説明

多数個取り配線基板

【課題】バリや欠け等の発生を抑制して分割することが可能な多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板領域102が配列された下部母基板108と、その上面に積層された壁部を形成する上部母基板109とからなる母基板101の上面に、配線基板領域102の境界105に沿って分割溝106が形成されてなり、上部母基板109が配線基板領域102の1つの辺において非形成とされて壁部がコの字状であり、この1つの辺同士が隣り合って配置されており、下部母基板108に、境界105において露出した部位に厚み方向に貫通するスリット110が形成されているとともに、スリット110に隣接する上部母基板109の内側面の上端から下端にかけて溝部111が形成されている多数個取り配線基板である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するための搭載部を有する複数の配線基板領域が縦横の並びに配列され、それぞれの配線基板領域において搭載部の周辺に平面視でコの字状に壁部が形成された多数個取り配線基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなり、上面に電子部品を搭載するための搭載部を有する四角平板状の基板部と、セラミック焼結体からなり、搭載部を取り囲むように基板部の上面に積層された四角枠状の壁部とを備えている。
【0003】
このような配線基板は、一般に、1枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、上記のような配線基板となる配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列されてなり、隣り合う配線基板領域の基板部同士および壁部同士は互いにつながっている。
【0004】
上記従来の配線基板および多数個取り配線基板では、搭載部と壁部とにより電子部品を気密封止するための凹部(いわゆるキャビティ)が形成され、例えば蓋体を壁部の上面に接合して凹部を塞ぐことで、搭載部に搭載された電子部品が気密封止される。
【0005】
なお、多数個取り配線基板においては、配線基板領域の境界に沿って分割溝が形成されており、この分割溝を挟んで母基板に曲げ応力を加えて母基板を破断させることによって、個片の配線基板への分割が行なわれる。分割溝は、未焼成の母基板の上面および下面に、隣り合う配線基板領域の境界にカッター刃等を用いて所定の深さで切り込みを入れることによって形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2009−283645号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
近年、搭載部を外部に開放させるように、基板部上に積層された四角枠状の壁部を1つの辺において非形成とした(壁部をコの字状とした)配線基板が用いられるようになってきている。このような配線基板を多数個取り配線基板の形態で製作するときに、個々の配線基板となる複数の配線基板領域は、壁部が非形成とされた辺同士が隣り合うように配列され、分割溝は、母基板の上下面、つまり基板部の下面、および壁部の上面にそれぞれ形成される。この場合、通常、壁部が非形成とされた辺における基板部の露出した上面には分割溝が形成されていない。これは、母基板の上面側の分割溝を基板部の上面に達するまで深くすると、母基板の上面側の分割溝が下面側の分割溝に比べて深くなりすぎるためであり、また、製造工程における未焼成の母基板(特に壁部)の変形を抑制するためである。
【0008】
そのため、壁部の上面の分割溝が開くように母基板に曲げ応力を加えて母基板を破断させると、必ずしも境界に沿って亀裂が進行するとは限らず、境界から外れた位置で、亀裂が基板部の露出した上面から下面にかけて進行してしまう場合がある。したがって、壁部
を非形成とした部分においては境界に沿った分割が難しく、個片の配線基板の壁部が形成されない端面側にはバリや欠けが発生しやすいという問題があった。
【0009】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、配線基板領域の1つの辺において壁部が形成されず、壁部がコの字状とされた複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されてなる多数個取り配線基板であって、分割時に配線基板領域の境界に沿ってバリや欠け等が発生することを抑制できる多数個取り配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の多数個取り配線基板は、セラミック焼結体からなり、上面の中央部に電子部品の搭載部を有する四角形状の複数の配線基板領域が縦横の並びに配列された