説明

日本碍子株式会社により出願された特許

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【課題】筒状セラミックスの外側に筒状金属を被せて接合した、耐熱性があり密着性のよいセラミックス金属接合体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス金属接合体は、筒状セラミックス体11と、その筒状セラミックス体11の外周面7hに被された筒状金属管12と、を含む。高圧鋳造により、筒状セラミックス体11と筒状金属管12との間隙49内に溶湯を充填し、それが固化することにより、金属接合材層となり、筒状セラミックス体11と筒状金属管12とが接合される。 (もっと読む)


【課題】造孔材として使用する発泡樹脂の使用量を低減することができ、更に、ハニカム成形体の形状が変形し難いハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック原料、発泡樹脂及び水を含有する成形原料を土練して坏土を得る、坏土調製工程と、得られた坏土をハニカム形状に押出成形してハニカム成形体を得る成形工程と、得られたハニカム成形体を焼成してハニカム構造体を得る焼成工程とを有し、発泡樹脂が、所定の土練試験における坏土形成時の密度の増加量が0.15g/cm以下となるものであるハニカム構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】接合時の残留応力を下げ、セラミックス基体にクラックが発生せず、使用温度が200℃であっても十分な接合強度が得られる。
【解決手段】静電チャックは、電極14が埋設されたセラミックス基体12と、セラミックス基体12の裏面に設けた凹部16の底面に露出する電極端子14aと、電極14に給電するための給電部材20と、この給電部材20とセラミックス基体12とを接続する接合層22とを備えている。接合層22は、AuGe系合金、AuSn系合金、又はAuSi系合金を用いて形成されている。セラミックス基体12と給電部材20とは、給電部材20の熱膨張係数からセラミックス基体12の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Dが−2.2≦D≦6(単位:ppm/K)となるように選択されたものである。 (もっと読む)


【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。
【解決手段】ハニカム構造体20は、流体の流路となる複数のセル23を形成する隔壁部22を備えている。このハニカム構造体20は、隔壁部22の一部に形成されSiC相とSi酸化物とAl酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Siと金属Alとを含み金属Siと該金属Alとの総量に対する金属Alの割合が0.001mol%以上20mol%以下である金属相とを有する電極部32と、隔壁部22の一部であり電極部32より体積抵抗率が高い発熱部34とを備えている。このハニカム構造体は、SiC相とSi酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Siと金属Alとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Si及び金属Alをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 (もっと読む)


【課題】成形原料をゲル化させることなく、連続押出成形装置を用いてハニカム成形体を作製することができるハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック原料、有機バインダー及び水を含有しゲル化温度が48〜58℃の成形原料を連続押出成形装置に投入し、連続押出成形装置によって成形原料を混練するとともに混練された成形原料を押出成形してハニカム成形体を作製する成形工程と、ハニカム成形体を焼成してハニカム構造体を作製する焼成工程とを有するハニカム構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】従来のハニカム触媒体より多くの触媒を担持することができ、かつ圧力損失が小さいハニカム触媒体の担体として使用可能なハニカム構造体を提供する。
【解決手段】流体の流路となる複数のセル4を区画形成する多孔質の隔壁5を備え、この隔壁5が、隣り合うセル4を連通する複数の連通孔10が形成されたものであり、セル4の延びる方向に直交する断面における連通孔10の開口径の値が、上記断面において連通孔10内に描かれる隔壁5表面に平行な直線のうちの最長の直線の長さの値より小さく、上記断面において、連通孔10が、上記最長の直線を境界線として最長の直線から開口に向かうに従って連通孔10を形成する側壁の間の距離が短くなる孔であるハニカム構造体100。 (もっと読む)


【課題】誘電層の厚みのバラツキを小さく抑える。
【解決手段】静電チャックの製法として、(a)成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、その成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第1及び第2のセラミック成形体11、12を得る工程と、(b)第1及び第2のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1及び第2のセラミック仮焼体を得る工程と、(c)第1及び第2のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペースト14を印刷して静電電極とする工程と、(d)静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】導体とビア電極との接続の信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板10は、板状の基材層12を有する。基材層12は、例えば、セラミック等からなる基材14と、Ag等からなる第1導体16、ビア電極18とを有し、1つの基材層12と他の基材層12とは、各基材層12を構成する基材14が一体化されることによって積層されている。配線基板10の上面には、基材層12の一主面12aに設けられた第1導体16の一主面16a及び第1導体16を通って基材層12に貫設されたビア電極18の一端面18aが露出している。 (もっと読む)


【課題】抵抗溶接におけるガイドピンの寿命を長くする。
【解決手段】内筒43と主体金具42とを互いに接近する方向に加圧した状態で第1電極61と第2電極80との間に電圧を印加して端部42aとフランジ部43aとの接触面で抵抗溶接を行うにあたり、加圧によるせん断応力がガイドピン70に加わったときに、ガイドピン70がセラミックス製であるため、例えばフェノール樹脂製のガイドピンと比べて摩耗が起こりにくい。また、ガイドピン70の大径部72とガイドピン挿入孔65bとの間にクリアランスDが形成されていることでガイドピン70が径方向に揺動可能であるため、せん断応力の一部を揺動により吸収でき、揺動不可能なセラミックス製のガイドピンと比べてガイドピン70が折れにくい。したがって、抵抗溶接におけるガイドピン70の寿命を長くすることができる。 (もっと読む)


【課題】圧力損失の増加を抑制することができるとともに、その耐久性を良好に向上させることが可能な目封止ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】複数のセル2を区画形成する多孔質の隔壁1を有する柱状のハニカムセグメント8を複数個有するハニカム構造体4と、流出側目封止部5bと、流入側目封止部と、を備え、少なくともハニカム構造体4のセルの延びる方向に垂直な断面の重心Oに位置するハニカムセグメント8が、ハニカムセグメント8の断面における対角線P1,P2の交点部Uに存在する流出セル2bの、セル2の延びる方向に垂直な断面における隔壁1が交差する少なくとも一の角部21に補強部6が形成された補強セグメント8xとなっている目封止ハニカム構造体100。 (もっと読む)


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