導電膜用エッチング液および導電膜のエッチング方法
【課題】エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に使用される導電膜からなるゲート配線やゲート電極などの導電性パターンの製造に使用される導電膜用エッチング液（以下、単に「エッチング液」という場合がある）に関し、さらに詳しくは、発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、カラー液晶テレビ、プラズマテレビ、パーソナルコンピューターなどの大型化、薄型化、軽量化に伴い、これらに使用されているゲート配線や電極などは、ガラスなどの基板上の導電膜をパターン化した導電性パターンが急速に普及してきている。上記の導電性パターンの製造に使用されるエッチング液は、より高性能化が必要になってきている。とくに、高性能化において上記エッチング液は、得られる導電性パターンの安定した電気特性を維持するために、エッチングの際に、導電膜のエッチング残りのないエッチングができ高精度の導電性パターンが得られる性能が求められている。
【０００３】
上記の導電性パターンは、基板上に形成された導電膜を用いて、フォトリソグラフィー法あるいは印刷法により所望のパターン状のエッチングマスクを形成し、酸性エッチング液により、エッチングマスクで覆われていない導電膜をスプレーエッチング法あるいは浸漬エッチング法などの方法でエッチング除去し、エッチング後、エッチングマスクをアルカリ水溶液や有機溶剤などによって除去することにより得られる。
【０００４】
上記の酸性エッチング液は、一般に、ある種の導電膜用のエッチング剤と、均一なエッチングを行うために、濡れ性の向上を目的として界面活性剤が配合されている。しかしながら、従来の界面活性剤は、上記のエッチング剤中の強酸化性化合物に対する耐酸化性が劣るために、充分な濡れ性および液切れ性効果を発揮することができない。また、上記界面活性剤は、エッチング液調製時、あるいはエッチングの際に起泡を誘因する。とくに、エッチング液の泡の発生は、エッチング液を循環濾過しながら使用する循環過程や、スプレー法によるエッチング工程で発生しやすい。
【０００５】
上記のエッチング液の泡の発生は、導電性パターンの製造工程において、基板上に形成された導電膜やエッチングマスク面にそれらの泡が付着し、付着した部分がエッチング阻害されることにより、導電膜のエッチング残りを生じる。このことは、高精度の導電性パターンが得られないために、得られるパターン化されたゲート配線あるいは電極の電気特性（導電性）が不安定になる。さらに、上記の泡の発生を極力抑制するために、新しいエッチング液を追加補充する必要があり、エッチング液の補充設備を含めエッチング装置設備がかなり大きなものとなり生産効率が悪くなる。
【０００６】
また、前記のエッチング液の濡れ性および液切れが不充分であると、スプレーエッチング法により導電性パターンを製造した場合に、被エッチング基材を、ローラーコンベアなどにより水平方向へ移動しながら、公知のコンピューター制御されたスプレー装置を使用して、複数のスプレーノズルから、ノズルを首振しながらまた吐出液量を調整しながらエッチングすると、被エッチング基材の中央部にエッチング液の滞留によるオーバーエッチング、あるいは濡れ不良に伴うエッチングむらが発生し、得られるゲート配線または電極などの線幅や開口部は、その線幅が細り、また、その開口部の寸法が増大して高微細精度の導電性パターンが得られない。このことは、上記のゲート配線や電極が断線したり、電気抵抗などに変化が生じ、安定した導電性が得られない。
【０００７】
また、従来の酸性エッチング液を使用して、液晶表示装置のゲート配線あるいは電極を製造した場合に、エッチング液により溶解された導電膜の溶解物、あるいはエッチング剤組成物の加水分解した生成物などが残渣としてガラス基板表面に付着しやすい。これらの残渣は、上記のゲート配線や電極を有するガラス基板の透明性を阻害する。
【０００８】
前記の導電膜用エッチング液として、ある種の特許文献１が開示されている。特許文献１に開示のエッチング液は、界面活性剤として直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩との混合物を配合したエッチング液である。
【０００９】
上記開示の特許文献１のエッチング液は、従来の炭化水素系の界面活性剤を配合したエッチング液に比べて、耐酸化性の化学的安定性は優れており、また、被エッチング材やレジストに対する濡れ性および液切れ性が向上しているために、エッチングの際に、高精度でエッチング液の消耗を少なくしてエッチングすることができる。
【００１０】
しかしながら、上記エッチング液は、エッチング液を循環濾過しながら繰り返して循環して使用している間に徐々に泡立つ傾向がある。また、時間が経過した該エッチング液を使用して、スプレー法にてエッチングしながら配線や電極などの導電性パターンを製造する場合、泡立ちがより増加するために必要に応じて新しいエッチング液を追加補充する必要があり、エッチング液の補充設備を含めエッチング装置設備がかなり大きなものとなり生産効率が悪くなる。
【００１１】
上述のことから、エッチングに際して、泡の発生に伴うエッチング残りを生じないで、安定した電気特性を有する高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法が要望されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００８−２９４０５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明の目的は、エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記の導電膜用エッチング剤（ａ）と一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有するエッチング液が、エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液であることを見出した。
【００１５】
上記の目的は、以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液を提供する。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基の水素の全部をフッ素で置き換えた炭素数が１〜６の直鎖のフッ化炭素基、または炭素数が１〜６の分岐を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンである。）
【００１６】
