部７２，７３に支持するタイバー７５が画定されている。さらに、図４（ｃ）に示すように、各単位リードフレーム２０Ａにおいては、第２配線２２の接続部２２Ａに開口部２２Ｘが形成されている。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示す工程では、各単位リードフレーム２０Ａの各第１配線２１の上面全面、各第２配線２２の上面の一部に金属層２４を形成する。例えば部分めっき装置により、金属層２４の形成が不要な部分をマスクして、基板フレーム７０の上面に該基板フレーム７０を給電層とする電解めっきを施して上記金属層２４を形成する。
【００４０】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、基板フレーム６０の下面全面、つまり電極１１のベース部１１Ａ及び放熱板１２のベース部１２Ａの下面全面に金属層１３を形成する。例えば部分めっき装置により、金属層１３の形成が不要な部分をマスクして、基板フレーム６０の下面に該基板フレーム６０を急電層とする電解めっきを施して上記金属層１３を形成する。
【００４１】
続いて、図５（ｃ）に示す工程では、図４（ａ）に示した基板フレーム７０をダイサーやルータ、又はプレス金型によりフレーム領域７１毎に切断し、その切断したフレーム領域７１を基板フレーム６０の樹脂充填領域６１に積層する。すなわち、４×３個の単位リードフレーム２０Ａを、対応する４×３個の単位リードフレーム１０Ａ上に積層する。
【００４２】
具体的には、図６（ａ）に示すように、各単位リードフレーム２０Ａの開口部２２Ｘが各単位リードフレーム１０Ａの溝部１１Ｘと連通するように、且つ第２配線２２の接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接するように、各単位リードフレーム２０Ａを対応する単位リードフレーム１０Ａ上に位置合わせする。このとき、第１配線２１は、放熱板１２の上方に配置されることになる。ここで、第１配線２１及び第２配線２２は連結部７４によって枠部２３に支持され、その枠部２３はタイバー７５（図４（ｂ）参照）によってレール部７２，７３に支持されている。このため、第２配線２２の接続部２２Ａと電極１１の接続部１１Ｂとが当接すると、枠部２３と電極１１のベース部１１Ａとの間に空間Ｓ１が形成されるとともに、第１配線２１と放熱板１２との間に空間Ｓ２が形成される。次いで、図６（ｂ）に示すように、はんだ接合により電極１１と第２配線２２を接合する。例えば開口部２２Ｘと溝部１１Ｘにはんだボールを搭載し（又は、はんだボールを入れ）、その後リフローすることで電極１１と第２配線２２を接合する。これにより、各単位リードフレーム２０Ａが、対応する単位リードフレーム１０Ａ上に積層される。また、開口部２２Ｘ及び溝部１１Ｘには、接合部材３１（ここでは、はんだ）が充填されることになる。なお、第２配線２２と接続部１１Ｂとをはんだからなる接合部材３１で接合する場合には、各基板フレーム６０，７０に電解めっきで金属層１３，２４をそれぞれ形成する際に、溝部１１Ｘの内部表面に金属層１３を形成し、開口部２２Ｘの内部表面に金属層２４を形成すると、第２配線２２と電極１１との接続を良好に行うことができる。すなわち、溝部１１Ｘの内部表面及び開口部２２Ｘの内部表面に形成された金属層１３，２４により、はんだ濡れ性が向上するため、第２配線２２及び電極１１の相互の接合を良好に行うことができる。
【００４３】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、一括モールディング方式により、単位リードフレーム１０Ａと単位リードフレーム２０Ａとの間の空間Ｓ１，Ｓ２、単位リードフレーム１０Ａの開口部１０Ｘ，１０Ｙ及び単位リードフレーム２０Ａの開口部２０Ｘに樹脂層３０を形成する。これは、特に図示はしないが、例えばモールディング金型（１組の上型及び下型）の下型上に図６（ｂ）に示した構造体を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、モールドゲート部（図示略）から対応する樹脂充填領域６１（図５（ｃ）参照）に絶縁性樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われる。この樹脂層３０としては、例えばトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより形成されたモールド樹脂を用いることができる。
【００４４】
続いて、図６（ｄ）に示す工程では、図６（ｃ）に示した連結部７４を除去する。具体的には、図７（ａ）に示すように、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３を互いに接続する連結部７４（図中の丸枠参照）を除去する。これにより、図７（ｂ）に示すように、第１配線２１及び第２配線２２が枠部２３から分離されるとともに、第１配線２１と第２配線２２との間、及び各第１配線２１間が分離される。なお、連結部７４の除去は、例えばルータ加工、レーザ加工やダイサーによる切断により行うことができる。
【００４５】
以上の製造工程により、各単位リードフレーム１０Ａ上に、基板１に相当する構造体が形成される。
次に、図７（ｂ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１（破線参照）に沿ってダイサーやルータ等で切断する。これにより、図８（ａ）に示すように、基板１が個片化され、複数の基板１が製造される。なお、このときの切断により、図７（ｂ）に示したタイバー７５及び枠部２３よりも外側に形成された樹脂層３０が基板１から除去される。
【００４６】
（発光装置の製造方法）
図８（ｂ）に示す工程では、基板１の第１配線２１及び第２配線２２の上面に形成された金属層２４上に発光素子４０を実装する。具体的には、隣り合う金属層２４の各々の上面に、発光素子４０のバンプ４１をフリップチップ接合する。例えばバンプ４１が金バンプである場合には、そのバンプ４１を金属層２４上に超音波接合することにより固定する。
【００４７】
また、図示は省略するが、基板１の第２配線２２の延出部２２Ｂ上にツェナーダイオード２８（図２（ｂ）、（ｃ）参照）を搭載する。具体的には、ツェナーダイオード２８を延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４に接合部材２８Ｃを介して接合し、ツェナーダイオードチップ上面の電極２８Ｂを、ワイヤボンディングにより、対向する延出部２２Ｂに電気的に接続する。
【００４８】
次に、図８（ｃ）に示す工程では、基板１上に実装された複数の発光素子４０、バンプ４１、ツェナーダイオード２８及びボンディングワイヤ２９（図２（ｃ）参照）を封止する封止樹脂５０を形成する。例えば封止樹脂５０として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図８（ｂ）に示す構造体を金型内に収容し、圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を金型内に導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂５０を形成する。なお、封止樹脂５０は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図２に示した発光装置２が製造される。
【００４９】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）第１配線２１及び第２配線２２の厚さが厚くなっても、第１配線２１及び第２配線２２の狭ピッチ化が可能である。このため、多数の発光素子４０を高密度に搭載することができる。また、第１配線２１及び第２配線２２を厚く形成することにより、発光素子４０から発生する熱を第１配線２１及び第２配線２２から効率良く放熱することができる。これにより、発光素子４０の温度上昇を抑制することができるため、発光素子４０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００５０】
（２）第２配線２２と電極１１とを接合することにより、それら第２配線２２及び電極１１によって、発光素子４０が搭載される基板１の上面から下面まで貫通する電極を形成するようにした。これによれば、電極１１によっても、発光素子４０から発生する熱を放熱させることができるため、放熱効率をより向上させることができる。また、電極１１を実装基板の配線層に直接接続することで、発光素子４０に給電することができるようになる。このため、ワイヤボンディング等によって基板１の電極と実装基板とを電気的に接続する場合に比べて、発光装置２全体を小型化することができる。
【００５１】
（３）一対の電極１１の間に放熱板１２を設けるようにした。この放熱板１２により発光素子４０から効率良く放熱することができるため、発光素子４０の発光効率の低下をより好適に抑制することができる。
【００５２】
（４）第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を個別に製造することが可能である。このため、第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０の材料を個々に選択することができ、広い用途に対応することができる。
【００５３】
（５）単位リードフレーム２０Ａでは、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３を接続する連結部７４を形成し、枠部２３をレール部７２，７３に接続するタイバー７５を形成するようにした。これにより、単位リードフレーム２０Ａを単位リードフレーム１０Ａに積層する際にハンドリングが容易になる。
【００５４】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態において、単位リードフレーム２０Ａを単位リードフレーム１０Ａに積層する工程を、図９に示される工程に変更するようにしてもよい。詳述すると、図９（ａ）に示すように、まず、各単位リードフレーム２０Ａの放熱板１２の幅広部１２Ｂ上に接着フィルム３２を貼着する。接着フィルム３２としては、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂からなる接着フィルムを用いることができる。
【００５５】
また、図９（ａ）に示す工程では、各単位リードフレーム２０Ａの開口部２２Ｘが各単位リードフレーム１０Ａの溝部１１Ｘと対向するように、且つ第１配線２１が上記接着フィルム３２と対向するように、各単位リードフレーム２０Ａを対応する単位リードフレーム１０Ａの上方に配置する。
【００５６】
続いて、図９（ｂ）に示す工程では、単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａを両面側から１９０〜２５０℃程度の温度で加熱・加圧する。これにより、図９（ｂ）に示すように、接着フィルム３２が硬化して、第１配線２１と放熱板１２との間に絶縁層３２Ａが形成される。また、上記接着フィルム３２の硬化に伴って、第１配線２１と放熱板１２とが接着フィルム３２を介して接着され、単位リードフレーム１０Ａと単位リードフレーム２０Ａとが接着される。これにより、単位リードフレーム１０Ａ上に単位リードフレーム２０Ａが積層される。このとき、開口部２２Ｘが溝部１１Ｘと連通され、第２配線２２の接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接される。
【００５７】