平板状の下部母基板と、セラミック焼結体からなり、前記下部母基板の上面に積層された、それぞれの前記配線基板領域において前記搭載部の周辺に壁部を形成するための枠状の上部母基板とからなる母基板の上面に、前記配線基板領域の境界に沿って分割溝が形成された多数個取り配線基板であって、前記上部母基板が前記配線基板領域の1つの辺において非形成とされて前記壁部がコの字状とされているとともに、複数の前記配線基板領域が、前記上部母基板が非形成とされた1つの辺同士が隣り合うように配置されており、前記下部母基板に、前記配線基板領域の境界において前記上部母基板が非形成とされた1つの辺に沿って露出した部位に、前記下部母基板を厚み方向に貫通するスリットが形成されているとともに、該スリットに隣接する前記上部母基板の内側面に、該内側面の上端から下端にかけて溝部が形成されていることを特徴とする。
【0011】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記溝部は、前記上部母基板の前記内側面の上端から下端にかけて、漸次幅が狭くなるように形成されていることを特徴とする。
【0012】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記スリットが、その両端において前記上部母基板の下側に位置する前記下部母基板に延長されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【0013】
本発明の多数個取り配線基板によれば、配線基板領域が縦横の並びに配列された平板状の下部母基板と、セラミック焼結体からなり、下部母基板の上面に積層された、それぞれの配線基板領域において前記搭載部の周辺に壁部を形成するための枠状の上部母基板とからなる母基板に分割溝が形成された多数個取り配線基板について、下部母基板に、配線基板領域の境界において上部母基板が非形成とされた1つの辺に沿って露出した部位に、下部母基板を厚み方向に貫通するスリットが形成されていることから、基板部としての下部母基板の分割溝の形成が難しい部位において、下部母基板の境界がスリットによってあらかじめ分離しているため、配線基板領域の境界に沿った母基板の分割が容易である。
【0014】
また、このスリットに隣接する枠部としての上部母基板の内側面に、上部母基板の上端から下端にかけて溝部が形成されていることから、母基板を分割するときの上部母基板の上面の分割溝の底部から進行する亀裂を、溝部に沿って、上部母基板の下端に接した下部母基板のスリット部分に容易に導くことができる。そのため、溝部からの母基板の破断(分割)位置とスリットによる分割位置とを一致させることが容易であり、母基板を個片の配線基板に分割する際のバリやカケ等の不具合を効果的に抑制することができる。
【0015】
したがって、配線基板領域の1つの辺において壁部が形成されず、壁部がコの字状とされた複数の配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列された多数個取り配線基板において
、分割後の配線基板の端面にバリや欠け等が発生することを抑制できる多数個取り配線基板を提供することができる。
【0016】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、溝部が、上部母基板の内側面の上端から下端にかけて、漸次幅が狭くなるように形成されている場合には、分割溝の底部から発生した亀裂を、上部母基板の上端から下端にかけて上部母基板の内側面に形成された溝部に沿って、上部母基板の下端に接する下部母基板のスリットが形成された部分(スリットの端)により確実に進行させることができ、個片の配線基板にバリや欠けが発生することをより効果的に抑制できる。
【0017】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、スリットが、その両端において上部母基板の下側に位置する下部母基板に延長されている場合には、スリットによって下部母基板があらかじめ分割されている範囲がより広くなり、また、下部母基板のうち溝部の下側に位置する部位もあらかじめスリットによって分離しているため、境界に沿った母基板の分割をより容易、かつ確実に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】(a)は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例における一部を示す上面図であり、(b)は(a)のX−X’線における断面図であり、(c)は(a)のY−Y’線における断面図である。
【図2】図1に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す要部斜視図である。
【図3】図1に示す多数個取り配線基板の全体を模式的に示す平面図である。
