【課題】
従来のメタルボンド砥石と同等またはそれ以上の研削力と研削比を持ち、且つレジンボンド砥石と同等またはそれ以上の仕上げ面精度を達成できるメタルボンド砥石を提供する。
【解決手段】
本発明によれば、砥粒および第１の金属粉を含んでなるメタルボンド砥石であって、前記第１の金属粉を構成する金属粒子の１粒子当たりの平均表面積Ｘと、前記金属粒子の平均粒子径と同じ直径を有する真球の表面積Ｙの比Ｘ／Ｙが１０．０〜４０．０であることを特徴とするメタルボンド砥石が提供される。 （もっと読む）

【課題】貴金属酸化物に対して高い除去速度を有する研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は配位子化合物及び水を含有する。配位子化合物としては、貴金属酸化物から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力を有し、その能力が貴金属酸化物中の貴金属と同じ種類の貴金属単体から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力よりも高いものが使用される。配位子化合物の例としては例えば、チオシアン酸アンモニウム等のチオシアン酸塩、チオ硫酸アンモニウム等のチオ硫酸塩、亜ジチオン酸ナトリウム等の亜ジチオン酸塩、テトラチオン酸ナトリウム二水和物等のテトラチオン酸塩、ジエチルジチオカルバミン酸ジエチルアンモニウム等のジエチルジチオカルバミン酸塩、ジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム二水和物やジメチルジチオカルバミン酸ジメチルアンモニウム等のジメチルジチオカルバミン酸塩、及びチオ尿素が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造において、金属を研磨する工程で用いられ、酸化剤を添加した後の、研磨用組成物のｐＨ変化の安定化ができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、水溶液中において酸化剤との共存下でｐＨを低下させる物質と、ｐＨ緩衝剤を含有する研磨用組成物であって、研磨用組成物１００ｇに対して、３１重量％の過酸化水素水を５．１６ｇ添加した場合の８日後のｐＨ変化の絶対値が０．５以下であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】溶射効率のよい溶射用粉末を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、セラミックス粒子を含む溶射用粉末であって、セラミックス粒子のフラクタル次元の値が１．０８以下であることを特徴とする溶射用粉末である。セラミックス粒子は造粒−焼結粒子であることが好ましく、セラミックス粒子の平均アスペクト比は１．３０以下であることが好ましい。また、溶射用粉末が追加セラミックス粒子を含んでもよく、追加セラミックス粒子のフラクタル次元の値が１．０８以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】例えば研磨材の製造工程から発生する余剰微粉を含むスラリー組成物のような、酸化アルミニウムとジルコンを含むスラリー組成物から酸化アルミニウムとジルコンを分離する方法を提供する。
【解決手段】本発明の分離の方法は、酸化アルミニウムとジルコンを含むスラリー組成物に対して、ｐＨを４．０〜１１．０に調整し、補収剤としての陰イオン性界面活性剤を少なくとも一種と抽出剤としての有機溶媒を添加し、添加する補収剤としての陰イオン性界面活性剤の量がスラリー組成物中の酸化アルミニウムおよびジルコンの混合物の総量に対して０．２５ｋｇ／トン以上であって、前記スラリー組成物を混合処理した後に酸化アルミニウムとジルコンをそれぞれ油相と水相に抽出する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルリンメッキディスク基板の研磨をより好適に行うことが可能な研磨用組成物及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨方法は、ジエチレントリアミン五酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸及びグルタミン酸二酢酸並びにそれらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選ばれるパッド劣化抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨用組成物をスエードタイプの研磨パッドと併せて使用して研磨対象物を研磨する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用基板を研磨する用途での使用により適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】研磨用組成物は、コロイダルシリカのような砥粒と、クエン酸やオルトリン酸のような酸と、過酸化水素のような酸化剤と、ベンゾトリアゾールのようなアゾール類及びその誘導体から選ばれる化合物とを含有してなる。研磨用組成物は、磁気ディスク用基板を研磨する用途で好適に使用される。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＯＦ溶射で得られる皮膜と同等又はより優れた皮膜特性を有する溶射皮膜を形成することが可能な、ＨＶＡＦ溶射用途で使用される溶射用粉末、及びその溶射用粉末を用いた溶射皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の溶射用粉末は、ＨＶＡＦ溶射により溶射皮膜を形成する用途で使用される溶射用粉末であって、コバルト及びクロムの少なくともいずれか一種を含む金属と炭化タングステンを含んだ造粒−焼結サーメット粒子からなり、造粒−焼結サーメット粒子の平均径は１〜３０μｍ以下、造粒−焼結サーメット粒子のセラミックスの含有量は６０〜９５質量％、造粒−焼結サーメット粒子を構成する一次粒子の平均粒子径が０．２〜６．０μｍ、造粒−焼結サーメット粒子を構成する金属一次粒子の個数平均径を同じ金属一次粒子の体積平均径で除することにより得られる値として定義する分散性の値は０．４０以下の溶射用粉末である。 （もっと読む）

【課題】高い研磨速度を実現することの可能なコロイダルシリカ粒子を含有した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、複数の突起を表面に有するコロイダルシリカ粒子を含有する。研磨用組成物中のコロイダルシリカ粒子のうちコロイダルシリカ粒子の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均は０．２４５以上である。コロイダルシリカ粒子のうちコロイダルシリカ粒子の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子の平均アスペクト比は、１．１５以上であることが好ましい。コロイダルシリカ粒子のうちコロイダルシリカ粒子の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の平均高さは、３．５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面の濡れ性を向上させ、パーティクルの付着等の微小な欠陥を著しく低減させることができる半導体用濡れ剤および研磨用組成物を提供する。
【解決手段】低粘度の水溶性高分子化合物と水を含む半導体用濡れ剤、コロイダルシリカ、およびアルカリ化合物から校正される研磨用組成物せあって、この水溶性高分子化合物の０．３重量％水溶液の２５℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満である。 （もっと読む）