また、図９（ｂ）に示す工程では、開口部２２Ｘと溝部１１Ｘにはんだボールを搭載し、その後リフローするはんだ接合により、電極１１と第２配線２２を接合する。これにより、単位リードフレーム１０Ａ上に単位リードフレーム２０Ａが強固に接合される。
【００５８】
次に、図９（ｃ）に示す工程では、一括モールディング方式により、単位リードフレーム１０Ａと単位リードフレーム２０Ａとの間の空間Ｓ１、単位リードフレーム１０Ａの開口部１０Ｘ，１０Ｙ及び単位リードフレーム２０Ａの開口部２０Ｘに樹脂層３０を形成する。その後、図９（ｂ）に示した連結部７４を除去する。
【００５９】
このような製造方法によれば、はんだ接合による接合と併せて、接着フィルム３２を介して第１配線２１と放熱板１２とが接着されているため、単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａの接合強度を高めることができる。また、単位リードフレーム２０Ａを単位リードフレーム１０Ａに積層する際に、複数の第１配線２１に反りや変形が生じることを好適に抑制することができる。
【００６０】
・上記実施形態及び上記変形例では、はんだ接合により第２配線２２を電極１１に接合するようにした。これに限らず、例えば抵抗溶接や超音波接合などにより第２配線２２を電極１１に接合するようにしてもよい。図１０は、抵抗溶接により第２配線２２を電極１１に接合する方法を示している。詳述すると、図１０（ａ）に示すように、各単位リードフレーム２０Ａの接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接するように、且つ第１配線２１が放熱板１２と対向するように、各単位リードフレーム２０Ａを対応する単位リードフレーム１０Ａ上に位置合わせする。続いて、第１溶接電極８１の先端面を接続部１１Ｂと対向する金属層１３の下面に当接させるとともに、第２溶接電極８２の先端面を接続部２２Ａの上面に当接させる。次いで、第１溶接電極８１及び第２溶接電極８２によって単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａを挟むことによってそれらを押圧した状態で、第１溶接電極８１及び第２溶接電極８２を通して単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａの間に電圧を印加する。これにより、接続部２２Ａの下面と接続部１１Ｂの上面との当接部で抵抗発熱が生じ、その当接部に合金層３３が形成され、第２配線２２と電極１１とが溶融接合される。なお、このような抵抗溶接の場合には、図６（ａ）に示したような開口部２２Ｘ及び溝部１１Ｘを形成する必要がない。
【００６１】
・上記実施形態では、基板１を個片化した後に、その基板１の金属層２４上に発光素子４０を実装するようにした。これに限らず、例えば基板１の個片化の前に、各単位リードフレーム２０Ａの金属層２４上に発光素子４０を実装し、その発光素子４０を封止樹脂５０で封止した後に、ダイシング位置Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。
【００６２】
詳述すると、まず、図３（ａ）〜図６（ｄ）に示す製造工程を実行することにより、図１１（ａ）に示した構造体を得る。すなわち、図１１（ａ）に示した構造体では、各単位リードフレーム１０Ａ上に、基板１に相当する構造体が形成されている。
【００６３】
次に、図１１（ｂ）に示す工程では、各単位リードフレーム２０Ａの第１配線２１及び第２配線２２の上面に形成された金属層２４上に発光素子４０をフリップチップ実装する。続いて、図１１（ｃ）に示す工程では、一括モールディング方式により、各単位リードフレーム２０Ａの発光素子４０が搭載されている側の全面を封止樹脂５０で封止する。これは、特に図示はしないが、例えばモールディング金型（１組の上型及び下型）の下型上に図１１（ｂ）に示した構造体を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、モールドゲート部から対応する樹脂充填領域６１（図５（ｃ）参照）に絶縁性樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われる。封止の手法としては、例えばトランスファーモールドが用いられる。
【００６４】
その後、図１１（ｃ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１（図７（ｂ）参照）に沿ってダイサーやルータ等で切断する。これにより、図１１（ｄ）に示すように、発光装置２が個片化され、複数の発光装置２が製造される。
【００６５】
このような製造方法によれば、封止樹脂５０の形成についても一括モールディング方式により行うことができるため、製造コストを低減することができる。
・上記実施形態の基板１では、電極１１の基板１外周側の側面及び枠部２３の基板１外周側の側面と面一になるように樹脂層３０を形成するようにした。これに限らず、例えば図１２に示す発光装置２Ａの基板１Ａのように、電極１１の基板１外周側の側面及び枠部２３の基板１外周側の側面を被覆するように樹脂層３０Ａを形成するようにしてもよい。この場合、発光素子４０等を封止するように封止樹脂５０が樹脂層３０Ａの上面に形成される。なお、このような基板１Ａ及び発光装置２Ａは、例えば図７（ｂ）に示したダイシング位置Ｄ１を、電極１１の外方や枠部２３の外方にずらすように一回り大きくして樹脂層３０部分を切断することにより、容易に得ることができる。
【００６６】
・上記実施形態及び上記変形例では、樹脂層３０の形成や封止樹脂５０の形成を、複数個の基板１（発光装置２）単位で樹脂充填や樹脂封止を行う一括モールディング方式を採用するようにした。これに限らず、一括モールディング方式の代わりに、個々の基板１（発光装置２）毎に樹脂充填や樹脂封止を行う個別モールディング方式を採用するようにしてもよい。
【００６７】
・上記実施形態における連結部７４を除去する工程（図７参照）において、連結部７４と併せて、例えば枠部２３を除去するようにしてもよい。
・上記実施形態の第１リードフレーム１０では、電極１１のベース部１１Ａの下面全面及び放熱板１２のベース部１２Ａの下面全面に金属層１３を形成するようにした。これに限らず、例えば第１リードフレーム１０の全面（全表面）に金属層１３を形成するようにしてもよい。この場合の金属層１３の材料としては、例えばニッケル、銀又はそれらの合金を用いることができる。
【００６８】
・上記実施形態の第２リードフレーム２０では、第１配線２１の上面全面及び第２配線２２の上面の一部に金属層２４を形成するようにした。これに限らず、例えば第２リードフレーム２０の上面全面に金属層２４を形成するようにしてもよい。すなわち、第１配線２１の上面全面、第２配線２２の上面全面及び枠部２３の上面全面に金属層２４を形成するようにしてもよい。
【００６９】
・上記実施形態における放熱板１２を省略するようにしてもよい。
・上記実施形態では、基板１に発光素子４０をフリップチップ実装するようにしたが、これに限らず、例えば基板１に発光素子４０をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００７０】
・上記実施形態のツェナーダイオード２８では、ツェナーダイオードチップ下面に電極２８Ａを形成し、ツェナーダイオードチップ上面に電極２８Ｂを形成するようにした。これに限らず、例えばツェナーダイオードチップ上面に２つの電極を形成するようにしてもよい。この場合には、一方の延出部２２Ｂ上に接着剤によりツェナーダイオードチップ下面を接着し、ツェナーダイオードチップ上面の２つの電極の各々を、ワイヤボンディングにより一方の延出部２２Ｂ上面及び他方の延出部２２Ｂの上面と電気的に接続する。
【００７１】
あるいは、対向する２つの延出部２２Ｂの先端部間に形成された樹脂層３０の上面に、接着剤によりツェナーダイオードチップ下面を接着する。そして、ツェナーダイオードチップ上面の２つの電極の各々を、ワイヤボンディングにより一方の延出部２２Ｂ上面及び他方の延出部２２Ｂの上面と電気的に接続する。
【００７２】
・上記実施形態におけるツェナーダイオード２８を省略するようにしてもよい。具体的には、静電気による発光素子４０の破壊を考慮する必要のない場合には、ツェナーダイオード２８を省略するようにしてもよい。なお、この場合には、延出部２２Ｂの先端部の上面に形成された金属層２４を省略することができる。
【００７３】
・上記実施形態では、金属層１３，２４を電解めっき法により形成するようにした。これに限らず、例えば金属層１３，２４を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。
【００７４】
・上記実施形態における溝部１１Ｘ及び開口部２２Ｘの平面形状は、円形状に限らず、例えば楕円状や、矩形状、五角形や六角形等の多角形状であってもよい。
・上記実施形態における基板１及び発光装置２の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
【００７５】
・上記実施形態における基板１に搭載される発光素子４０を、平面視してマトリクス状に配置するようにしたが、発光素子４０の配置形態は特に限定されない。
・上記実施形態における基板１に搭載される発光素子４０の個数は、特に限定されない。
【００７６】
・上記実施形態における第１配線２１及び第２配線２２の形状や電極１１の形状も特に限定されない。例えば第１配線２１及び第２配線２２の形状を、図１３（ａ）に示されるような形状に変更してもよい。詳述すると、第２リードフレーム２０は、一対の配線２５，２６と、配線２５，２６を囲むように形成された枠部２７とを有している。配線２５は、平面視略半楕円状に形成された接続部２５Ａと、その接続部２５Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図１３（ａ）では６つ）のリード２５Ｂとを有している。配線２６は、平面視略半楕円状に形成された接続部２６Ａと、その接続部２６Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図１３（ａ）では５つ）のリード２６Ｂとを有している。これら一対の配線２５，２６は、互いのリード２５Ｂ，２６Ｂが交互に入り組むように配置されている。この場合には、配線２５と配線２６との間には、平面視において、略Ｗ字が連続した形状の開口部２０Ｙが形成されている。そして、この開口部２０Ｙによって、一対の配線２５，２６は互いに電気的に分離されている。なお、配線２５の接続部２５Ａには、電極１１（図１参照）と接合するための開口部２５Ｘが形成され、配線２６の接続部２６Ａには、電極１１と接合するための開口部２６Ｘが形成されている。
【００７７】
このような配線２５，２６を有する基板１に複数の発光素子４０を実装した場合には、図１３（ｂ）に示すように、各発光素子４０は、上記開口部２０Ｙを跨るように、その開口部２０Ｙの両側に形成されたリード２５Ｂ，２６Ｂ上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子４０の一方のバンプ４１がリード２５Ｂ上にフリップチップ接合され、他方のバンプ４１がリード２６Ｂ上にフリップチップ接合されている。また、複数の発光素子４０は、リード２５Ｂ，２６Ｂ上にマトリクス状（図１３（ｂ）では、８×４）に配列されている。これにより、発光素子４０が直列及び並列に接続されることになる。この場合であっても、上記実施形態の第２配線２２と同様に、配線２５，２６が電極１１と接合されることにより、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００７８】
（発光装置の実装例）