【図4】(a)および(b)はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の効果を説明するための模式図(要部斜視図)である。
【図5】本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例における要部を示す要部斜視図である。
【図6】本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例における要部を示す要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
本発明の多数個取り配線基板および配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。図1(a)は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例における一部を示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)のX−X’線における断面図であり、図1(c)は、図1(a)のY−Y’線における断面図である。また、図2は、図1に示す多数個取り配線基板の要部を示す斜視図であり、図3は、図1に示す多数個取り配線基板の全体を模式的に示す平面図である。
【0020】
搭載部103を有する複数の配線基板領域102が縦横の並びに配列された下部母基板108に
上部母基板109が積層されて母基板101が構成され、母基板101に、配線基板領域102の境界105に沿って分割溝106が形成されて多数個取り配線基板が基本的に構成されている。このような多数個取り配線基板の母基板101が配線基板領域102の境界105に沿って分割されて
個片の配線基板(図示せず)が作製される。作製される個片の配線基板の絶縁基板は、搭載部103を有する四角平板状の下部基板(図示せず)の上面に、下部基板の3つの辺にお
いて搭載部103の周辺に壁部を形成するコの字状の上部基板(図示せず)が積層されて基
本的に構成されている。
【0021】
母基板101は、セラミック焼結体からなり、上面の中央部に電子部品の搭載部103を有する四角形状の複数の配線基板領域102が縦横の並びに配列された平板状の下部母基板108と、セラミック焼結体からなり、下部母基板108の上面に積層された、それぞれの配線基板
領域102において搭載部103の周辺に壁部(符号なし)を形成するための枠状の上部母基板
109とからなる。
【0022】
なお、上部母基板109は、1つの配線基板領域102に対してはコの字状に壁部を形成しているのみであって、搭載部103の周囲を取り囲む枠状ではないが、隣り合う2つの配線基
板領域102の搭載部103をまとめて枠状に取り囲んでおり、全体として枠状になっている。
【0023】
下部母基板108および上部母基板109は、酸化アルミニウム質焼結体,ガラスセラミック焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。
【0024】
なお、この実施の形態の例において、図3に示すように多数個取り配線基板である母基板101の外周には、配列された複数の配線基板領域102を取り囲むようにダミー領域(符号なし)が設けられている。ダミー領域は、多数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。
【0025】
母基板101は、例えば下部母基板108と上部母基板109とが一体焼成されて作製されてい
る。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機溶剤およびバインダを添加してシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、この一部のものについて打ち抜き加工を施して枠状に成形した後、打ち抜き加工を施していない平板状のセラミックグリーンシートの上に枠状のセラミックグリーンシートを積層し、この積層体を一体焼成すれば、酸化アルミニウム焼結体等からなる母基板101を作製する
ことができる。この場合、平板状のセラミックグリーンシートが下部母基板108になり、
枠状のセラミックグリーンシートが上部母基板109になる。
【0026】
下部母基板108に配列された複数の配線基板領域102は、中央部等に電子部品の搭載部103を有しており、それぞれが個片の配線基板の下部基板となる領域である。この下部母基
板108の上に枠状の上部母基板109が積層されて母基板101が形成されている。上部母基板109は、搭載部103の周辺に壁部を形成するためのものであり、個片の配線基板の上部基板109となるものである。壁部は、搭載部103に搭載される電子部品(図示せず)を保護する
ためのものである。
【0027】