また、本発明の好ましい実施形態では、前記硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量が、前記導電膜用エッチング剤（ａ）総量中に５０質量％〜９０質量％を占める量であり、前記導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度が、１０質量％〜３０質量％であり、前記化合物（ｂ）の濃度が、０．０１質量％〜０．１質量％であり、表面張力が、１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍであり、および消泡時間が、２０秒以下であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、前記の本発明のエッチング液を使用して、導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングすることを特徴とする導電膜のエッチング方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のエッチング液は、より安定した導電性を有する高精度の導電性パターンを製造するのに有効である。また、エッチングの際の発泡抑制効果は、泡発生を防止するために頻繁に新しいエッチング液を追加補充する必要がないために、エッチング装置をよりコンパクトに設定できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に発明を実施するための好ましい実施の形態を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。本発明を主として特徴づける化合物（ｂ）は、下記の一般式（１）で表される化合物である。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基の水素の全部をフッ素で置き換えた炭素数が１〜６の直鎖のフッ化炭素基、または炭素数が１〜６の分岐を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンである。）
上記の化合物（ｂ）は、単独でも、あるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２０】
上記の化合物（ｂ）は、前記一般式（１）に示されるようにそれらを構成するフッ化炭素基の炭素数が１〜６のものであり、好ましくはＲｆ１およびＲｆ２のフッ化炭素基の炭素数が、いずれも１、２、３、４および６である化合物から選ばれる少なくとも１種であり、とくに好ましくはＲｆ１およびＲｆ２のフッ化炭素基の炭素数が、いずれも４である化合物が挙げられる。
【００２１】
また、前記の化合物（ｂ）を構成する金属Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンであり、好ましくはカリウムイオンである。これらの金属Ｘから構成される化合物（ｂ）は、得られるエッチング液に対する溶解性が良好で、かつ、得られるエッチング液に白濁を生じないために、得られる導電性パターンに白シミが発生しない。上記の白シミは、液晶表示装置の液晶パネルの薄膜トランジスターが形成されたガラス基板の透明性を阻害する。
【００２２】
前記の化合物（ｂ）としては、例えば、前記の炭素数からなるフッ化炭素基を有するビスペルフルオロアルキルスルフォンイミドのカリウム塩、リチウム塩、およびナトリウム塩など、好ましくはビスペルフルオロブタンスルフォンイミドのカリウム塩、リチウム塩、およびナトリウム塩など、とくに好ましくは（Ｃ4Ｆ9ＳＯ2）2ＮＫであるビスペルフルオロブタンスルフォンイミドのカリウム塩が挙げられる。上記の化合物（ｂ）は、単独でも、あるいは２種以上を混合した混合物として使用することができる。
【００２３】
前記化合物（ｂ）の濃度は、得られるエッチング液中において、好ましくは０．０１質量％〜０．１質量％、より好ましくは０．０１質量％〜０．０５質量％である。上記化合物（ｂ）の濃度が高過ぎると、得られるエッチング液の消泡時間が長くなり発泡抑制効果が低下する。一方、その濃度が低過ぎると、得られるエッチング液の消泡時間が短くなり発泡抑制効果が向上するが、逆に導電膜やレジストに対する濡れ性効果が低下してむらのないエッチングができないために高精度の導電性パターンが得られない。
【００２４】
本発明のエッチング液は、必須成分として前記の化合物（ｂ）以外に導電膜用エッチング剤（ａ）を含有する。上記の導電膜用エッチング剤（ａ）は、少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有するものである。すなわち、硝酸第二セリウムアンモニウムを必須成分として、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる成分のいずれか単独、あるいは２種以上の成分を適宜に配合したものである。
【００２５】
上記の導電膜用エッチング剤（ａ）としては、好ましくは、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウム／過塩素酸／硝酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／硝酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／過塩素酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／酢酸などが挙げられる。
【００２６】
前記導電膜用エッチング剤（ａ）において、硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量は、好ましくは前記導電膜用エッチング剤（ａ）総量中に５０質量％〜９０質量％を占める量である。上記の硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量が多過ぎると、得られるエッチング液中に硝酸第二セリウムアンモニウムが析出し易くなり、一方、その配合量が少な過ぎると、導電性パターンを形成する導電膜に対するエッチング速度が遅く、また、エッチング速度の安定性が悪くなる。
【００２７】
前記の導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度は、得られるエッチング液中において好ましくは１０質量％〜３０質量％、より好ましくは２０質量％〜２８質量％である。上記導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度が、上記範囲内であると、前記化合物（ｂ）との相乗効果により安定した導電膜用エッチング液として優れたエッチング効果を発揮する。
【００２８】
本発明のエッチング液は、前記の導電膜用エッチング剤（ａ）と化合物（ｂ）とを水に適宜に、好ましくは前記濃度範囲内になるように配合して公知の方法で均一に混合溶解して調製する。上記の水としては、イオン交換水、軟水、蒸留水など、好ましくはイオン交換水が挙げられる。
