【目的】 変倍中に刻々と変化するコンペ軌跡に対し変倍速度を徐々に変化させて、不自然な印象を与えずにかつ脱調限界周波数も越えずにズーム中の軌跡追従を可能とすること。
【構成】 第２のレンズ群１０４が変倍動作を行う時に焦点調節を行う第１のレンズ群１０２を移動させて該第２のレンズ群の移動に起因する焦点面の移動を補正する補正機能、前記第２のレンズ群１０４が移動して変倍動作を行う時に前記第１のレンズ群１０２が前記補正動作を行うために移動すべき軌跡を演算によって求める演算機能、前記軌跡に沿って前記第１のレンズ群１０２を移動させる移動速度を前記第２のレンズ群１０４の移動速度に関係して算出する算出機能、この算出された前記第１のレンズ群１０２の移動速度と予め設定された基準速度との比較結果から前記第２のレンズ群１０４の移動速度を補正する移動速度補正機能を中央処理手段を備えたこと。 （もっと読む）

【目的】 ＳＯＩ型半導体装置において、電極間及び配線間のクロストークを防止し、素子の高集積化を可能とする。
【構成】 表面絶縁層を有する基体１０１上に半導体層を有するいわゆるＳＯＩ型半導体装置であって、配線層１０５が形成されている領域に対応する領域１０２ｂにおいて、前記絶縁層の膜厚を、前記半導体層が形成されている領域に対応する領域１０２ａの膜厚よりも薄くすることにより、電極間および配線間のクロストークを防止し、素子を高集積化することができる。 （もっと読む）

【目的】 入出力用の画像データ・バスを効率的に利用する。
【構成】 Ａ／Ｄ変換回路１４，１６は入力信号をディジタル化した後、ＦＩＦＯメモリ２４によりｑ個のデータからなるパケットにして画像データ・バス１２に出力する。Ｄ／Ａ変換回路１８，２０は、画像データ・バス１２からのパケットを画素データに分解し、アナログ化して出力する。バス制御回路２６は、アドレス変換回路２８を参照してパケットの先頭アドレスを得、メモリ制御回路１１に送る。メモリ制御回路１１は、その先頭アドレスから順次、画像データ・バス１２上のデータをメモリ１０に書き込み、又はメモリ１０のデータを画像データ・バス１２に読み出す。 （もっと読む）

【目的】 簡単な回路構成でフレーム間補間を実現する。
【構成】 記録再生処理回路３８は記録媒体４２からの再生データを記録再生用メモリ４６に書き込む。その際、誤り検出訂正回路４４が誤り検出訂正し、訂正不能データに対し修正フラグを記録再生用メモリ４６に書き込む。データ転送制御回路４８は、記録再生用メモリ４６のデータ及びフラグを読み出し、入出力用メモリ３６に転送する。但し、修正フラグが立っていてフレーム間補間する時には、データ転送制御回路４８は入出力用メモリ３６を書き込み禁止にする。 （もっと読む）

【構成】 動画記録と静止画記録を行える撮影装置において、撮像素子から得られた色信号の増幅利得を制御する利得制御手段と、該利得制御手段からの信号にもとづいて被写体の色を検出する色検出手段と、該色検出手段の出力信号に応じて前記利得制御手段に供給する利得制御信号を生成する利得制御信号生成手段と、静止画撮影モードに設定されたことを検出するモード検出手段と、該モード検出手段の出力に応答して前記利得制御信号生成手段の制御態様を変更する制御手段とを具備した。
【効果】 撮影モードを検出して、静止画撮影時には静止画撮影用の高速性の、また動画撮影時には動画撮影用の円滑性があるように、それぞれの撮影に適合したホワイトバランス補正制御を行うことにより、良好な記録撮影が行える。 （もっと読む）

【目的】 画像担持体２に対する作像プロセス機器のうち少なくとも２以上の機器１・６Ａにそれぞれ所定の振動電圧を印加する画像形成装置において、各印加振動電圧の交番成分（交流成分）相互の干渉に起因する画像ムラの発生をなくすること。
【構成】 各振動電圧印加機器１・６Ａに対する各印加振動電圧の交番成分を同一の発振子３１より生じる交番成分から生成させたこと、また２以上の振動電圧印加機器のうちの少なくとも１つの機器に対する印加振動電圧の交番成分を前記同一の発振子３１より生じる交番成分の周波数を分周して得るようにしたこと。 （もっと読む）

【目的】 環境変動による帯電量の変化が極めて小さく、長期の使用によるキャリア劣化、トナー劣化が少なく、安定して高画質の得られる磁性体分散型キャリアを提供する。
【構成】 結着樹脂中に磁性体微粒子を分散させてなるコア材を有し、コア材表面を樹脂被覆層により被覆してなる磁性体分散型キャリアにおいて、■磁性体微粒子は、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト、または鉛フェライトを含み、このフェライトは、周期律表ＩＡ、ＩＩＡ、ＶＩＩＢ、ＶＩＩＩ族などの元素を含んでもよく、その他の元素の含有量は１％未満であり、磁性体微粒子の保磁力が、磁場１０Ｋエルステッドのもとで３００Ｇａｕｓｓ以上であり、■樹脂被覆層は、絶縁性樹脂材料と下記式

（式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄はアルキル基、アリール基などを、同一でもお互いに異なっていても良く、Ａは有機アニオンなどを示す。）で示される第４級アンモニウム塩とを含有する。 （もっと読む）

【目的】 露光時のパターンズレを防止し表示品質の向上を図った液晶表示素子用電極パターン形成方法を提供する。
【構成】 少なくとも２回のフォトリソ工程を繰り返して基板上に液晶表示素子用電極パターンを形成する方法において、基板上に形成したフォトレジストへの所望パターンの露光の際に全面一括露光によるフォトリソ工程と全面を複数エリアに分割する分割露光によるフォトリソ工程とを併用して行う。 （もっと読む）

【目的】 プラズマＣＶＤ法において成膜中に成膜速度をモニター・制御し、所望の膜厚を精度よく得ることができる機能性堆積膜の形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。
【構成】 少なくとも成膜空間１０２を形成する成膜室１０１と、該成膜室中にガスを導入する手段１０４と、該成膜室を排気するための排気装置１０３と、前記成膜空間にプラズマを生起及び持続させるためのラジオ波あるいはマイクロ波を供給する電源１０９と、前記成膜空間の圧力を測定するための圧力計１０７とから構成され、基体１０６上に機能性堆積膜を形成する機能性堆積膜の形成装置及び該装置を用いた堆積膜の形成方法であって、前記成膜空間の圧力を一定に維持する圧力制御手段１０８を配したことを特徴とする。また、前記圧力制御手段は、前記電源１０９から前記成膜空間に供給される電力を調整することを特徴とする。 （もっと読む）