搭載部103に搭載される電子部品としては、水晶振動子等の圧電振動子,弾性表面波素
子,半導体集積回路素子(IC)等の半導体素子,容量素子,インダクタ素子,抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。
【0028】
図1〜図3に示す例において、搭載部103に配線導体104の一部が形成されている。配線導体104は、例えば搭載部103から母基板101の内部を経て、母基板101の下面等の、個片の配線基板において外表面となる部位にかけて形成されている。配線導体104のうち母基板101の内部に形成されたものは貫通導体(いわゆるビア導体等)や内部配線層等の形態である。搭載部103に搭載される電子部品を配線導体104に電気的に接続させれば、配線導体104を介して電子部品を外部の電気回路に電気的に接続させることができる。
【0029】
配線導体104は、例えば銅や銀,パラジウム,金,白金,タングステン,モリブデン,
マンガン等の金属材料からなる。配線導体104は、例えば銅からなる場合であれば、銅の
粉末に有機溶剤およびバインダを添加して作製した金属ペースト(図示せず)を母基板101となるセラミックグリーンシートに所定パターンに塗布しておき、同時焼成することに
よって形成することができる。
【0030】
この多数個取り配線基板は、四角形状の配線基板領域102の1つの辺において上部母基
板109が非形成とされて下部母基板108が配線基板領域102の境界105まで露出している。つ
まり、この多数個取り配線基板においては、配線基板領域102の搭載部103が全周にわたって壁部で囲まれるのではなく、壁部がコの字状であり、四角形状の配線基板領域102の1
つの辺において外部に搭載部103が開放されている。
【0031】
なお、上部母基板109の非形成とされている範囲は、図1に示しているように、上記1
つの辺の全長にわたるものではなく、この1つ辺に接する(直交する)2つの辺と交わる部分には及んでいない。言い換えれば、上記2つの辺に相当する上部母基板109が配線基
板領域102の境界105まで達していて、この2つの辺の間で搭載部103が外部に開放されて
いる。複数の配線基板領域102は、上部母基板109が非形成とされた1つの辺同士が隣り合うように配列されており、上記2つの辺に相当する上部母基板109同士は互いにつながっ
ている。
【0032】
このような形態の多数個取り配線基板を個片に分割して作製される配線基板は、例えば、携帯電話用テレビチューナーモジュール等の用途に使用される。この用途の場合には、搭載部103に電子部品であるチューナーIC(図示せず)を搭載し、これを樹脂等の封止
材(図示せず)で被覆して封止すれば、上記モジュールが作製される。この場合、多数個取り配線基板の状態で、個々の配線基板領域102の搭載部103にチューナーICを搭載するとともに、母基板101(下部母基板108)の下面にOFDMチップ(orthogonal freqeuncy
division multiplex:直交周波数分割多重方式、図示せず)を搭載し、その後、個片の
配線基板(配線基板に電子部品が搭載されてなる個々の電子装置)に分割するようにしてもよい。なお、チューナーICの電極は半田(図示せず)を介して配線導体104と電気的
に接続され、OFDMの電極はボンディングワイヤ等(図示せず)を介して母基板101の
下面側に形成された配線導体(図示せず)と電気的に接続される。
【0033】
母基板101の分割のために、配線基板領域102の境界105に沿って、上部母基板109の上面および下部母基板108の下面に分割溝106が形成されている。分割溝106が形成されている
部分(配線基板領域102の境界105)で母基板101に応力を加えて母基板101を厚み方向に破断させることによって、母基板101が個片の配線基板に分割される。
【0034】
これらの分割溝106は、母基板101となるセラミックグリーンシートの積層体に、下部母基板108となるセラミックグリーンシートの下面、および上部母基板109となるセラミックグリーンシートの上面に、配線基板領域102の境界105に沿ってカッター刃等で切り込みを入れることによって形成されている。
【0035】
本発明の多数個取り配線基板において、配線基板領域102の境界105において上部母基板109が非形成とされた1つの辺に沿って露出した部位に、下部母基板108を厚み方向に貫通するスリット110が形成されているとともに、スリット110に隣接する上部母基板109の内
側面に、上部母基板109の上端から下端にかけて溝部111が形成されている。
【0036】
スリット110は、平面視で帯状であり、下部母基板108を厚み方向に貫通している。スリット110は、母基板101の分割を容易とするためのものである。また、溝部111は、母基板101を分割する際に、上部母基板109の上面の分割溝106から生じた亀裂をスリット110が形