【００２９】
本発明のエッチング液は、好ましくはその表面張力が１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍ、より好ましくは１７ｍＮ／ｍ〜２５ｍＮ／ｍである。上記の表面張力が上記上限値を超えると、導電膜および導電膜上に形成されたパターン状のエッチングマスクに対する湿潤濡れ性が劣り、充分なエッチングを行えないために、エッチングむらのない高精度の導電性パターンが得られない。なお、本発明における表面張力は、下記の［表面張力測定方法］により求めた値である。
［表面張力測定方法］：エレクトロ平衡式法（白金板吊下げ法）による２５℃条件下にて測定する。
【００３０】
本発明のエッチング液は、発泡抑制効果を示す消泡時間が、好ましくは２０秒以下である。上記の消泡時間が上記範囲を超えると、発泡抑制効果が低下して、導電性パターンの製造工程におけるエッチングの際に、基板上に形成された導電膜やエッチングマスクに発生したエッチング液の泡が付着するために、泡が付着した部分がエッチング阻害されることにより、導電膜のエッチング残りを生じる。このことは、高精度の導電性パターンが得られないために、得られるゲート配線あるいは電極などの電気抵抗などに変化が生じ安定した導電性が得られない。さらに、上記の泡の発生を極力抑制するために、新しいエッチング液を追加補充する必要があり、エッチング液の補充設備を含めエッチング装置設備がかなり大きなものとなり生産効率が悪くなる。なお、本発明における消泡時間は、下記の［消泡時間測定方法］により求めた値である。
【００３１】
［消泡時間測定方法］
得られたエッチング液２０ｍｌを５０ｍｌの試験瓶（スクリューバイアル）に入れ、５０回振とうして起泡させ、上記試験瓶の上部に発生した泡の消泡するまでの時間を測定する。
【００３２】
本発明のエッチング液は、液晶表示装置に用いられるゲート配線および電極、光学デバイスなどの電子部品として用いられる導電性パターンを製造するために使用することができる。とくに液晶表示装置に用いられるゲート配線および電極の導電性パターンを製造するのに有効である。
【００３３】
本発明のエッチング液を使用して、導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングして導電性パターンを製造するエッチング方法について説明する。上記の本発明のエッチング液を使用したエッチング方法としては、例えば、次の工程（１）〜（５）からなっている。まず工程（１）では、導電膜用基板に形成された導電性を有するクロム系金属薄膜上に公知のポジ型感光性樹脂組成物を公知の塗布方法で塗布、乾燥し、０．５μｍ〜１．２μｍ（乾燥厚み）の感光性樹脂の塗膜を形成する。上記の導電膜用基板としては、例えば、液晶ディスプレイ用のアルカリガラス、ソーダライムガラス、フロートガラスなどのガラス基板、シリコーン基板、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリメタアクリル、ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック基板などが挙げられる。
【００３４】
上記の導電性を有するクロム系金属薄膜としては、好ましくは上記の導電膜用基板上に、公知の蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などの方法により、導電性のクロム金属からなる１５０ｎｍ〜３００ｎｍの導電薄膜を形成したものである。上記のクロム金属は、クロム窒化物、クロム酸化物、クロム窒化酸化物、クロム酸化炭化物などの導電性を損なう不純物を含まないものであり、上記導電薄膜を形成の際にこれらの生成物の混入を抑えなければならない。
【００３５】
また、前記のポジ型感光性樹脂組成物としては、前記クロム系金属薄膜を用いた導電性パターンの製造に使用される公知のポジ型感光性樹脂組成物であればいずれのものも使用することができ、例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製のＡＺ−ＴＦＰ−２１０Ｋ、あるいはロームアンドハース社製のマイクロポジットＳＣ−５００などのポジ型感光性樹脂組成物が挙げられる。
【００３６】
前記工程（２）では、前記の導電性を有するクロム系金属薄膜上に形成された感光性樹脂の塗膜に所望のゲート配線用などの導電性パターンをフォトマスクを介して紫外線などの活性エネルギーにより露光描画させる。
【００３７】
前記工程（３）では、露光描画後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの公知のアルカリ現像水溶液を使用してスプレー法、あるいは浸漬法などの公知の現像方法により現像を行い、上記のフォトマスクパターンの形状のエッチングマスクを形成する。必要に応じて、得られたエッチングマスクをベーキング硬化する。
【００３８】
前記工程（４）では、本発明のエッチング液を使用して、クリーンルーム温度（２０〜３０℃）雰囲気下にてエッチング液を循環濾過しながら、スプレー法、浸漬法などの公知のエッチング法により、エッチングマスクで覆われていない導電性クロム金属薄膜をエッチングし、該薄膜を溶解除去してガラスなどの導電膜用基板を露出させる。上記のスプレー法によるスプレーエッチングの条件は、スプレー圧０．１〜０．２ＭＰａの条件で３０秒〜１３０秒間エッチングする。
【００３９】
前記工程（５）では、エッチング後、前記のエッチングマスクが剥離できる公知のアルカリ性剥離液を使用してエッチングマスクを除去し、さらに水洗して導電膜用基板上に導電性パターンを露出させ、液晶表示装置に用いられる導電性のクロム金属薄膜からなるゲート配線、あるいは電極とすることができる。
【実施例】
【００４０】
次に実施例および比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。文中「部」または「％」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００４１】
［実施例１〜５］（エッチング液Ｊ１〜Ｊ５）
表１に示すように導電膜用エッチング剤（ａ）、と化合物（ｂ）と、イオン交換水とを配合し、均一に撹拌混合して本発明のエッチング液Ｊ１〜Ｊ５を調製した。なお、上記化合物（ｂ）は下記の通りである。
・化合物（ｂ）
（Ｃ4Ｆ9ＳＯ2）2ＮＫ（ビスペルフルオロブタンスルフォンイミドのカリウム塩）
【００４２】
［比較例１〜３］（エッチング液Ｋ１〜Ｋ３）
実施例の化合物（ｂ）の換わりに界面活性剤Ｙを使用し、表１に示すように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液Ｋ１〜Ｋ３を調製した。なお、上記の界面活性剤Ｙは下記の通りである。
