【課題】斜め出射の半導体光素子をサブマウントに実装する際の位置決め手段をサブマウントに備えることによって、斜め出射の半導体光素子からの出射光がサブマウント端に対して直交するように実装するための位置決めを容易にしたサブマウントを提供する。
【解決手段】出射端面１２から出射される光の出射方向がこの出射端面１２の法線に対して角度θ２である斜め出射の半導体光素子１０を上面４２に載置するサブマウント４０ａにおいて、半導体光素子１０の出射端面１２から出射された光の出射方向が側面４３の上面側端部４３ａ（サブマウント端）と直交するように、半導体光素子１０を上面４２に位置決めして載置するためのマーカ４４ａを上面４２に設けた。このマーカ４４ａは、光の出射方向と直交する側面４３の上面側端部４３ａに対して角度θ２をなして形成されて、半導体光素子１０の出射端面１２がこのマーカ４４ａに対して平行に載置される。 （もっと読む）

【課題】入射したレーザ光を効率よく吸収して外部への漏洩を防止しつつ、光の吸収に伴う熱の発生を抑制して吸収体自身の損傷を防止できる光路変更ユニットと、これを組み合わせて構成した光ダンパを提供する。
【解決手段】本発明の光路変更ユニット１は、入射したレーザ光の一部を透過するハーフミラー２と、該ハーフミラー１の透過面に近接して配置され、前記透過したレーザ光を吸収する吸収体３とから構成される。これを組み合わせて内面が反射面側とされた箱状とすれば、内部に不要光を導いて減衰する光ダンパ４として有用である。 （もっと読む）

【課題】 試料の大きさや重さと無関係に同じ速度で且つ高速に干渉縞を得ることができるようにする。
【解決手段】 低コヒーレンス光源２２の出射光Ｐ０を第１のビームスプリッタ２４に入射し、第１のビームスプリッタ２４から出射された第１の光Ｐ１を固定長折返し部２５に入射し固定長光路を経由させて参照光Ｐｒを得る。また、第１のビームスプリッタ２４から出射された第２の光Ｐ２を第２のビームスプリッタ２６を介して可変長折返し部３０に入射して可変長の光路を経由させて折り返し、その折り返し光Ｐ３′を試料表面２に入射させ、その反射光Ｐ５を再度可変長折返し部３０によって可変長の光路を経由させてから、第１のビームスプリッタ２４へ戻して試料光Ｐｘを得て、参照光Ｐｒとの間で干渉縞を生じさせている。 （もっと読む）

【課題】 ＴＤＬＡＳでガス検知を行う際に、簡易的な構成で十分な可変波長幅で波長を制御する。
【解決手段】 波長可変半導体レーザ吸収分光法に使用される半導体レーザ素子１は、半導体基板１０、活性層１２、クラッド層１３が一対の電極１７，１８間に積層形成され、光導波路が活性領域と該活性領域に連続する位相調整領域とＤＢＲ領域とからなり、少なくとも位相調整領域の全体または一部を加熱するようにクラッド層１３の上面に絶縁層１９を介して薄膜抵抗からなる加熱手段２０が配設される。この加熱手段２０と一対の電極１７，１８には単一の電源２から電力が供給される。 （もっと読む）

【課題】 空間内の検出対象の方位角を高精度に検出可能なレーダ装置を提供する。
【解決手段】 レーダ装置１において、送信アンテナ１３は、空間にパルス電波を放射し、２個の受信アンテナ１４には検出対象からの反射波が入射される。各受信アンテナ１４のチルト角は互いに異なる。処理回路１６は、各受信アンテナ１４への入射反射波の振幅差を、それらの振幅和で正規化した値から方位角を導出する。送信アンテナ１３及び各受信アンテナ１４において、円偏波アンテナは誘電体基板の主面に配置され、ストリップ導体は、アンテナ素子を取り囲むよう主面に形成される。主面上の形成領域から、誘電体基板の裏面へと貫きかつ所定間隔で並ぶ複数の貫通孔が誘電体基板には形成され、複数の接続導体は、裏面上に形成されたグランド層とストリップ導体とを各貫通孔を介して電気的に接続する。ストリップ導体の内縁は、各貫通孔の内壁よりもアンテナ素子側に突出する。 （もっと読む）

