【課題】入力光信号の偏波に依存しない同期タイミングで同期ビート光信号を発生することである。
【解決手段】変調信号を発生する局所発振部１５と、参照光信号と時間的変調された円偏光のビート光信号とを合波する光カプラ１１と、非線形効果により、合波された参照光信号及びビート光信号の位相比較信号を生成する位相比較部１２と、位相比較信号及び変調信号を乗算して位相比較信号の微分値信号を位相誤差信号として出力する電気ミキサ１３と、位相誤差信号を整形するループフィルタ２０と、整形された位相誤差信号に基づいて、位相誤差信号を０にするビート光信号を発生して出力するＯＶＣＯ３０と、発生されたビート光信号を、変調信号に基づいて時間的変調する時間的変調部１６と、時間的変調されたビート光信号を円偏光にして光カプラ１１に出力する円偏光調整部１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】導波路の斜め端面による端面反射率の低減効果を得ながらも、半導体光素子の導波路に入射するビームの方向或いは導波路から出射するビームの方向を、劈開端面とは独立に設計可能にした半導体光素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０はハイメサ型の導波路１２を有する。導波路１２は、劈開端面１６とは異なる斜め端面１７を出射端面として有する。斜め端面１７による端面反射率を低減できると共に、斜め端面１７から出射する出射ビーム２１の方向を、劈開端面１６とは独立に設計できる。出射ビーム２１が劈開端面１６に対して垂直に出射されるようにしている。このため、半導体光素子の出射ビームを光ファイバや他の導波路などに結合しようとする場合、半導体レーザ１０を斜めに傾けてサブマウントに配置するなどの工夫をする必要が無い。 （もっと読む）

【課題】活性酸素のうち一重項酸素を安定して生成できる一重項酸素生成装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる一重項酸素生成装置１は、少なくとも酸素分子を一重項酸素化できるエネルギーを有した光である１２７０ｎｍにピークを有するレーザ光Ｌを発するレーザダイオード２を備え、レーザダイオード２は、酸素分子（Ｏ_２）１１に少なくとも１２７０ｎｍを含む光を発することによって、活性酸素のうち長寿命である^１Δ_ｇ（０）の一重項酸素１２を生成するため、活性酸素のうち一重項酸素を安定して生成できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、電気的接続性及び機械的接続性を向上することができる圧着端子を提供することを目的とする。
【解決手段】被覆電線１００の芯線１０２を圧着するワイヤーバレル部１０を、芯線１０２を載置するバレル底部１１と、該バレル底部１１部の幅方向Ｙの両側から延出するワイヤーバレル片１２とで構成し、バレル底部１１には、幅方向Ｙのセレーション２０を備え、バレル底部１１に対して略直交する前方側面２１及び後方側面２２と、該前方側面２１及び後方側面２２のそれぞれの下端を結ぶセレーション底面２３とで構成する溝形状を形成し、後方側面２２’が最大深さＤより深さの浅い五角形断面溝形状で形成した。 （もっと読む）

【課題】広範囲で被検査体の表面の欠陥を検出することができる表面検査装置および表面検査方法を提供する。
【解決手段】表面検査装置１０は、光を照射する投光部１１と、光を第１辺部と第２辺部を有する矩形形状の光に変えて第１辺部ａを拡大しかつ第２辺部ｂを縮小して線状の検出用光３１に形成して検出用光３１を被測定体１の表面２に向けて照射する集光光学部１２と、被測定体１の表面２から反射した検出用光３１を線状に形成した受光像４０として結像するための検出部１３と、検出部１３で受光した線状に形成した受光像４０の変形部分４９を被測定体１の表面２の欠陥５０とする画像処理部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気接続箱等のハウジングへの挿入性を良好とする。
【解決手段】音叉状端子３の突出方向前方を非接触で横切る第１保護部１１と、その第１保護部１１の両端をスタビライザ５，５に夫々接続する一対の第２保護部１２，１２と、を備えて音叉状端子３の外側を同一平面上で囲み、音叉状端子３の使用時には切断除去されるプロテクタ１０を連設する一方、スタビライザ５と第２保護部１２との接続部分に横断面Ｖ字状のノッチ１４を形成して、ノッチ１４の位置でプロテクタ１０を切断除去可能とした。 （もっと読む）

【課題】チップの小型化と、偏波乖離量の低減と図った遅延復調デバイスを提供する。
【解決手段】遅延復調デバイス１は、DQPSK信号が入力される光入力導波路２と、光入力導波路２を分岐するＹ分岐導波路３と、第１のマッハツェンダー干渉計（MZI）４と、第２のマッハツェンダー干渉計５と、を備える。MZI４のアーム導波路８，９の両端部およびMZI５のアーム導波路１２，１３の両端部が、平面光波回路（PLC）１Ａの中心部側に向けてそれぞれ曲げられている。これにより、MZI４のアーム導波路８，９部分のＺ方向長さと、MZI５のアーム導波路１２，１３部分のＺ方向長さとがそれぞれ短くなると共に、各MZIの入力側カプラ６，１０部分および出力側カプラ７，１１部分のＺ方向長さもそれぞれ短くなる。各MZI４，５部分の面積が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を活性化することができるIII族半導体材料電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電界効果トランジスタの製造方法は、基板やサンプルステージ等を加熱しこれらの熱伝導を用いて半導体層を昇温することによって不純物を活性化させるのではなく、キャリア移動層を形成するＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーを有する波長の紫外線レーザ光Ｌを照射することによって電界効果トランジスタの構成層に含まれる不純物を活性化させるため、デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】異種材料との複合体からなり両材料間の接着性、密着性が極めて高いハイブリッド構造を提供する。
【解決手段】異種材料を複合化するハイブリット構造の製造方法において、異種材料間に正の電解質ポリマーと負の電解質ポリマーとの交互吸着膜を形成する異種材料よりなるハイブリッド構造の製造方法。 （もっと読む）

【課題】分岐端子の変形をより確実に防止する。
【解決手段】導電性金属板からなるバスバー１に、音叉状端子３の突出方向前方を非接触で横切り、音叉状端子３側へ突出する突起１３を突設した第１保護部１１と、その第１保護部１１の両端を音叉状端子３を除く導電性金属板の両端に夫々接続する一対の第２保護部１２，１２とを備えて音叉状端子３の外側を同一平面上で囲み、音叉状端子３の使用時には切断除去されるプロテクタ１０を連設した。 （もっと読む）