・界面活性剤Ｙ（ペルフルオロアルキルスルフォン酸塩）
Ｙ１：直鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの７０部と分岐鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの３０部との混合物。
Ｙ２：直鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｎａの７０部と分岐鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｎａの３０部との混合物。
Ｙ３：直鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｋ単体。
【００４３】
上記表中の数値は配合部数を表し、硝酸、過塩素酸および酢酸の配合部数は１００％成分に換算した値である。
【００４４】
前記の実施例および比較例のエッチング液を使用して下記のエッチング方法により導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングして液晶ディスプレイ用のゲート配線用導電性パターンを形成し、エッチングの際のエッチング液の発泡抑制状態、濡れ性、および上記の導電性パターンのエッチング残り、エッチング精度について下記の測定方法により評価した。評価結果を表２に示す。
【００４５】
（エッチング方法）
液晶ディスプレイ用ガラス基板（導電膜用基板）の表面にスパッタリング方法により１７０ｎｍの導電性クロム金属の導電膜を形成し、該導電膜表面にナフトキノンジアジドタイプのポジ型レジスト（ロームアンドハース社製、マイクロポジットＳＣ−５００）を１μｍ（乾燥厚み）になるように塗布し、乾燥後、該塗膜面を液晶表示装置用のゲート配線用のフォトマスクパターンを介して超高圧水銀灯により露光描画し、露光後、アルカリ現像水溶液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）にてスプレー現像しゲート配線用のエッチングマスクを形成した。次に上記エッチングマスクを２３℃に調整された前記の実施例または比較例のエッチング液を使用して、エッチング液を循環濾過しながらスプレーエッチング装置（滝沢産業（株）製のＮＥ−７０００）を使用して、ノズルスキャン８０回／ｍｉｎ、基板回転数１５０ｒｐｍ、エッチング液流量２５０ｇ／ｍｉｎのスプレー条件にて９０秒間（ジャストエッチ８０秒＋オーバーエッチ１０秒）エッチングを行い、エッチングマスクで覆われていない導電膜をエッチングおよび水洗除去してゲート配線用導電性パターンを形成した。
【００４６】
（エッチング液の発泡抑制状態）
前記のエッチング液の［消泡時間測定方法］により、各々のエッチング液のエッチングの際に発生するエッチング液の発泡抑制状態を測定した。上記の測定結果から、その消泡時間が短いほど発泡抑制効果が優れており、一方、その消泡時間が長いほど発泡抑制効果が劣り、エッチング液の泡の発生が多いことを示す。
【００４７】
（濡れ性）
前記のエッチング液の［表面張力測定方法］により、各々のエッチング液のエッチングの際の導電膜およびエッチングマスクに対する濡れ性を測定した。上記の測定結果から、その測定値が小さいほど濡れ性がよく、一方、その測定値が大きいほど濡れ性が低下することを示す。
【００４８】
（導電性パターンのエッチング残り）
得られた導電性パターンを１０００倍の顕微鏡で目視し、導電性パターン以外の液晶ディスプレイ用ガラス基板上に残った不要の導電性クロム金属薄膜を測定し、下記の評価方法により評価した。
○：不要の導電性クロム金属薄膜が存在せず、導電性パターンのエッチング残りが認められない。
△：不要の導電性クロム金属薄膜が部分的に存在し、導電性パターンのエッチング残りが部分的に認められる。
×：不要の導電性クロム金属薄膜が全体に存在し、導電性パターンのエッチング残りが全面に認められる。
【００４９】
（エッチング精度）
前記エッチング方法により得られたゲート配線用導電性パターンの設計寸法８μｍのラインの線幅のばらつきの絶対値σ（μｍ）をレーザ顕微鏡（オリンパス（株）製、ＯＬＳ１１００）にて測定した。
【００５０】
【００５１】
上記の評価結果より、本発明のエッチング液は、エッチング液の発泡抑制効果および濡れ性が優れており、導電性パターンのエッチング残りがない高精度の導電性パターンが得られることが実証された。一方、比較例に見られる従来のエッチング液はエッチング液の発泡抑制効果が劣るために泡の発生に伴う導電性パターンのエッチング残りが発生する危険性があった。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のエッチング液は、良好な導電性と高精度を有する導電性パターンが得られることから、液晶表示装置に用いられるゲート配線やゲート電極などに用いられる導電性パターンの製造に使用されるエッチング液として有効に使用することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に使用される導電膜からなるゲート配線やゲート電極などの導電性パターンの製造に使用される導電膜用エッチング液（以下、単に「エッチング液」という場合がある）に関し、さらに詳しくは、発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、カラー液晶テレビ、プラズマテレビ、パーソナルコンピューターなどの大型化、薄型化、軽量化に伴い、これらに使用されているゲート配線や電極などは、ガラスなどの基板上の導電膜をパターン化した導電性パターンが急速に普及してきている。上記の導電性パターンの製造に使用されるエッチング液は、より高性能化が必要になってきている。とくに、高性能化において上記エッチング液は、得られる導電性パターンの安定した電気特性を維持するために、エッチングの際に、導電膜のエッチング残りのないエッチングができ高精度の導電性パターンが得られる性能が求められている。
【０００３】
上記の導電性パターンは、基板上に形成された導電膜を用いて、フォトリソグラフィー法あるいは印刷法により所望のパターン状のエッチングマスクを形成し、酸性エッチング液により、エッチングマスクで覆われていない導電膜をスプレーエッチング法あるいは浸漬エッチング法などの方法でエッチング除去し、エッチング後、エッチングマスクをアルカリ水溶液や有機溶剤などによって除去することにより得られる。
【０００４】
上記の酸性エッチング液は、一般に、ある種の導電膜用のエッチング剤と、均一なエッチングを行うために、濡れ性の向上を目的として界面活性剤が配合されている。しかしながら、従来の界面活性剤は、上記のエッチング剤中の強酸化性化合物に対する耐酸化性が劣るために、充分な濡れ性および液切れ性効果を発揮することができない。また、上記界面活性剤は、エッチング液調製時、あるいはエッチングの際に起泡を誘因する。とくに、エッチング液の泡の発生は、エッチング液を循環濾過しながら使用する循環過程や、スプレー法によるエッチング工程で発生しやすい。