図１４は、上記実施形態の基板１に発光素子４０を実装してなる発光装置２の適用例を示したものであり、発光装置２を実装基板９０に実装した場合の断面構造を示している。
【００７９】
実装基板９０は、樹脂基板９１と、配線層９２とを有している。そして、発光装置２は、配線層９２上に搭載されている。具体的には、発光装置２は、電極１１の下面に形成された金属層１３と配線層９２とがはんだ接合等により接続され、実装基板９０上に実装されている。このとき、発光装置２では、発光素子４０が搭載された面とは反対側の面（図中の下面）に電極１１（具体的には、金属層１３）が露出されているため、その金属層１３を実装基板９０の配線層９２に対向させるようにして、電極１１と配線層９２とを接合すればよい。このため、電極１１と配線層９２とは、はんだ９３を介して電気的に接続されている。また、この場合に、放熱板１２は、熱伝導部材９４を介して放熱用の配線層９２と熱的に接続されている。なお、熱伝導部材９４としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。
【００８０】
このような構造によれば、発光素子４０の搭載される第１配線２１及び第２配線２２が、電極１１を介して実装基板９０の配線層９２に接続されている。また、発光素子４０の搭載される第１配線２１の下方に形成された放熱板１２が、熱伝導部材９４を介して実装基板９０の配線層９２に熱的に接続されている。これらにより、発光素子４０から発生した熱を配線層９２に効率良く放熱することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１ 基板
２ 発光装置
１０ 第１リードフレーム
１１ 電極
１２ 放熱板
１３ 金属層（第１金属層）
２０ 第２リードフレーム
２１ 第１配線
２２ 第２配線
２３，２７ 枠部
２４ 金属層（第２金属層）
２５，２６ 配線
３０ 樹脂層
３２ 接着フィルム
３２Ａ 絶縁層
４０ 発光素子
５０ 封止樹脂
７４ 連結部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、発光装置及び基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線層を形成し、その配線層上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、上記発光装置の用途は、照明装置や表示装置などに拡大している。このような用途では、複数の発光素子を高密度に実装することが望まれており、上記配線層の微細化（狭ピッチ化）が要求されている。しかし、発光素子の実装される配線層はサブトラクティブ法などにより形成されるため、その配線層の狭ピッチ化が困難である。さらに、上記発光装置では、発光ダイオードの通電に伴ってその発光ダイオードに発熱が生じ、それに伴う温度上昇によって発光ダイオードの発光効率が低下する。よって、発光ダイオードから生じた熱を上記配線層から効率良く放熱させるべく配線層が厚く形成される傾向にある。このような場合には、配線層の狭ピッチ化が益々困難になるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、放熱板と複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームと、発光素子搭載用の複数の配線を有し、前記第１リードフレーム上に積層された第２リードフレームと、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間に充填された樹脂層と、を有し、前記放熱板の上方に前記配線が配置され、前記電極と一部の前記配線とが接合されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、発光素子の発光効率の低下を抑制しつつも、配線の狭ピッチ化に対応することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、一実施形態の基板を示す概略断面図、（ｂ）は、第１リードフレームを示す概略平面図、（ｃ）は、第２リードフレームを示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ），（ｃ）のＡ−Ａ線位置における基板の断面構造を示している。
【図２】（ａ）は、一実施形態の発光装置を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｃ）は、ツェナーダイオード周辺の構造を示す概略断面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＢ−Ｂ線位置における基板の断面構造を示している。また、（ｂ）、（ｃ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図３】（ａ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）の一部を拡大した拡大平面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す単位リードフレームのＣ−Ｃ概略断面図。
【図４】（ａ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）の一部を拡大した拡大平面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す単位リードフレームのＤ−Ｄ概略断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略断面図、（ｃ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す説明図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図３（ｂ）のＣ−Ｃ線位置及び図４（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における基板の断面構造を示している。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図３（ｂ）のＣ−Ｃ線位置及び図４（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における基板の断面構造を示している。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す拡大平面図。
【図８】（ａ）は、一実施形態の基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）、（ｃ）は、一実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）は、図１（ｂ）、（ｃ）のＡ−Ａ線位置における基板の断面構造を示している。また、（ｂ）、（ｃ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の断面構造を示している。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、変形例の基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）は、変形例の基板を示す概略平面図、（ｂ）は、変形例の発光装置を示す概略平面図。
【図１４】発光装置の実装例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の樹脂層のハッチングを省略している。
【０００９】
以下、一実施形態を図１〜図８に従って説明する。
（基板の構造）
図１（ａ）に示すように、発光装置に適用される基板１は、第１リードフレーム１０と、その第１リードフレーム１０と接合された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０間に充填された樹脂層３０とを有している。
【００１０】
第１リードフレーム１０は、プリント配線板等の実装基板の配線に電気的に接続される外部接続用の一対の電極１１と、一対の電極１１の間に配設された放熱板１２とを有している。第１リードフレーム１０の材料としては、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金を用いることができる。この第１リードフレーム１０は、例えば金属板をエッチング加工又はプレス加工することにより得られる。
【００１１】
各電極１１は、ベース部１１Ａと、そのベース部１１Ａの上面に形成され、ベース部１１Ａの内側面よりも内側に突出して形成された接続部１１Ｂとを有している。ベース部１１Ａの下面全面には、金属層１３が形成されている。金属層１３の例としては、銀（Ａｇ）又はＡｇ合金からなるＡｇ層、ニッケル（Ｎｉ）又はＮｉ合金からなるＮｉ層、Ｎｉ層／金（Ａｕ）又はＡｕ合金からなるＡｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）又はＰｄ合金からなるＰｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層などを挙げることができる。また、金属層１３の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層なども挙げることができる。このような金属層１３が形成されたベース部１１Ａの下面は、樹脂層３０の下面から露出されている。また、ベース部１１Ａの下面は、樹脂層３０の下面と略面一になるように形成されている。具体的には、ベース部１１Ａの下面に形成された金属層１３の下面が樹脂層３０の下面と略面一になるように形成されている。そして、このようなベース部１１Ａの下面が、基板外部との接続部（例えば、プリント配線板等の実装基板に実装される面）となる。なお、電極１１には、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。
【００１２】
また、ベース部１１Ａの基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面から露出されている。このベース部１１Ａの基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面と略面一になるように形成されている。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、平面視略矩形状に形成された上記ベース部１１Ａの上面には、平面視略半楕円状に形成された接続部１１Ｂが設けられている。接続部１１Ｂは、ベース部１１Ａの上面から上方に突出して形成されている。接続部１１Ｂは、ベース部１１Ａと一体的に形成されており、ベース部１１Ａと電気的に接続されている。また、接続部１１Ｂは、その上面が第２リードフレーム２０の配線２２に当接しており、その配線２２と電気的に接続されている。この接続部１１Ｂの上面には、図１（ａ）に示すように、上記第２リードフレーム２０と接合するための溝部１１Ｘが形成されている。この溝部１１Ｘは、接続部１１Ｂの上面から該接続部１１Ｂの厚さの中途まで形成されている。なお、ベース部１１Ａと第２リードフレーム２０との間には、空間Ｓ１が形成されている。
【００１４】
ここで、各電極１１の厚さ（つまりベース部１１Ａの下面から接続部１１Ｂの上面までの高さ）は、例えば０．４〜０．８ｍｍ程度とすることができる。