成されている位置、つまり配線基板領域102の境界105に導くためのものである。
【0037】
すなわち、本発明の多数個取り配線基板によれば、上記構成を備えることから、基板部としての下部母基板108の分割溝106の形成が難しい部位において、下部母基板108がスリ
ット110によってあらかじめ分離しているため、配線基板領域102の境界105に沿った母基
板101の分割が容易である。
【0038】
また、このスリット110に隣接する枠部としての上部母基板109の内側面に、上部母基板
109の上端から下端にかけて溝部111が形成されていることから、母基板101を分割すると
きの上部母基板109の上面の分割溝106から発生した亀裂を、溝部111に沿って下部母基板108のスリット110の部分に容易に導くことができる。そのため、溝部111からの母基板101
の破断(分割)位置とスリット110による分割位置とを一致させることが容易であり、母
基板101を個片の配線基板に分割する際のバリやカケ等の不具合を効果的に抑制すること
ができる。
【0039】
したがって、配線基板領域102の1つの辺において壁部が形成されず、壁部がコの字状
とされた配線基板領域102を複数配列した多数個取り配線基板において、分割後の配線基
板の端面側にバリや欠け等が発生することを抑制できる多数個取り配線基板を提供することができる。
【0040】
なお、この場合、単にスリット110を形成しただけでは、例えば図4(a)に示すよう
に、母基板101を上部母基板109の上面の分割溝106が形成された部分で発生した亀裂がス
リット110に対して外れて進行する可能性がある。また、母基板101のスリット110に隣接
する部分、つまりスリット110に接する下部母基板108の一部に、上部母基板109から下部
母基板108にかけて亀裂が進行する際の機械的な衝撃でカケ等の機械的な破壊が生じる可
能性がある。これに対して、上記のように溝部111を形成しておけば、例えば図4(b)
に示すように、溝部111に沿って亀裂を進行させてスリット110が形成されている位置に導くことができる。また、溝部111が形成されている分、上部母基板109が破断しやすく、上部母基板109から下部母基板108にかけて亀裂が進行する際の機械的な衝撃を低く抑えることができる。そのため、母基板101を個片の配線基板に分割する際のバリやカケ等の不具
合を効果的に抑制することができる。なお、図4(a)および(b)は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の効果を示すための模式図(要部斜視図)である。図4において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。
【0041】
スリット110は、下部母基板108となるセラミックグリーンシートについて、後の工程で枠状のセラミックグリーンシートを積層したときに配線基板領域102の境界105のうち露出する部分となる部分に、金型等を用いた機械的な打ち抜き加工やレーザ加工等の方法で厚み方向に貫通する部分を、平面視で所定のスリット110の形状および寸法で(焼成収縮を
考慮して)設けておくことによって形成することができる。この場合、積層ずれ等を考慮して、スリット110の長さを所定の長さよりも若干長くしておいてもよい。
【0042】
溝部111は、上部母基板109となるセラミックグリーンシートについて、上記のように枠状に打ち抜き加工をする際に、配線基板領域102の境界105において非形成となる1つの辺に接する(直交する)2つの辺の内側面に、配線基板領域102の境界105に相当する部位において、上端から下端にかけて、金型等を用いて溝を形成する加工を施せばよい。この形成した溝が溝部111になる。
【0043】
下部母基板108に形成されるスリット110の幅は、例えば上部母基板109および下部母基
板108がともに酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、0.2〜0.5mm程度であ
る。例えば、配線基板領域102が1辺の長さが約3〜10mm程度の四角形状であり、搭載
部103の面積を約5〜80mm程度確保する場合であれば、壁部の幅は約0.25〜0.5mm程
度に設定し、さらに上部母基板109に形成される溝部111の幅は、スリット110の幅よりも
やや狭くなるような幅、つまり0.15〜0.4mm程度で形成すればよい。これにより、上面
の分割溝106から進行した亀裂を上部母基板109の内側面に形成された溝部111に沿って壁
部の上側から基板部(下部母基板108)の下面の分割溝106の端部にかけて正確に進行させることができるとともに、スリット110の幅の範囲内に亀裂が進行することとなる。
【0044】
ここで、溝部111の平面視における形状は、図1では半円状としている。これは、上面