【０００５】
上記のエッチング液の泡の発生は、導電性パターンの製造工程において、基板上に形成された導電膜やエッチングマスク面にそれらの泡が付着し、付着した部分がエッチング阻害されることにより、導電膜のエッチング残りを生じる。このことは、高精度の導電性パターンが得られないために、得られるパターン化されたゲート配線あるいは電極の電気特性（導電性）が不安定になる。さらに、上記の泡の発生を極力抑制するために、新しいエッチング液を追加補充する必要があり、エッチング液の補充設備を含めエッチング装置設備がかなり大きなものとなり生産効率が悪くなる。
【０００６】
また、前記のエッチング液の濡れ性および液切れが不充分であると、スプレーエッチング法により導電性パターンを製造した場合に、被エッチング基材を、ローラーコンベアなどにより水平方向へ移動しながら、公知のコンピューター制御されたスプレー装置を使用して、複数のスプレーノズルから、ノズルを首振しながらまた吐出液量を調整しながらエッチングすると、被エッチング基材の中央部にエッチング液の滞留によるオーバーエッチング、あるいは濡れ不良に伴うエッチングむらが発生し、得られるゲート配線または電極などの線幅や開口部は、その線幅が細り、また、その開口部の寸法が増大して高微細精度の導電性パターンが得られない。このことは、上記のゲート配線や電極が断線したり、電気抵抗などに変化が生じ、安定した導電性が得られない。
【０００７】
また、従来の酸性エッチング液を使用して、液晶表示装置のゲート配線あるいは電極を製造した場合に、エッチング液により溶解された導電膜の溶解物、あるいはエッチング剤組成物の加水分解した生成物などが残渣としてガラス基板表面に付着しやすい。これらの残渣は、上記のゲート配線や電極を有するガラス基板の透明性を阻害する。
【０００８】
前記の導電膜用エッチング液として、ある種の特許文献１が開示されている。特許文献１に開示のエッチング液は、界面活性剤として直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩との混合物を配合したエッチング液である。
【０００９】
上記開示の特許文献１のエッチング液は、従来の炭化水素系の界面活性剤を配合したエッチング液に比べて、耐酸化性の化学的安定性は優れており、また、被エッチング材やレジストに対する濡れ性および液切れ性が向上しているために、エッチングの際に、高精度でエッチング液の消耗を少なくしてエッチングすることができる。
【００１０】
しかしながら、上記エッチング液は、エッチング液を循環濾過しながら繰り返して循環して使用している間に徐々に泡立つ傾向がある。また、時間が経過した該エッチング液を使用して、スプレー法にてエッチングしながら配線や電極などの導電性パターンを製造する場合、泡立ちがより増加するために必要に応じて新しいエッチング液を追加補充する必要があり、エッチング液の補充設備を含めエッチング装置設備がかなり大きなものとなり生産効率が悪くなる。
【００１１】
上述のことから、エッチングに際して、泡の発生に伴うエッチング残りを生じないで、安定した電気特性を有する高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法が要望されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００８−２９４０５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明の目的は、エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記の導電膜用エッチング剤（ａ）と一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有するエッチング液が、エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液であることを見出した。
【００１５】
上記の目的は、以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液を提供する。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基の水素の全部をフッ素で置き換えた炭素数が１〜６の直鎖のフッ化炭素基、または炭素数が１〜６の分岐を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンである。）
【００１６】
また、本発明の好ましい実施形態では、前記硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量が、前記導電膜用エッチング剤（ａ）総量中に５０質量％〜９０質量％を占める量であり、前記導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度が、１０質量％〜３０質量％であり、前記化合物（ｂ）の濃度が、０．０１質量％〜０．１質量％であり、表面張力が、１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍであり、および消泡時間が、２０秒以下であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、前記の本発明のエッチング液を使用して、導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングすることを特徴とする導電膜のエッチング方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のエッチング液は、より安定した導電性を有する高精度の導電性パターンを製造するのに有効である。また、エッチングの際の発泡抑制効果は、泡発生を防止するために頻繁に新しいエッチング液を追加補充する必要がないために、エッチング装置をよりコンパクトに設定できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に発明を実施するための好ましい実施の形態を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。本発明を主として特徴づける化合物（ｂ）は、下記の一般式（１）で表される化合物である。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基の水素の全部をフッ素で置き換えた炭素数が１〜６の直鎖のフッ化炭素基、または炭素数が１〜６の分岐を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンである。）