一方、放熱板１２は、ベース部１２Ａと、そのベース部１２Ａの上面に形成され、ベース部１２Ａよりも幅の広い幅広部１２Ｂとを有している。ベース部１２Ａの下面全面には、上記ベース部１１Ａの下面と同様に、金属層１３が形成されている。このベース部１２Ａの厚さは、上記ベース部１１Ａと略同じ厚さに設定されている。その一方で、幅広部１２Ｂの厚さは、上記接続部１１Ｂの厚さよりも薄く設定されている。これにより、幅広部１２Ｂと第２リードフレーム２０との間には、空間Ｓ２が形成されている。
【００１５】
ここで、放熱板１２の厚さ（つまりベース部１２Ａの下面から幅広部１２Ｂの上面までの高さ）は、例えば０．３〜０．７ｍｍ程度とすることができ、空間Ｓ２の厚さは、例えば０．１〜０．２ｍｍ程度とすることができる。なお、図１（ｂ）に示すように、幅広部１２Ｂの平面形状は、ベース部１２Ａの平面形状よりも大きく形成されている。
【００１６】
このような放熱板１２は、ベース部１１Ａ，１２Ａ間に形成された開口部１０Ｘ、及び幅広部１２Ｂと接続部１１Ｂとの間に形成された開口部１０Ｙによって、電極１１と分離されている。換言すると、一対の電極１１及び放熱板１２は、開口部１０Ｘ，１０Ｙによって画定されている。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、第２リードフレーム２０は、発光素子４０（図２参照）が搭載される複数の第１配線２１（リード）、発光素子４０が搭載されると共に上記電極１１と電気的に接続された一対の第２配線２２（リード）と、第２配線２２よりも外側に形成された枠部２３とを有している。第２リードフレーム２０の材料としては、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金を用いることができる。この第２リードフレーム２０は、例えば金属板をエッチング加工又はプレス加工することにより得られる。
【００１８】
複数の第１配線２１は、発光素子４０搭載用の配線である。また、複数の第１配線２１は、放熱板１２の上方に設けられている。これら第１配線２１と放熱板１２との間には、上述したように空間Ｓ２が形成されている。このため、各第１配線２１と放熱板１２とは電気的に分離されている。
【００１９】
各第１配線２１の上面には、金属層２４が形成されている。金属層２４の例としては、銀（Ａｇ）又はＡｇ合金からなるＡｇ層、ニッケル（Ｎｉ）又はＮｉ合金からなるＮｉ層／金（Ａｕ）又はＡｕ合金からなるＡｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）又はＰｄ合金からなるＰｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層などを挙げることができる。また、金属層２４の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層なども挙げることができる。このような金属層２４が形成された第１配線２１の上面は、樹脂層３０の上面から露出されている。また、第１配線２１の上面は、樹脂層３０の上面と略面一になるように形成されている。そして、このような第１配線２１の上面が、発光素子４０（図２参照）の搭載部となり、上記金属層２４が発光素子４０との接続部となる。
【００２０】
図１（ｃ）に示すように、各第１配線２１の平面形状は、略帯状又は長方形状に形成されている。これら複数の第１配線２１は、第２リードフレーム２０の中央部において、平行に隣接して配置されている。これら複数の第１配線２１は、第２リードフレーム２０の開口部２０Ｘによって、互いに電気的に分離されている。
【００２１】
一対の第２配線２２は、発光素子４０搭載用の配線である。また、一対の第２配線２２は、第１配線２１を囲むように形成されている。具体的には、各第２配線２２は、平面視略半楕円状に形成された接続部２２Ａと、その接続部２２Ａの両端から第２リードフレーム２０の内側に向かって延在された延出部２２Ｂとを有し、平面視略コの字状に形成されている。これら一対の第２配線２２は、上記開口部２０Ｘによって、第１配線２１と電気的に分離されている。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、第２配線２２の上面は、樹脂層３０の上面から露出されている。また、第２配線２２の上面は、樹脂層３０の上面と略面一になるように形成されている。
【００２３】
上記接続部２２Ａの上面の一部には、金属層２４が形成されている。この金属層２４上には、複数の発光素子４０（図２参照）が実装される。すなわち、第２配線２２（接続部２２Ａ）の上面が発光素子４０の搭載部となり、上記金属層２４が発光素子４０との接続部となる。
【００２４】
また、接続部２２Ａには、上記電極１１と接合するための開口部２２Ｘが形成されている。この開口部２２Ｘは、第２リードフレーム２０の厚さ方向に貫通して形成され、電極１１の接続部１１Ｂに形成された溝部１１Ｘと連通するように形成されている。そして、これら開口部２２Ｘ及び溝部１１Ｘ内に接合部材３１が充填されている。この接合部材３１によって、第２配線２２が電極１１と接合されている。また、第２配線２２の接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接しており、第２配線２２と電極１１とが電気的に接続されている。このように第２配線２２（接続部２２Ａ）の下面が、電極１１との接続部となる。
【００２５】
図１（ｃ）に示すように、一対の第２配線２２に形成された延出部２２Ｂは、その先端部が他方の延出部２２Ｂの先端部と対向して配置されている。そして、この延出部２２Ｂの先端部の上面には、金属層２４が形成されている。この金属層２４上には、ツェナーダイオード２８（図２（ｂ）、（ｃ）参照）が搭載される。すなわち、延出部２２Ｂはツェナーダイオード２８接続用の配線（リード）であり、その延出部２２Ｂに形成された金属層２４はツェナーダイオード２８との接続部である。
【００２６】
図１（ｃ）に示すように、枠部２３は、第１配線２１及び第２配線２２を囲むように枠状に形成されている。枠部２３は、上記開口部２０Ｘによって、第１配線２１及び第２配線２２と電気的に分離されている。また、枠部２３と上記電極１１との間には、上述したように空間Ｓ１が形成されている。このため、枠部２３と電極１１とは電気的に分離されている。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、枠部２３の上面は、樹脂層３０の上面から露出されている。この枠部２３の上面は、樹脂層３０の上面と略面一になるように形成されている。また、枠部２３の基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面から露出されている。この枠部２３の基板１外周側の側面は、樹脂層３０の側面と略面一になるように形成されている。なお、この枠部２３は、基板１の製造過程において、第１配線２１及び第２配線２２を保持するために設けられている。
【００２８】
このように第２リードフレーム２０では、上記開口部２０Ｘによって、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３が互いに分離されている。換言すると、複数の第１配線２１、一対の第２配線２２及び枠部２３は、開口部２０Ｘによって画定されている。なお、これら第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３の厚さはそれぞれ、例えば０．１〜０．２５ｍｍ程度とすることができる。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、樹脂層３０は、電極１１と枠部２３との間の空間Ｓ１及び放熱板１２と第１配線２１との間の空間Ｓ２に充填されている。また、樹脂層３０は、第１リードフレーム１０に形成された開口部１０Ｘ，１０Ｙ、及び第２リードフレーム２０に形成された開口部２０Ｘに充填されている。すなわち、電極１１と放熱板１２との間に樹脂層３０が形成され、各第１配線２１間、第１配線２１と第２配線２２との間、及び第１配線２１及び第２配線２２と枠部２３との間に樹脂層３０が形成されている。この樹脂層３０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂やシリコーン樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、樹脂層３０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることもできる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン等のフィラーを混入した樹脂材やＴｉＯ２又はＢａＳＯ４などの白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。
【００３０】
（発光装置の構造）
図２（ａ）に示すように、発光装置２は、上記基板１と、その基板１に実装された複数の発光素子４０と、基板１に搭載された複数のツェナーダイオード２８と、発光素子４０等を封止する封止樹脂５０とを有している。発光素子４０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。なお、発光ダイオードとしては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の単結晶基板上に窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）等の化合物半導体を積層し、ｐｎ接合構造を形成した発光素子基体の片面に正負両電極パッドを形成した構造を用いることができる。
【００３１】
各発光素子４０は、第１配線２１上及び第２配線２２上に形成された金属層２４上に実装されている。具体的には、各発光素子４０は、第１配線２１と第２配線２２の間又は各第１配線２１間に形成された開口部２０Ｘを跨るように、その開口部２０Ｘの両側に形成された２つの金属層２４上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子４０の片面（図２では下面）に形成された一方のバンプ４１が上記２つの金属層２４のうちの一方の金属層２４にフリップチップ接合され、他方のバンプ４１が他方の金属層２４にフリップチップ接合されている。また、図２（ｂ）に示すように、発光素子４０は、金属層２４上にマトリクス状（図２（ｂ）では、７×７）に配列されている。このため、本実施形態の発光装置２では、一対の第２配線２２間に７個の発光素子４０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子４０群が７個並列に接続されることになる。これら発光素子４０は、第１配線２１及び第２配線２２を介して電極１１に接続されている。そして、これら発光素子４０は、外部の電源（図示略）から電極１１や第２配線２２などを介して給電されて発光する。なお、発光素子４０の平面形状は例えば矩形状に形成されており、そのサイズは例えば０．３〜０．５ｍｍ２程度である。
【００３２】
なお、バンプ４１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００３３】