【課題】小型で消費電力の小さい光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域１７ａと反転する領域１７ｂを有する基板１と、第１及び第２の光導波路１８ａ、１８ｂとを備えた光導波路１８を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体１９ａ及び接地導体１９ｂ、１９ｃからなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部２０ａ、２０ｂを含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器において、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部２０ｃを設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＨＢＴにおける高い耐電圧特性と優れた高速特性を維持した状態で、バラクタダイオードにおける広い容量可変幅を確保する。
【解決手段】１つの共通の半絶縁性基板１上に、ＨＢＴ２０とバラクタダイオード２１とを形成したマイクロ波モノリシック集積回路において、ＨＢＴとバラクタダイオード２１とに共通するコレクタ層を、コレクタコンタクト層４側に位置する第１のコレクタ層２２ａ、２２ｂと、反コレクタコンタクト層側に位置する第２のコレクタ層２３ａ、２３ｂとで構成し、さらに、第１のコレクタ層のキャリア濃度を第２のコレクタ層のキャリア濃度より高く設定している。そして、バラクタダイオード２１においては、第２のコレクタ層２３ｂ上にショットキー電極２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】信号を測定するにあたり、高速に良好なログ特性が得られる技術を提供し、さらにサンプリング間隔に入るデジタルデータを補間で求める技術を提供することである。
【解決手段】入力信号をデータ変換部１００により所定周期クロックでデジタルの検波データに変換し、指数・仮数分離器２１０により検波データの仮数部を表す仮数データと指数部を表す指数データに分離して出力する。仮数値算出テーブル２２０は、仮数データでアクセスされて該仮数データ対応した対数値を出力し、指数値算出テーブル２３０は指数データでアクセスされて指数データに対応した対数値を出力する。該仮数データに対応した対数値及び該指数データに対応した対数値を合算して、前記入力信号の振幅に対応した出力対数値を得る。 （もっと読む）

【課題】 試験対象機器の発熱を抑止するとともに試験対象機器によって増幅される信号の測定精度を高めることができる信号測定装置を提供すること。
【解決手段】 試験信号を発生して増幅部を有する試験対象機器（２０）に出力する信号発生部（１２）と、試験対象機器（２０）の増幅部によって増幅された試験信号を測定する信号測定部（１５）と、試験対象機器（２０）に供給する電力を制御する電力制御部（１３）と、信号発生部（１２）の試験信号をバーストさせるためのパルス信号とともにパルス信号と同期するトリガ信号を発生するパルス信号発生部（１１）とを備え、信号発生部（１２）は、パルス信号発生部（１１）から出力されたパルス信号に同期して試験信号を試験対象機器（２０）に出力するとともに、電力制御部（１３）は、パルス信号発生部（１１）から出力されたトリガ信号に同期して試験対象機器（２０）に電力を供給するように構成する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス内の信号ライン振り分け変更の場合も測定用基板の設計変更が不要で、伝播可能な信号のビットレートがより高く、長寿命接点により検査設備費が安価に済むテストフィクスチャを提供する。
【解決手段】一端部から電子デバイス３のリード２が挿入されて他端部から突出する円筒形の誘電体からなる円筒体５と、円筒体から突出したリードが一端から挿入される円筒形の接点部材６と、接点部材の他端に中心導体７が挿入された伝送線路８とが、筐体４内に収納される。筐体に設けられた押圧部材９でリードを押圧すると、リードは弾性変形して先端が接点部材の貫通孔の内周面に確実に接触導通する。 （もっと読む）