上記の化合物（ｂ）は、単独でも、あるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２０】
上記の化合物（ｂ）は、前記一般式（１）に示されるようにそれらを構成するフッ化炭素基の炭素数が１〜６のものであり、好ましくはＲｆ１およびＲｆ２のフッ化炭素基の炭素数が、いずれも１、２、３、４および６である化合物から選ばれる少なくとも１種であり、とくに好ましくはＲｆ１およびＲｆ２のフッ化炭素基の炭素数が、いずれも４である化合物が挙げられる。
【００２１】
また、前記の化合物（ｂ）を構成する金属Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンであり、好ましくはカリウムイオンである。これらの金属Ｘから構成される化合物（ｂ）は、得られるエッチング液に対する溶解性が良好で、かつ、得られるエッチング液に白濁を生じないために、得られる導電性パターンに白シミが発生しない。上記の白シミは、液晶表示装置の液晶パネルの薄膜トランジスターが形成されたガラス基板の透明性を阻害する。
【００２２】
前記の化合物（ｂ）としては、例えば、前記の炭素数からなるフッ化炭素基を有するビスペルフルオロアルキルスルフォンイミドのカリウム塩、リチウム塩、およびナトリウム塩など、好ましくはビスペルフルオロブタンスルフォンイミドのカリウム塩、リチウム塩、およびナトリウム塩など、とくに好ましくは（Ｃ4Ｆ9ＳＯ2）2ＮＫであるビスペルフルオロブタンスルフォンイミドのカリウム塩が挙げられる。上記の化合物（ｂ）は、単独でも、あるいは２種以上を混合した混合物として使用することができる。
【００２３】
前記化合物（ｂ）の濃度は、得られるエッチング液中において、好ましくは０．０１質量％〜０．１質量％、より好ましくは０．０１質量％〜０．０５質量％である。上記化合物（ｂ）の濃度が高過ぎると、得られるエッチング液の消泡時間が長くなり発泡抑制効果が低下する。一方、その濃度が低過ぎると、得られるエッチング液の消泡時間が短くなり発泡抑制効果が向上するが、逆に導電膜やレジストに対する濡れ性効果が低下してむらのないエッチングができないために高精度の導電性パターンが得られない。
【００２４】
本発明のエッチング液は、必須成分として前記の化合物（ｂ）以外に導電膜用エッチング剤（ａ）を含有する。上記の導電膜用エッチング剤（ａ）は、少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有するものである。すなわち、硝酸第二セリウムアンモニウムを必須成分として、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる成分のいずれか単独、あるいは２種以上の成分を適宜に配合したものである。
【００２５】
上記の導電膜用エッチング剤（ａ）としては、好ましくは、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウム／過塩素酸／硝酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／硝酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／過塩素酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／酢酸などが挙げられる。
【００２６】
前記導電膜用エッチング剤（ａ）において、硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量は、好ましくは前記導電膜用エッチング剤（ａ）総量中に５０質量％〜９０質量％を占める量である。上記の硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量が多過ぎると、得られるエッチング液中に硝酸第二セリウムアンモニウムが析出し易くなり、一方、その配合量が少な過ぎると、導電性パターンを形成する導電膜に対するエッチング速度が遅く、また、エッチング速度の安定性が悪くなる。
【００２７】
前記の導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度は、得られるエッチング液中において好ましくは１０質量％〜３０質量％、より好ましくは２０質量％〜２８質量％である。上記導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度が、上記範囲内であると、前記化合物（ｂ）との相乗効果により安定した導電膜用エッチング液として優れたエッチング効果を発揮する。
【００２８】
本発明のエッチング液は、前記の導電膜用エッチング剤（ａ）と化合物（ｂ）とを水に適宜に、好ましくは前記濃度範囲内になるように配合して公知の方法で均一に混合溶解して調製する。上記の水としては、イオン交換水、軟水、蒸留水など、好ましくはイオン交換水が挙げられる。
【００２９】
本発明のエッチング液は、好ましくはその表面張力が１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍ、より好ましくは１７ｍＮ／ｍ〜２５ｍＮ／ｍである。上記の表面張力が上記上限値を超えると、導電膜および導電膜上に形成されたパターン状のエッチングマスクに対する湿潤濡れ性が劣り、充分なエッチングを行えないために、エッチングむらのない高精度の導電性パターンが得られない。なお、本発明における表面張力は、下記の［表面張力測定方法］により求めた値である。
［表面張力測定方法］：エレクトロ平衡式法（白金板吊下げ法）による２５℃条件下にて測定する。
【００３０】
本発明のエッチング液は、発泡抑制効果を示す消泡時間が、好ましくは２０秒以下である。上記の消泡時間が上記範囲を超えると、発泡抑制効果が低下して、導電性パターンの製造工程におけるエッチングの際に、基板上に形成された導電膜やエッチングマスクに発生したエッチング液の泡が付着するために、泡が付着した部分がエッチング阻害されることにより、導電膜のエッチング残りを生じる。このことは、高精度の導電性パターンが得られないために、得られるゲート配線あるいは電極などの電気抵抗などに変化が生じ安定した導電性が得られない。さらに、上記の泡の発生を極力抑制するために、新しいエッチング液を追加補充する必要があり、エッチング液の補充設備を含めエッチング装置設備がかなり大きなものとなり生産効率が悪くなる。なお、本発明における消泡時間は、下記の［消泡時間測定方法］により求めた値である。
【００３１】
［消泡時間測定方法］
得られたエッチング液２０ｍｌを５０ｍｌの試験瓶（スクリューバイアル）に入れ、５０回振とうして起泡させ、上記試験瓶の上部に発生した泡の消泡するまでの時間を測定する。
【００３２】