各ツェナーダイオード２８は、一方の延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４上に搭載されている。詳述すると、各ツェナーダイオード２８は、ツェナーダイオードチップ下面に電極２８Ａが形成されるとともに、ツェナーダイオードチップ上面に電極２８Ｂが形成されている。具体的には、ツェナーダイオードチップ下面では、下面全体が電極２８Ａに形成されている。そして、図２（ｃ）に示すように、各ツェナーダイオード２８は、ツェナーダイオードチップ下面（電極２８Ａ）が一方の延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４上に接合部材２８Ｃを介して接合され、延出部２２Ｂ上に搭載されている。これにより、ツェナーダイオードチップ下面（電極２８Ａ）が、一方の延出部２２Ｂと電気的に接続されている。また、ツェナーダイオードチップ上面の電極２８Ｂは、ボンディングワイヤ２９を介して、対向する延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４と電気的に接続されている。このようにして、対向する２つの延出部２２Ｂ間に、ツェナーダイオード２８が搭載される。なお、このツェナーダイオード２８は、発光ダイオード等の発光素子４０の静電気による破壊防止のために搭載されている。
【００３４】
上記接合部材２８Ｃとしては、例えば銀ペーストやはんだを用いることができる。また、ボンディングワイヤ２９としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤを用いることができる。
【００３５】
図２（ａ）に示すように、封止樹脂５０は、発光素子４０、バンプ４１、ツェナーダイオード２８及びボンディングワイヤ２９を封止するように第２リードフレーム２０及び樹脂層３０の上面に設けられている。この封止樹脂５０の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子４０上に形成することにより、発光素子４０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００３６】
（作用）
電極１１を有する第１リードフレーム１０と、発光素子４０の実装領域となる第１配線２１及び第２配線２２を有する第２リードフレーム２０とを接合して基板１を形成するようにした。このため、第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を個別に製造した後に、それら第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を接合することができる。これにより、第２リードフレーム２０を製造する際には、第２リードフレーム２０の両面からの加工が可能となるため、従来の発光装置のようにサブトラクティブ法などで片面からのエッチング加工しかできない場合よりも、第１配線２１及び第２配線２２を狭ピッチ化（微細化）することができる。具体的には、サブトラクティブ法で配線層を形成する場合には、エッチングが配線層の面内方向に進行するサイドエッチ現象により配線層の断面形状が台形となるため、配線層が厚くなり配線のピッチが狭くなると配線間のスペースを確保することが困難になる。これに対し、第２リードフレーム２０に第１配線２１及び第２配線２２を形成する場合には、第２リードフレーム２０となる金属板の両面からエッチング加工を行うことができる。このようなエッチング加工によれば、第１配線２１及び第２配線２２の厚さが厚くなっても、その厚さ（例えば、１０５μｍ）に相当するスペース（例えば、１０５μｍ）を容易に確保することができる。このため、第１配線２１及び第２配線２２を狭ピッチ化することができる。
【００３７】
（基板の製造方法）
次に、上記基板１の製造方法について図３〜図７に従って説明する。
まず、図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程では、金属板をプレス加工又は両面からエッチング加工して基板フレーム６０を形成する。この基板フレーム６０は、図３（ａ）に模式的に示すように、その一方の面において複数（図では、３つ）の樹脂充填領域６１が分離して画定されている。各樹脂充填領域６１には、上記第１リードフレーム１０となる単位リードフレーム１０Ａがマトリクス状（図３（ａ）では、４×３）に複数個連設して形成されている。各樹脂充填領域６１では、４×３個の単位リードフレーム１０Ａが、長手方向（図中の左右方向）に延在される一対のレール部６２と、幅方向（図中の上下方向）に延在される一対のレール部６３とに支持されている。各単位リードフレーム１０Ａにおいては、図３（ｂ）に示すように、一対の電極１１と放熱板１２が画定されている。また、各単位リードフレーム１０Ａにおいては、電極１１及び放熱板１２を隣接する単位リードフレーム１０Ａ内の電極１１及び放熱板１２にそれぞれ接続し、又は電極１１及び放熱板１２をレール部６２，６３に支持するタイバー６４が画定されている。さらに、図３（ｃ）に示すように、各単位リードフレーム１０Ａにおいては、電極１１の接続部１１Ｂに溝部１１Ｘが形成されている。なお、後工程の樹脂充填工程では、一括モールディング方式により樹脂充填領域６１毎に樹脂充填が行われる。
【００３８】
一方、図４（ａ）〜（ｃ）に示す工程では、金属板をプレス加工又は両面からエッチング加工して基板フレーム７０を形成する。この基板フレーム７０は、図４（ａ）に模式的に示すように、その一方の面において複数（図では、３つ）のフレーム領域７１が分離して画定されている。各フレーム領域７１には、上記第２リードフレーム２０となる単位リードフレーム２０Ａがマトリクス状（図では、４×３）に複数個連設して形成されている。また、各フレーム領域７１では、４×３個の単位リードフレームが、長手方向（図中の左右方向）に延在される一対のレール部７２と、幅方向（図中の上下方向）に延在される一対のレール部７３とに支持されている。各単位リードフレーム２０Ａにおいては、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３が画定されている。また、各単位リードフレーム２０Ａにおいては、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３を互いに電気的に接続する連結部７４が画定されている。この連結部７４は、複数の第１配線２１を第２配線２２の延出部２２Ｂに支持し、第２配線２２を枠部２３に支持する機能を有している。また、各単位リードフレーム２０Ａにおいては、枠部２３を隣接する単位リードフレーム２０Ａ内の枠部２３に接続し、又は枠部２３を上記レール部７２，７３に支持するタイバー７５が画定されている。さらに、図４（ｃ）に示すように、各単位リードフレーム２０Ａにおいては、第２配線２２の接続部２２Ａに開口部２２Ｘが形成されている。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示す工程では、各単位リードフレーム２０Ａの各第１配線２１の上面全面、各第２配線２２の上面の一部に金属層２４を形成する。例えば部分めっき装置により、金属層２４の形成が不要な部分をマスクして、基板フレーム７０の上面に該基板フレーム７０を給電層とする電解めっきを施して上記金属層２４を形成する。
【００４０】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、基板フレーム６０の下面全面、つまり電極１１のベース部１１Ａ及び放熱板１２のベース部１２Ａの下面全面に金属層１３を形成する。例えば部分めっき装置により、金属層１３の形成が不要な部分をマスクして、基板フレーム６０の下面に該基板フレーム６０を急電層とする電解めっきを施して上記金属層１３を形成する。
【００４１】
続いて、図５（ｃ）に示す工程では、図４（ａ）に示した基板フレーム７０をダイサーやルータ、又はプレス金型によりフレーム領域７１毎に切断し、その切断したフレーム領域７１を基板フレーム６０の樹脂充填領域６１に積層する。すなわち、４×３個の単位リードフレーム２０Ａを、対応する４×３個の単位リードフレーム１０Ａ上に積層する。
【００４２】
具体的には、図６（ａ）に示すように、各単位リードフレーム２０Ａの開口部２２Ｘが各単位リードフレーム１０Ａの溝部１１Ｘと連通するように、且つ第２配線２２の接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接するように、各単位リードフレーム２０Ａを対応する単位リードフレーム１０Ａ上に位置合わせする。このとき、第１配線２１は、放熱板１２の上方に配置されることになる。ここで、第１配線２１及び第２配線２２は連結部７４によって枠部２３に支持され、その枠部２３はタイバー７５（図４（ｂ）参照）によってレール部７２，７３に支持されている。このため、第２配線２２の接続部２２Ａと電極１１の接続部１１Ｂとが当接すると、枠部２３と電極１１のベース部１１Ａとの間に空間Ｓ１が形成されるとともに、第１配線２１と放熱板１２との間に空間Ｓ２が形成される。次いで、図６（ｂ）に示すように、はんだ接合により電極１１と第２配線２２を接合する。例えば開口部２２Ｘと溝部１１Ｘにはんだボールを搭載し（又は、はんだボールを入れ）、その後リフローすることで電極１１と第２配線２２を接合する。これにより、各単位リードフレーム２０Ａが、対応する単位リードフレーム１０Ａ上に積層される。また、開口部２２Ｘ及び溝部１１Ｘには、接合部材３１（ここでは、はんだ）が充填されることになる。なお、第２配線２２と接続部１１Ｂとをはんだからなる接合部材３１で接合する場合には、各基板フレーム６０，７０に電解めっきで金属層１３，２４をそれぞれ形成する際に、溝部１１Ｘの内部表面に金属層１３を形成し、開口部２２Ｘの内部表面に金属層２４を形成すると、第２配線２２と電極１１との接続を良好に行うことができる。すなわち、溝部１１Ｘの内部表面及び開口部２２Ｘの内部表面に形成された金属層１３，２４により、はんだ濡れ性が向上するため、第２配線２２及び電極１１の相互の接合を良好に行うことができる。
【００４３】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、一括モールディング方式により、単位リードフレーム１０Ａと単位リードフレーム２０Ａとの間の空間Ｓ１，Ｓ２、単位リードフレーム１０Ａの開口部１０Ｘ，１０Ｙ及び単位リードフレーム２０Ａの開口部２０Ｘに樹脂層３０を形成する。これは、特に図示はしないが、例えばモールディング金型（１組の上型及び下型）の下型上に図６（ｂ）に示した構造体を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、モールドゲート部（図示略）から対応する樹脂充填領域６１（図５（ｃ）参照）に絶縁性樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われる。この樹脂層３０としては、例えばトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより形成されたモールド樹脂を用いることができる。
【００４４】
続いて、図６（ｄ）に示す工程では、図６（ｃ）に示した連結部７４を除去する。具体的には、図７（ａ）に示すように、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３を互いに接続する連結部７４（図中の丸枠参照）を除去する。これにより、図７（ｂ）に示すように、第１配線２１及び第２配線２２が枠部２３から分離されるとともに、第１配線２１と第２配線２２との間、及び各第１配線２１間が分離される。なお、連結部７４の除去は、例えばルータ加工、レーザ加工やダイサーによる切断により行うことができる。
【００４５】
以上の製造工程により、各単位リードフレーム１０Ａ上に、基板１に相当する構造体が形成される。
次に、図７（ｂ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１（破線参照）に沿ってダイサーやルータ等で切断する。これにより、図８（ａ）に示すように、基板１が個片化され、複数の基板１が製造される。なお、このときの切断により、図７（ｂ）に示したタイバー７５及び枠部２３よりも外側に形成された樹脂層３０が基板１から除去される。