の分割溝106から進行した亀裂が上部母基板109の内側面に形成された溝部111に沿って進
行する際に、境界105から亀裂が外れることを抑制するためである。溝部111の形状が半円状となっているため、半円状の溝部111の底部、つまり壁部の最も狭い幅となる部分に亀
裂が誘導されるため、境界105から亀裂が外れることを抑制する効果がある。平面視にお
ける溝部111の形状は、このように壁部の最も狭い幅となる部分が形成されるような形状
であれば、同様の効果を有する。溝部111の平面視における形状を、例えば、V字状やU
字状としてもよい。
【0045】
なお、このような本発明の多数個取り配線基板によれば、上部母基板109を非形成とし
て配線基板領域102のスリット110まで下部母基板108の上面を露出させているので、下部
母基板108の上面、つまり電子部品が搭載される搭載部103の面積を広く確保する上で有利である。また、この場合には、コの字状に壁部が形成されているので、母基板101が平板
状の多数個取り配線基板に比べて、電子部品をより確実に保護することができ、気密封止も容易である。たとえば、個片の配線基板の搭載部(図示せず)に電子部品を搭載した後、開放された搭載部の1つの辺を金具やガラス等の部材(図示せず)で塞げば、枠状の壁部の場合と同様に蓋体等による気密封止ができる。このような部材に光ファイバや電気配線等を通して、電子部品と外部の電気回路等との間で光や電気等の信号の送受信を行なわせることもできる。
【0046】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、上記構成において、例えば図5に示すように、溝部111が、上部母基板109の内側面の上端から下端にかけて、漸次幅が狭くなるように形成されている場合には、分割溝106の底部から進行する亀裂を、上部母基板109の内側面に形成された溝部111に沿って、上部母基板109の下端に接する下部母基板108のスリ
ット110が形成された部分により正確に進行させることができ、個片の配線基板にバリや
欠けが発生することをより効果的に抑制できる。
【0047】
すなわち、この場合には、上部母基板109の上端側では溝部111の幅が比較的広いため溝部111の位置において上部母基板109に亀裂を生じさせることが容易であり、この上端側から下端側に向かって、亀裂が進行する方向を次第に絞って、より確実に、上部母基板109
のうちスリット110が形成された部分に亀裂を進行させることができる。
【0048】
下部母基板108に形成されるスリット110の幅を0.2〜0.5mm程度とした場合であれば、例えば、上部母基板109に形成される溝部111の下側の幅を、スリット110の幅よりもやや
狭くなるような幅、つまり0.15〜0.4mm程度で形成すればよい。また、上部母基板109に形成される溝部111の上側の幅は、スリット110の幅よりもやや広くなるような幅、つまり0.3〜0.7mm程度で形成すればよい。これにより、上面の分割溝106から進行する亀裂を
溝部111の幅の範囲内で進行するように誘導して、上部母基板109から下部母基板108の下
面の分割溝106にかけて亀裂を正確に進行させることができる。
【0049】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、上記構成において、例えば図6に示すように、スリット110が、その両端において上部母基板109の下側に位置する下部母基板108
に延長されている場合には、スリット110によって下部母基板108があらかじめ分割されている範囲がより広くなり、また、下部母基板108のうち溝部111の下側に位置する部位もあらかじめスリット110によって分離しているため、境界105に沿った母基板101の分割をよ
り容易、かつ確実に行なうことができる。この場合、溝部111が母基板101の下面まで延長されているとみなすこともできる。
【0050】
分割溝106は、母基板101をこの分割溝106に沿って破断させ、個片の配線基板に分割す
るためのものである。前述したように、分割溝106には、上部母基板109の上面に形成されているものと、下部母基板108の上面に形成されているものとがある。これらの分割溝106
は、配線基板領域102の同じ一続きの境界105上にあるもの同士は、平面視で一直線上に続いている。また、上部母基板109に形成される分割溝106のうち、隣接する配線基板領域の壁部同士を跨いで形成される分割溝106については比較的母基板101の剛性が保持される構造となるため、その深さを深く形成しておき(上部母基板109の厚みの50〜70%程度)、
スリット110が形成される境界105に形成される分割溝106については、スリット110が形成されている分だけ母基板101の剛性が保持されにくい構造となるため、他の部分よりも浅
く形成(上部母基板109の厚みの30〜50%程度)することが好ましい。このような構造と