本発明のエッチング液は、液晶表示装置に用いられるゲート配線および電極、光学デバイスなどの電子部品として用いられる導電性パターンを製造するために使用することができる。とくに液晶表示装置に用いられるゲート配線および電極の導電性パターンを製造するのに有効である。
【００３３】
本発明のエッチング液を使用して、導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングして導電性パターンを製造するエッチング方法について説明する。上記の本発明のエッチング液を使用したエッチング方法としては、例えば、次の工程（１）〜（５）からなっている。まず工程（１）では、導電膜用基板に形成された導電性を有するクロム系金属薄膜上に公知のポジ型感光性樹脂組成物を公知の塗布方法で塗布、乾燥し、０．５μｍ〜１．２μｍ（乾燥厚み）の感光性樹脂の塗膜を形成する。上記の導電膜用基板としては、例えば、液晶ディスプレイ用のアルカリガラス、ソーダライムガラス、フロートガラスなどのガラス基板、シリコーン基板、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリメタアクリル、ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック基板などが挙げられる。
【００３４】
上記の導電性を有するクロム系金属薄膜としては、好ましくは上記の導電膜用基板上に、公知の蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などの方法により、導電性のクロム金属からなる１５０ｎｍ〜３００ｎｍの導電薄膜を形成したものである。上記のクロム金属は、クロム窒化物、クロム酸化物、クロム窒化酸化物、クロム酸化炭化物などの導電性を損なう不純物を含まないものであり、上記導電薄膜を形成の際にこれらの生成物の混入を抑えなければならない。
【００３５】
また、前記のポジ型感光性樹脂組成物としては、前記クロム系金属薄膜を用いた導電性パターンの製造に使用される公知のポジ型感光性樹脂組成物であればいずれのものも使用することができ、例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製のＡＺ−ＴＦＰ−２１０Ｋ、あるいはロームアンドハース社製のマイクロポジットＳＣ−５００などのポジ型感光性樹脂組成物が挙げられる。
【００３６】
前記工程（２）では、前記の導電性を有するクロム系金属薄膜上に形成された感光性樹脂の塗膜に所望のゲート配線用などの導電性パターンをフォトマスクを介して紫外線などの活性エネルギーにより露光描画させる。
【００３７】
前記工程（３）では、露光描画後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの公知のアルカリ現像水溶液を使用してスプレー法、あるいは浸漬法などの公知の現像方法により現像を行い、上記のフォトマスクパターンの形状のエッチングマスクを形成する。必要に応じて、得られたエッチングマスクをベーキング硬化する。
【００３８】
前記工程（４）では、本発明のエッチング液を使用して、クリーンルーム温度（２０〜３０℃）雰囲気下にてエッチング液を循環濾過しながら、スプレー法、浸漬法などの公知のエッチング法により、エッチングマスクで覆われていない導電性クロム金属薄膜をエッチングし、該薄膜を溶解除去してガラスなどの導電膜用基板を露出させる。上記のスプレー法によるスプレーエッチングの条件は、スプレー圧０．１〜０．２ＭＰａの条件で３０秒〜１３０秒間エッチングする。
【００３９】
前記工程（５）では、エッチング後、前記のエッチングマスクが剥離できる公知のアルカリ性剥離液を使用してエッチングマスクを除去し、さらに水洗して導電膜用基板上に導電性パターンを露出させ、液晶表示装置に用いられる導電性のクロム金属薄膜からなるゲート配線、あるいは電極とすることができる。
【実施例】
【００４０】
次に実施例および比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。文中「部」または「％」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００４１】
［実施例１〜５］（エッチング液Ｊ１〜Ｊ５）
表１に示すように導電膜用エッチング剤（ａ）、と化合物（ｂ）と、イオン交換水とを配合し、均一に撹拌混合して本発明のエッチング液Ｊ１〜Ｊ５を調製した。なお、上記化合物（ｂ）は下記の通りである。
・化合物（ｂ）
（Ｃ4Ｆ9ＳＯ2）2ＮＫ（ビスペルフルオロブタンスルフォンイミドのカリウム塩）
【００４２】
［比較例１〜３］（エッチング液Ｋ１〜Ｋ３）
実施例の化合物（ｂ）の換わりに界面活性剤Ｙを使用し、表１に示すように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液Ｋ１〜Ｋ３を調製した。なお、上記の界面活性剤Ｙは下記の通りである。
・界面活性剤Ｙ（ペルフルオロアルキルスルフォン酸塩）
Ｙ１：直鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの７０部と分岐鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの３０部との混合物。
Ｙ２：直鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｎａの７０部と分岐鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｎａの３０部との混合物。
Ｙ３：直鎖のフッ化炭素基を有するＣ8Ｆ17ＳＯ3Ｋ単体。
【００４３】
上記表中の数値は配合部数を表し、硝酸、過塩素酸および酢酸の配合部数は１００％成分に換算した値である。
【００４４】
前記の実施例および比較例のエッチング液を使用して下記のエッチング方法により導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングして液晶ディスプレイ用のゲート配線用導電性パターンを形成し、エッチングの際のエッチング液の発泡抑制状態、濡れ性、および上記の導電性パターンのエッチング残り、エッチング精度について下記の測定方法により評価した。評価結果を表２に示す。
【００４５】
（エッチング方法）