【００４６】
（発光装置の製造方法）
図８（ｂ）に示す工程では、基板１の第１配線２１及び第２配線２２の上面に形成された金属層２４上に発光素子４０を実装する。具体的には、隣り合う金属層２４の各々の上面に、発光素子４０のバンプ４１をフリップチップ接合する。例えばバンプ４１が金バンプである場合には、そのバンプ４１を金属層２４上に超音波接合することにより固定する。
【００４７】
また、図示は省略するが、基板１の第２配線２２の延出部２２Ｂ上にツェナーダイオード２８（図２（ｂ）、（ｃ）参照）を搭載する。具体的には、ツェナーダイオード２８を延出部２２Ｂの先端部上面に形成された金属層２４に接合部材２８Ｃを介して接合し、ツェナーダイオードチップ上面の電極２８Ｂを、ワイヤボンディングにより、対向する延出部２２Ｂに電気的に接続する。
【００４８】
次に、図８（ｃ）に示す工程では、基板１上に実装された複数の発光素子４０、バンプ４１、ツェナーダイオード２８及びボンディングワイヤ２９（図２（ｃ）参照）を封止する封止樹脂５０を形成する。例えば封止樹脂５０として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図８（ｂ）に示す構造体を金型内に収容し、圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を金型内に導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂５０を形成する。なお、封止樹脂５０は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図２に示した発光装置２が製造される。
【００４９】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）第１配線２１及び第２配線２２の厚さが厚くなっても、第１配線２１及び第２配線２２の狭ピッチ化が可能である。このため、多数の発光素子４０を高密度に搭載することができる。また、第１配線２１及び第２配線２２を厚く形成することにより、発光素子４０から発生する熱を第１配線２１及び第２配線２２から効率良く放熱することができる。これにより、発光素子４０の温度上昇を抑制することができるため、発光素子４０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００５０】
（２）第２配線２２と電極１１とを接合することにより、それら第２配線２２及び電極１１によって、発光素子４０が搭載される基板１の上面から下面まで貫通する電極を形成するようにした。これによれば、電極１１によっても、発光素子４０から発生する熱を放熱させることができるため、放熱効率をより向上させることができる。また、電極１１を実装基板の配線層に直接接続することで、発光素子４０に給電することができるようになる。このため、ワイヤボンディング等によって基板１の電極と実装基板とを電気的に接続する場合に比べて、発光装置２全体を小型化することができる。
【００５１】
（３）一対の電極１１の間に放熱板１２を設けるようにした。この放熱板１２により発光素子４０から効率良く放熱することができるため、発光素子４０の発光効率の低下をより好適に抑制することができる。
【００５２】
（４）第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０を個別に製造することが可能である。このため、第１リードフレーム１０及び第２リードフレーム２０の材料を個々に選択することができ、広い用途に対応することができる。
【００５３】
（５）単位リードフレーム２０Ａでは、第１配線２１、第２配線２２及び枠部２３を接続する連結部７４を形成し、枠部２３をレール部７２，７３に接続するタイバー７５を形成するようにした。これにより、単位リードフレーム２０Ａを単位リードフレーム１０Ａに積層する際にハンドリングが容易になる。
【００５４】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態において、単位リードフレーム２０Ａを単位リードフレーム１０Ａに積層する工程を、図９に示される工程に変更するようにしてもよい。詳述すると、図９（ａ）に示すように、まず、各単位リードフレーム２０Ａの放熱板１２の幅広部１２Ｂ上に接着フィルム３２を貼着する。接着フィルム３２としては、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂からなる接着フィルムを用いることができる。
【００５５】
また、図９（ａ）に示す工程では、各単位リードフレーム２０Ａの開口部２２Ｘが各単位リードフレーム１０Ａの溝部１１Ｘと対向するように、且つ第１配線２１が上記接着フィルム３２と対向するように、各単位リードフレーム２０Ａを対応する単位リードフレーム１０Ａの上方に配置する。
【００５６】
続いて、図９（ｂ）に示す工程では、単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａを両面側から１９０〜２５０℃程度の温度で加熱・加圧する。これにより、図９（ｂ）に示すように、接着フィルム３２が硬化して、第１配線２１と放熱板１２との間に絶縁層３２Ａが形成される。また、上記接着フィルム３２の硬化に伴って、第１配線２１と放熱板１２とが接着フィルム３２を介して接着され、単位リードフレーム１０Ａと単位リードフレーム２０Ａとが接着される。これにより、単位リードフレーム１０Ａ上に単位リードフレーム２０Ａが積層される。このとき、開口部２２Ｘが溝部１１Ｘと連通され、第２配線２２の接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接される。
【００５７】
また、図９（ｂ）に示す工程では、開口部２２Ｘと溝部１１Ｘにはんだボールを搭載し、その後リフローするはんだ接合により、電極１１と第２配線２２を接合する。これにより、単位リードフレーム１０Ａ上に単位リードフレーム２０Ａが強固に接合される。
【００５８】
次に、図９（ｃ）に示す工程では、一括モールディング方式により、単位リードフレーム１０Ａと単位リードフレーム２０Ａとの間の空間Ｓ１、単位リードフレーム１０Ａの開口部１０Ｘ，１０Ｙ及び単位リードフレーム２０Ａの開口部２０Ｘに樹脂層３０を形成する。その後、図９（ｂ）に示した連結部７４を除去する。
【００５９】
このような製造方法によれば、はんだ接合による接合と併せて、接着フィルム３２を介して第１配線２１と放熱板１２とが接着されているため、単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａの接合強度を高めることができる。また、単位リードフレーム２０Ａを単位リードフレーム１０Ａに積層する際に、複数の第１配線２１に反りや変形が生じることを好適に抑制することができる。
【００６０】
・上記実施形態及び上記変形例では、はんだ接合により第２配線２２を電極１１に接合するようにした。これに限らず、例えば抵抗溶接や超音波接合などにより第２配線２２を電極１１に接合するようにしてもよい。図１０は、抵抗溶接により第２配線２２を電極１１に接合する方法を示している。詳述すると、図１０（ａ）に示すように、各単位リードフレーム２０Ａの接続部２２Ａの下面が電極１１の接続部１１Ｂの上面に当接するように、且つ第１配線２１が放熱板１２と対向するように、各単位リードフレーム２０Ａを対応する単位リードフレーム１０Ａ上に位置合わせする。続いて、第１溶接電極８１の先端面を接続部１１Ｂと対向する金属層１３の下面に当接させるとともに、第２溶接電極８２の先端面を接続部２２Ａの上面に当接させる。次いで、第１溶接電極８１及び第２溶接電極８２によって単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａを挟むことによってそれらを押圧した状態で、第１溶接電極８１及び第２溶接電極８２を通して単位リードフレーム１０Ａ，２０Ａの間に電圧を印加する。これにより、接続部２２Ａの下面と接続部１１Ｂの上面との当接部で抵抗発熱が生じ、その当接部に合金層３３が形成され、第２配線２２と電極１１とが溶融接合される。なお、このような抵抗溶接の場合には、図６（ａ）に示したような開口部２２Ｘ及び溝部１１Ｘを形成する必要がない。
【００６１】
・上記実施形態では、基板１を個片化した後に、その基板１の金属層２４上に発光素子４０を実装するようにした。これに限らず、例えば基板１の個片化の前に、各単位リードフレーム２０Ａの金属層２４上に発光素子４０を実装し、その発光素子４０を封止樹脂５０で封止した後に、ダイシング位置Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。
【００６２】
詳述すると、まず、図３（ａ）〜図６（ｄ）に示す製造工程を実行することにより、図１１（ａ）に示した構造体を得る。すなわち、図１１（ａ）に示した構造体では、各単位リードフレーム１０Ａ上に、基板１に相当する構造体が形成されている。
【００６３】
次に、図１１（ｂ）に示す工程では、各単位リードフレーム２０Ａの第１配線２１及び第２配線２２の上面に形成された金属層２４上に発光素子４０をフリップチップ実装する。続いて、図１１（ｃ）に示す工程では、一括モールディング方式により、各単位リードフレーム２０Ａの発光素子４０が搭載されている側の全面を封止樹脂５０で封止する。これは、特に図示はしないが、例えばモールディング金型（１組の上型及び下型）の下型上に図１１（ｂ）に示した構造体を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、モールドゲート部から対応する樹脂充填領域６１（図５（ｃ）参照）に絶縁性樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われる。封止の手法としては、例えばトランスファーモールドが用いられる。
【００６４】
その後、図１１（ｃ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１（図７（ｂ）参照）に沿ってダイサーやルータ等で切断する。これにより、図１１（ｄ）に示すように、発光装置２が個片化され、複数の発光装置２が製造される。
【００６５】
このような製造方法によれば、封止樹脂５０の形成についても一括モールディング方式により行うことができるため、製造コストを低減することができる。
・上記実施形態の基板１では、電極１１の基板１外周側の側面及び枠部２３の基板１外周側の側面と面一になるように樹脂層３０を形成するようにした。これに限らず、例えば図１２に示す発光装置２Ａの基板１Ａのように、電極１１の基板１外周側の側面及び枠部２３の基板１外周側の側面を被覆するように樹脂層３０Ａを形成するようにしてもよい。この場合、発光素子４０等を封止するように封止樹脂５０が樹脂層３０Ａの上面に形成される。なお、このような基板１Ａ及び発光装置２Ａは、例えば図７（ｂ）に示したダイシング位置Ｄ１を、電極１１の外方や枠部２３の外方にずらすように一回り大きくして樹脂層３０部分を切断することにより、容易に得ることができる。
【００６６】
・上記実施形態及び上記変形例では、樹脂層３０の形成や封止樹脂５０の形成を、複数個の基板１（発光装置２）単位で樹脂充填や樹脂封止を行う一括モールディング方式を採用するようにした。これに限らず、一括モールディング方式の代わりに、個々の基板１（発光装置２）毎に樹脂充填や樹脂封止を行う個別モールディング方式を採用するようにしてもよい。