することにより、母基板101の製造工程での取り扱い性と分割時の分割性の両方を満足す
る多数個取り配線基板を実現できる。
【0051】
ここで、本発明の多数個取り配線基板101の効果を、酸化アルミニウム質焼結体からな
る厚みが約0.3mmの下部母基板108に厚みが約0.4mmの上部母基板109を積層して形成した母基板101に、個々の配線基板となる複数の配線基板領域102が、壁部が非形成とされた辺同士が隣り合うように配列された多数個取り配線基板を例に挙げて具体的に説明する。この多数個取り配線基板において、配線基板領域102は、長辺(スリット110が形成される側)の長さが10mm、短辺の長さが8mmの長方形状とした。
【0052】
上記の例において、配線基板領域102の1つの辺において、上部母基板109を非形成として露出させた下部母基板108の下面に分割溝106を約0.2mmの深さで形成し、上部母基板109の上面に約0.15mmの深さで分割溝106を形成して、これを分割溝106に沿って分割して、バリやクラックの発生の有無を目視(倍率約20倍)により確認した。
【0053】
なお、母基板101は、長辺の長さが110mm、短辺の長さが94mmの長方形状(ダミー領域の幅が縦横それぞれ15mm)であり、配線基板領域102を8×8個の並びに縦横に配列
した。また、比較例として、従来技術の多数個取り配線基板、すなわち、配線基板領域102の搭載部103を開放させる辺においてスリット110および溝部111が形成されない形状の多数個取り配線基板を準備し、同様に分割溝に沿って分割してバリやクラックの発生の有無を確認した。本発明の具体例の多数個取り配線基板、および比較例の多数個取り配線基板ともに、試験した母基板(101)の枚数は10枚(個片の配線基板が約640個)とした。
【0054】
その結果、本発明の多数個取り配線基板では、バリやクラックの発生が見られなかったのに対し、比較例の多数個取り配線基板では13個の配線基板においてバリの発生が見られた。これにより、本発明の多数個取り配線基板におけるバリやクラックの発生を抑制する効果を確認することができた。
【0055】
なお、本発明の多数個取り配線基板は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、母基板101を構成する絶縁層を2層ではなく3層構造として、壁部を2層の絶縁層で構成
するようにしてもよい。さらに、壁部を2層の絶縁層で構成した場合、上側の絶縁層では溝部111の幅を広く形成するとともに下側の絶縁層では溝部111の幅を狭く形成して、各溝部111の中心を合わすように積層することにより、分割時のバリや欠けを抑制できるよう
にしてもよい。
【符号の説明】
【0056】
101・・・母基板
102・・・配線基板領域
103・・・搭載部
104・・・配線導体
105・・・境界
106・・・分割溝
108・・・下部母基板
109・・・上部母基板
110・・・スリット
111・・・溝部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミック焼結体からなり、上面の中央部に電子部品の搭載部を有する四角形状の複数の配線基板領域が縦横の並びに配列された平板状の下部母基板と、セラミック焼結体からなり、前記下部母基板の上面に積層された、それぞれの前記配線基板領域において前記搭載部の周辺に壁部を形成するための枠状の上部母基板とからなる母基板の上面に、前記配線基板領域の境界に沿って分割溝が形成された多数個取り配線基板であって、前記上部母基板が前記配線基板領域の1つの辺において非形成とされて前記壁部がコの字状とされているとともに、複数の前記配線基板領域が、前記上部母基板が非形成とされた1つの辺同士が隣り合うように配置されており、前記下部母基板に、前記配線基板領域の境界において前記上部母基板が非形成とされた1つの辺に沿って露出した部位に、前記下部母基板を厚み方向に貫通するスリットが形成されているとともに、該スリットに隣接する前記上部母基板の内側面に、該内側面の上端から下端にかけて溝部が形成されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項2】
前記溝部は、前記上部母基板の前記内側面の上端から下端にかけて、漸次幅が狭くなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多数個取り配線基板。
【請求項3】
前記スリットが、その両端において前記上部母基板の下側に位置する前記下部母基板に延長されていることを特徴とする請求項1に記載の多数個取り配線基板。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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