液晶ディスプレイ用ガラス基板（導電膜用基板）の表面にスパッタリング方法により１７０ｎｍの導電性クロム金属の導電膜を形成し、該導電膜表面にナフトキノンジアジドタイプのポジ型レジスト（ロームアンドハース社製、マイクロポジットＳＣ−５００）を１μｍ（乾燥厚み）になるように塗布し、乾燥後、該塗膜面を液晶表示装置用のゲート配線用のフォトマスクパターンを介して超高圧水銀灯により露光描画し、露光後、アルカリ現像水溶液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）にてスプレー現像しゲート配線用のエッチングマスクを形成した。次に上記エッチングマスクを２３℃に調整された前記の実施例または比較例のエッチング液を使用して、エッチング液を循環濾過しながらスプレーエッチング装置（滝沢産業（株）製のＮＥ−７０００）を使用して、ノズルスキャン８０回／ｍｉｎ、基板回転数１５０ｒｐｍ、エッチング液流量２５０ｇ／ｍｉｎのスプレー条件にて９０秒間（ジャストエッチ８０秒＋オーバーエッチ１０秒）エッチングを行い、エッチングマスクで覆われていない導電膜をエッチングおよび水洗除去してゲート配線用導電性パターンを形成した。
【００４６】
（エッチング液の発泡抑制状態）
前記のエッチング液の［消泡時間測定方法］により、各々のエッチング液のエッチングの際に発生するエッチング液の発泡抑制状態を測定した。上記の測定結果から、その消泡時間が短いほど発泡抑制効果が優れており、一方、その消泡時間が長いほど発泡抑制効果が劣り、エッチング液の泡の発生が多いことを示す。
【００４７】
（濡れ性）
前記のエッチング液の［表面張力測定方法］により、各々のエッチング液のエッチングの際の導電膜およびエッチングマスクに対する濡れ性を測定した。上記の測定結果から、その測定値が小さいほど濡れ性がよく、一方、その測定値が大きいほど濡れ性が低下することを示す。
【００４８】
（導電性パターンのエッチング残り）
得られた導電性パターンを１０００倍の顕微鏡で目視し、導電性パターン以外の液晶ディスプレイ用ガラス基板上に残った不要の導電性クロム金属薄膜を測定し、下記の評価方法により評価した。
○：不要の導電性クロム金属薄膜が存在せず、導電性パターンのエッチング残りが認められない。
△：不要の導電性クロム金属薄膜が部分的に存在し、導電性パターンのエッチング残りが部分的に認められる。
×：不要の導電性クロム金属薄膜が全体に存在し、導電性パターンのエッチング残りが全面に認められる。
【００４９】
（エッチング精度）
前記エッチング方法により得られたゲート配線用導電性パターンの設計寸法８μｍのラインの線幅のばらつきの絶対値σ（μｍ）をレーザ顕微鏡（オリンパス（株）製、ＯＬＳ１１００）にて測定した。
【００５０】
【００５１】
上記の評価結果より、本発明のエッチング液は、エッチング液の発泡抑制効果および濡れ性が優れており、導電性パターンのエッチング残りがない高精度の導電性パターンが得られることが実証された。一方、比較例に見られる従来のエッチング液はエッチング液の発泡抑制効果が劣るために泡の発生に伴う導電性パターンのエッチング残りが発生する危険性があった。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のエッチング液は、良好な導電性と高精度を有する導電性パターンが得られることから、液晶表示装置に用いられるゲート配線やゲート電極などに用いられる導電性パターンの製造に使用されるエッチング液として有効に使用することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基の水素の全部をフッ素で置き換えた炭素数が１〜６の直鎖のフッ化炭素基、または炭素数が１〜６の分岐を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンである。）
【請求項２】
前記硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量が、前記導電膜用エッチング剤（ａ）総量中に５０質量％〜９０質量％を占める量である請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
前記導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度が、１０質量％〜３０質量％である請求項１または２に記載のエッチング液。
【請求項４】
前記化合物（ｂ）の濃度が、０．０１質量％〜０．１質量％である請求項１に記載のエッチング液。
【請求項５】
表面張力が、１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項６】
消泡時間が、２０秒以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のエッチング液を使用して、導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングすることを特徴とする導電膜のエッチング方法。
【請求項１】
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液。
（Ｒｆ１ＳＯ2）（Ｒｆ２ＳＯ2）ＮＸ （１）
（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基の水素の全部をフッ素で置き換えた炭素数が１〜６の直鎖のフッ化炭素基、または炭素数が１〜６の分岐を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウムイオン、リチウムイオン、またはナトリウムイオンである。）
【請求項２】
前記硝酸第二セリウムアンモニウムの配合量が、前記導電膜用エッチング剤（ａ）総量中に５０質量％〜９０質量％を占める量である請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
前記導電膜用エッチング剤（ａ）の濃度が、１０質量％〜３０質量％である請求項１または２に記載のエッチング液。
【請求項４】
前記化合物（ｂ）の濃度が、０．０１質量％〜０．１質量％である請求項１に記載のエッチング液。
【請求項５】
表面張力が、１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項６】
消泡時間が、２０秒以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のエッチング液を使用して、導電膜用基板上に形成された導電膜をエッチングすることを特徴とする導電膜のエッチング方法。
【公開番号】特開２０１０−１６５８８７（Ｐ２０１０−１６５８８７Ａ）
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７２１９（Ｐ２００９−７２１９）
【出願日】平成２１年１月１６日（２００９．１．１６）
【出願人】（０００１８３９２３）株式会社ＤＮＰファインケミカル (268)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月１６日（２００９．１．１６）
【出願人】（０００１８３９２３）株式会社ＤＮＰファインケミカル (268)
【Ｆターム（参考）】
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