【００６７】
・上記実施形態における連結部７４を除去する工程（図７参照）において、連結部７４と併せて、例えば枠部２３を除去するようにしてもよい。
・上記実施形態の第１リードフレーム１０では、電極１１のベース部１１Ａの下面全面及び放熱板１２のベース部１２Ａの下面全面に金属層１３を形成するようにした。これに限らず、例えば第１リードフレーム１０の全面（全表面）に金属層１３を形成するようにしてもよい。この場合の金属層１３の材料としては、例えばニッケル、銀又はそれらの合金を用いることができる。
【００６８】
・上記実施形態の第２リードフレーム２０では、第１配線２１の上面全面及び第２配線２２の上面の一部に金属層２４を形成するようにした。これに限らず、例えば第２リードフレーム２０の上面全面に金属層２４を形成するようにしてもよい。すなわち、第１配線２１の上面全面、第２配線２２の上面全面及び枠部２３の上面全面に金属層２４を形成するようにしてもよい。
【００６９】
・上記実施形態における放熱板１２を省略するようにしてもよい。
・上記実施形態では、基板１に発光素子４０をフリップチップ実装するようにしたが、これに限らず、例えば基板１に発光素子４０をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００７０】
・上記実施形態のツェナーダイオード２８では、ツェナーダイオードチップ下面に電極２８Ａを形成し、ツェナーダイオードチップ上面に電極２８Ｂを形成するようにした。これに限らず、例えばツェナーダイオードチップ上面に２つの電極を形成するようにしてもよい。この場合には、一方の延出部２２Ｂ上に接着剤によりツェナーダイオードチップ下面を接着し、ツェナーダイオードチップ上面の２つの電極の各々を、ワイヤボンディングにより一方の延出部２２Ｂ上面及び他方の延出部２２Ｂの上面と電気的に接続する。
【００７１】
あるいは、対向する２つの延出部２２Ｂの先端部間に形成された樹脂層３０の上面に、接着剤によりツェナーダイオードチップ下面を接着する。そして、ツェナーダイオードチップ上面の２つの電極の各々を、ワイヤボンディングにより一方の延出部２２Ｂ上面及び他方の延出部２２Ｂの上面と電気的に接続する。
【００７２】
・上記実施形態におけるツェナーダイオード２８を省略するようにしてもよい。具体的には、静電気による発光素子４０の破壊を考慮する必要のない場合には、ツェナーダイオード２８を省略するようにしてもよい。なお、この場合には、延出部２２Ｂの先端部の上面に形成された金属層２４を省略することができる。
【００７３】
・上記実施形態では、金属層１３，２４を電解めっき法により形成するようにした。これに限らず、例えば金属層１３，２４を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。
【００７４】
・上記実施形態における溝部１１Ｘ及び開口部２２Ｘの平面形状は、円形状に限らず、例えば楕円状や、矩形状、五角形や六角形等の多角形状であってもよい。
・上記実施形態における基板１及び発光装置２の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
【００７５】
・上記実施形態における基板１に搭載される発光素子４０を、平面視してマトリクス状に配置するようにしたが、発光素子４０の配置形態は特に限定されない。
・上記実施形態における基板１に搭載される発光素子４０の個数は、特に限定されない。
【００７６】
・上記実施形態における第１配線２１及び第２配線２２の形状や電極１１の形状も特に限定されない。例えば第１配線２１及び第２配線２２の形状を、図１３（ａ）に示されるような形状に変更してもよい。詳述すると、第２リードフレーム２０は、一対の配線２５，２６と、配線２５，２６を囲むように形成された枠部２７とを有している。配線２５は、平面視略半楕円状に形成された接続部２５Ａと、その接続部２５Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図１３（ａ）では６つ）のリード２５Ｂとを有している。配線２６は、平面視略半楕円状に形成された接続部２６Ａと、その接続部２６Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図１３（ａ）では５つ）のリード２６Ｂとを有している。これら一対の配線２５，２６は、互いのリード２５Ｂ，２６Ｂが交互に入り組むように配置されている。この場合には、配線２５と配線２６との間には、平面視において、略Ｗ字が連続した形状の開口部２０Ｙが形成されている。そして、この開口部２０Ｙによって、一対の配線２５，２６は互いに電気的に分離されている。なお、配線２５の接続部２５Ａには、電極１１（図１参照）と接合するための開口部２５Ｘが形成され、配線２６の接続部２６Ａには、電極１１と接合するための開口部２６Ｘが形成されている。
【００７７】
このような配線２５，２６を有する基板１に複数の発光素子４０を実装した場合には、図１３（ｂ）に示すように、各発光素子４０は、上記開口部２０Ｙを跨るように、その開口部２０Ｙの両側に形成されたリード２５Ｂ，２６Ｂ上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子４０の一方のバンプ４１がリード２５Ｂ上にフリップチップ接合され、他方のバンプ４１がリード２６Ｂ上にフリップチップ接合されている。また、複数の発光素子４０は、リード２５Ｂ，２６Ｂ上にマトリクス状（図１３（ｂ）では、８×４）に配列されている。これにより、発光素子４０が直列及び並列に接続されることになる。この場合であっても、上記実施形態の第２配線２２と同様に、配線２５，２６が電極１１と接合されることにより、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００７８】
（発光装置の実装例）
図１４は、上記実施形態の基板１に発光素子４０を実装してなる発光装置２の適用例を示したものであり、発光装置２を実装基板９０に実装した場合の断面構造を示している。
【００７９】
実装基板９０は、樹脂基板９１と、配線層９２とを有している。そして、発光装置２は、配線層９２上に搭載されている。具体的には、発光装置２は、電極１１の下面に形成された金属層１３と配線層９２とがはんだ接合等により接続され、実装基板９０上に実装されている。このとき、発光装置２では、発光素子４０が搭載された面とは反対側の面（図中の下面）に電極１１（具体的には、金属層１３）が露出されているため、その金属層１３を実装基板９０の配線層９２に対向させるようにして、電極１１と配線層９２とを接合すればよい。このため、電極１１と配線層９２とは、はんだ９３を介して電気的に接続されている。また、この場合に、放熱板１２は、熱伝導部材９４を介して放熱用の配線層９２と熱的に接続されている。なお、熱伝導部材９４としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。
【００８０】
このような構造によれば、発光素子４０の搭載される第１配線２１及び第２配線２２が、電極１１を介して実装基板９０の配線層９２に接続されている。また、発光素子４０の搭載される第１配線２１の下方に形成された放熱板１２が、熱伝導部材９４を介して実装基板９０の配線層９２に熱的に接続されている。これらにより、発光素子４０から発生した熱を配線層９２に効率良く放熱することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１ 基板
２ 発光装置
１０ 第１リードフレーム
１１ 電極
１２ 放熱板
１３ 金属層（第１金属層）
２０ 第２リードフレーム
２１ 第１配線
２２ 第２配線
２３，２７ 枠部
２４ 金属層（第２金属層）
２５，２６ 配線
３０ 樹脂層
３２ 接着フィルム
３２Ａ 絶縁層
４０ 発光素子
５０ 封止樹脂
７４ 連結部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板と複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームと、
発光素子搭載用の複数の配線を有し、前記第１リードフレーム上に積層された第２リードフレームと、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間に充填された樹脂層と、を有し、
前記放熱板の上方に前記配線が配置され、
前記電極と一部の前記配線とが接合されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記樹脂層は、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間と併せて、複数の前記配線の間と、前記電極と前記放熱板の間に充填され、
前記配線の上面が前記樹脂層の上面から露出し、前記電極及び前記放熱板の下面が前記樹脂層の下面から露出していることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２リードフレームは、発光素子との接続部を有する複数の第１配線と、前記電極及び前記発光素子との接続部を有する一対の第２配線とを有し、
前記一対の第２配線間に、前記複数の第１配線が平行に隣接して配置されており、
前記第１配線及び前記第２配線の上面が、前記発光素子の搭載部であり、
前記第２配線の下面が、前記電極との接続部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記第１リードフレームは、一対の前記電極と、前記一対の電極間に設けられた前記放熱板とを有し、
前記電極の上面が前記配線との接続部であり、前記樹脂層から露出した前記電極の下面が、基板外部との接続部であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記放熱板は、前記複数の電極の間に設けられ、前記電極と接合されていない前記配線と対向するように設けられ、
前記電極と接合されていない配線と前記放熱板との間に形成された絶縁層と、を有し、
前記樹脂層は、前記電極と前記放熱板との間に充填されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記第２リードフレームは、前記複数の配線を囲むように形成された枠部を有し、
前記樹脂層は、前記枠部と前記電極との間に充填されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
前記樹脂層から露出した前記電極の下面に第１金属層が形成され、
前記樹脂層から露出した前記配線の上面に第２金属層が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の基板。
【請求項８】
前記樹脂層がモールド樹脂からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の基板。
【請求項９】
放熱板及び複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームと、
発光素子搭載用の複数の配線を有し、前記第１リードフレーム上に積層された第２リードフレームと、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間に充填された樹脂層と、
前記複数の配線上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記放熱板の上方に前記配線が配置され、
前記電極と一部の前記配線とが接合されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
金属板をプレス加工又はエッチング加工し、放熱板及び複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームを形成する工程と、
金属板をプレス加工又はエッチング加工して、発光素子搭載用の複数の配線を有する第２リードフレームを形成する工程と、
前記第１リードフレーム上に前記第２リードフレームを積層し、前記電極と一部の前記配線とを接合する工程と、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームの間に樹脂層を充填する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層を充填する工程では、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間と併せて、前記複数の配線の間、及び前記電極と前記放熱板の間に前記樹脂層が充填され、
前記樹脂層の上面から前記配線の上面が露出されるように、且つ前記樹脂層の下面から前記電極及び前記放熱板の下面が露出されるように前記樹脂層が形成されることを特徴とする請求項１０に記載の基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２リードフレームを形成する工程では、発光素子との接続部を有する複数の第１配線と、電極及び前記発光素子との接続部を有する一対の第２配線とを有し、前記一対の第２配線間に、前記複数の第１配線が平行に隣接して配置され、前記第１配線及び前記第２配線の上面が前記発光素子の搭載部となり、前記第２配線の下面が前記電極との接続部になる前記第２リードフレームを形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板の製造方法。
【請求項１３】
前記放熱板は、前記複数の電極の間に設けられ、
前記積層する工程では、前記放熱板上に絶縁性の接着フィルムを貼着し、前記電極と接合されない前記配線を前記接着フィルムに接着するように、前記第１リードフレーム上に前記第２リードフレームを積層し、
前記樹脂層を充填する工程では、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間と併せて、前記放熱板と前記電極との間に前記樹脂層を充填することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１リードフレームを形成する工程では、一対の前記電極と、前記一対の電極間に設けられた前記放熱板とを有し、前記電極の上面が前記配線との接続部となり、前記樹脂層から露出した前記電極の下面が基板外部との接続部となる前記第１リードフレームを形成することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２リードフレームは、前記各配線を接続する連結部を有し、
前記複数の配線及び前記連結部を給電層とする電解めっき法により、前記複数の配線上に金属層を形成する工程と、
前記樹脂層を充填する工程の後に、前記連結部を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項１６】
前記電極と前記配線の接合は、はんだ接合、抵抗溶接及び超音波接合のいずれかの方法により行われることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項１】
放熱板と複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームと、
発光素子搭載用の複数の配線を有し、前記第１リードフレーム上に積層された第２リードフレームと、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間に充填された樹脂層と、を有し、
前記放熱板の上方に前記配線が配置され、
前記電極と一部の前記配線とが接合されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記樹脂層は、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間と併せて、複数の前記配線の間と、前記電極と前記放熱板の間に充填され、
前記配線の上面が前記樹脂層の上面から露出し、前記電極及び前記放熱板の下面が前記樹脂層の下面から露出していることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２リードフレームは、発光素子との接続部を有する複数の第１配線と、前記電極及び前記発光素子との接続部を有する一対の第２配線とを有し、
前記一対の第２配線間に、前記複数の第１配線が平行に隣接して配置されており、
前記第１配線及び前記第２配線の上面が、前記発光素子の搭載部であり、
前記第２配線の下面が、前記電極との接続部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記第１リードフレームは、一対の前記電極と、前記一対の電極間に設けられた前記放熱板とを有し、
前記電極の上面が前記配線との接続部であり、前記樹脂層から露出した前記電極の下面が、基板外部との接続部であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記放熱板は、前記複数の電極の間に設けられ、前記電極と接合されていない前記配線と対向するように設けられ、
前記電極と接合されていない配線と前記放熱板との間に形成された絶縁層と、を有し、
前記樹脂層は、前記電極と前記放熱板との間に充填されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記第２リードフレームは、前記複数の配線を囲むように形成された枠部を有し、
前記樹脂層は、前記枠部と前記電極との間に充填されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
前記樹脂層から露出した前記電極の下面に第１金属層が形成され、
前記樹脂層から露出した前記配線の上面に第２金属層が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の基板。
【請求項８】
前記樹脂層がモールド樹脂からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の基板。
【請求項９】
放熱板及び複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームと、
発光素子搭載用の複数の配線を有し、前記第１リードフレーム上に積層された第２リードフレームと、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間に充填された樹脂層と、
前記複数の配線上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記放熱板の上方に前記配線が配置され、
前記電極と一部の前記配線とが接合されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
金属板をプレス加工又はエッチング加工し、放熱板及び複数の外部接続用の電極を有する第１リードフレームを形成する工程と、
金属板をプレス加工又はエッチング加工して、発光素子搭載用の複数の配線を有する第２リードフレームを形成する工程と、
前記第１リードフレーム上に前記第２リードフレームを積層し、前記電極と一部の前記配線とを接合する工程と、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームの間に樹脂層を充填する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層を充填する工程では、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間と併せて、前記複数の配線の間、及び前記電極と前記放熱板の間に前記樹脂層が充填され、
前記樹脂層の上面から前記配線の上面が露出されるように、且つ前記樹脂層の下面から前記電極及び前記放熱板の下面が露出されるように前記樹脂層が形成されることを特徴とする請求項１０に記載の基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２リードフレームを形成する工程では、発光素子との接続部を有する複数の第１配線と、電極及び前記発光素子との接続部を有する一対の第２配線とを有し、前記一対の第２配線間に、前記複数の第１配線が平行に隣接して配置され、前記第１配線及び前記第２配線の上面が前記発光素子の搭載部となり、前記第２配線の下面が前記電極との接続部になる前記第２リードフレームを形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板の製造方法。
【請求項１３】
前記放熱板は、前記複数の電極の間に設けられ、
前記積層する工程では、前記放熱板上に絶縁性の接着フィルムを貼着し、前記電極と接合されない前記配線を前記接着フィルムに接着するように、前記第１リードフレーム上に前記第２リードフレームを積層し、
前記樹脂層を充填する工程では、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間と併せて、前記放熱板と前記電極との間に前記樹脂層を充填することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１リードフレームを形成する工程では、一対の前記電極と、前記一対の電極間に設けられた前記放熱板とを有し、前記電極の上面が前記配線との接続部となり、前記樹脂層から露出した前記電極の下面が基板外部との接続部となる前記第１リードフレームを形成することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２リードフレームは、前記各配線を接続する連結部を有し、
前記複数の配線及び前記連結部を給電層とする電解めっき法により、前記複数の配線上に金属層を形成する工程と、
前記樹脂層を充填する工程の後に、前記連結部を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の基板の製造方法。
【請求項１６】
前記電極と前記配線の接合は、はんだ接合、抵抗溶接及び超音波接合のいずれかの方法により行われることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか１つに記載の基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
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【図４】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−１０１９９６（Ｐ２０１３−１０１９９６Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４３７００（Ｐ２０１１−２４３７００）
【出願日】平成２３年１１月７日（２０１１．１１．７）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月７日（２０１１．１１．７）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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