【課題】太いリード線を直接半田付けしても、リード線接続用タブがベースフィルムから剥がれない歪ゲージとロードセルの提供。
【解決手段】
ベースフィルム２１と、ベースフィルム２１上に設けられた歪受感素子２２及び接続タブ（２３，２４）を有する金属箔パターン２００と、金属箔パターン２００を歪受感素子を覆うカバーフィルム２５と、を備えた歪ゲージ２０において、カバーフィルム２５は、接続タブ（２３，２４）を覆う位置まで延設されるとともに、接続タブ（２３，２４）の位置に接続タブ２３よりも小さい孔（２６，２７）が形成され、孔（２６，２７）を介して接続タブ（２３，２４）が露出されるようにした。 （もっと読む）

【課題】過渡温度特性の影響を最小限に抑えることができて、極めて高精度に計量することが可能なロードセルおよびロードセルユニットを提供する。
【解決手段】本発明のロードセルは、起歪体２に歪ゲージ３を貼り付けてなるロードセル１において、起歪体２を恒弾性材料により構成した。これにより、ロードセル１の起歪体２のヤング率の温度変化を最小限に抑えることができて、起歪体２の過渡温度特性の影響を最小限に抑えることができ、高精度に計量できる。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能で、高分解能で、安価な力センサを提供する。
【解決手段】 絶縁性のセラミックスからなる可撓性基板１１と、可撓性基板の両端を支持する支持部１２ａ、１２ｂを備えた固定部材１２と、可撓性基板１１の支持部間に設けられたプローブホルダー１６とプローブ１７とを備え、プローブ１７に荷重を付加したときに、可撓性基板１１上の歪みが生じる部位に薄膜状に形成され、可撓性基板の歪みにより電気抵抗値が変化する４つの歪みゲージ１３ａ〜１３ｄと、該歪みゲージによりプローブに加わった力を測定するとともに、前記プローブホルダーが移動する範囲を制限するようにプローブホルダーの一部をカバー１８で覆った。 （もっと読む）

【課題】トリガー端子とクロック信号端子とを別個に設ける必要がないから、小形な歪検出装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】上電圧値（１０Ｖ）、中間電圧値（５Ｖ）、下電圧値（０Ｖ）の３段階の電圧値の内、下電圧値に対する中間電圧値のＯＮ−ＯＦＦ切り替えに基づくデジタル信号をトリガー信号５３とし、中間電圧値に対するＯＮ−ＯＦＦ切り替えに基づくデジタル信号をクロック信号５４としているので、信号処理回路４７は制御ロジック４１にトリガー信号５３およびクロック信号５４を同一の信号線（第２の入出力信号線４９）を介して出力した構成とした。 （もっと読む）

【課題】取り付け部品が少なく、作業効率や使い勝手の良い歪検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷重により歪を生じる円筒形状の起歪体２と、この起歪体２に配置され歪量に応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、この抵抗素子に結線された信号処理回路を備え、この起歪体２を挟むように起歪体の上下にネジ部４を形成し、信号処理回路を配置したケース６を起歪体２に取り付けるとともに、抵抗素子は起歪体２の外周面に配置して、抵抗素子と信号処理回路とを結線した構成である。 （もっと読む）

【課題】制御ロジックと信号処理回路との通信状態を簡単に確認でき生産性を向上した歪検出装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】信号処理回路４７から第１の入出力信号線４８を介して不揮発性メモリ４２にデータを書き込む書き込みコマンド５５と、不揮発性メモリ４２のデータを消去する消去コマンド６１と、不揮発性メモリ４２に保管された補正データ５７を出力する出力コマンド５８からなるコマンドのいずれかを信号処理回路４７からＩＣ４０ａにおける制御ロジック４１に受けた後に、３つのコマンドのいずれかを受けたことを確認する確認データ５６、５９、６２を第１の入出力信号線４８を介して信号処理回路４７に出力する手段を設ける構成としたものである。 （もっと読む）

【課題】使用される周囲温度の影響を受けず、起歪体に係る温度が変化しても適正な荷重値を検出できる歪検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷重により歪を生じる円筒形状の起歪体１２と、この起歪体１２に配置され歪量に応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、この抵抗素子に結線された信号処理回路を備え、この起歪体１２を挟むように起歪体の上下にネジ部１４を形成し、信号処理回路を配置したケース１６を起歪体１２に取り付けるとともに、抵抗素子は起歪体１２の外周面に配置して、抵抗素子と信号処理回路とを結線した構成である。 （もっと読む）

【課題】第１の比較素子の故障を検知することにより、信頼性の向上した歪検出装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】検出対象の荷重に応じて出力信号を出力する素子部と、出力信号を補正するためのデータを保管する不揮発性メモリ４２と、不揮発性メモリ４２にデータを書き込むとともに不揮発性メモリ４２からデータを読み出し、データに基づいて出力信号を補正する制御ロジックと、不揮発性メモリ４２に保管されたデータを一時的に保管するシフトレジスタ４３と、不揮発性メモリ４２に保管されたデータとシフトレジスタ４３に保管されたデータを比較する第１の比較素子とを備え、電源起動時に不揮発性メモリ４２とシフトレジスタ４３のデータを比較して第１の比較素子４４ａの故障を判定する故障診断手段を設ける構成とした。 （もっと読む）

【課題】被測定軸に取り付ける際にひずみゲージを傷つけてしまうおそれをなくするとともに、被測定軸にひずみゲージを一定の押し圧で取り付ける際にトルク管理を不要とし、取り付け作業を容易に行うことができる加圧力検出装置を提供することである。
【解決手段】被測定軸に固定する取付ベルトと、被測定軸に加わる圧力を検出するセンサと、センサをあらかじめ取り付けたセンサ取付金具と、取付ベルトが被測定軸に固定された状態で、被測定軸の表面にセンサがまっすぐ当接するように、センサ取付済みのセンサ取付金具を取付ベルトに取り付ける取付治具とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
ロバーバル機構および歪みゲージのクリープ特性にはばらつきがあり、ロバーバル機構と歪みゲージとの間に最適な枚数の接着フィルムを重ねて貼ることにより、ゼロクリープ特性となるよう調整していた。しかし、ゼロクリープ特性を完全に達成することは非常に困難であり、また、経年変化によりクリープ特性が現れ、問題となっていた。
【解決手段】
本願発明にかかる歪みゲージ式ロードセルは、歪み信号が負のクリープ特性となるように構成し、歪み信号の時間変化が極値を示したこと検出する極値検出手段と、その極値検出結果に基づいて、歪み信号のクリープ補正を行うことを特徴とする。クリープ状態であることを的確に判定して、クリープ補正をすることができ、かつ迅速に計量表示値を安定させることができる。また、負のクリープ特性となるように粗調整した歪みゲージ・接着フィルムなどを用いればよく、製作が容易である。 （もっと読む）

【課題】荷重に応じて基板に加わる応力を分散して適切に荷重の大きさ及び方向を検出することができる荷重センサを提供すること。
【解決手段】固定部１０３ａ〜１０３ｄと、荷重を受ける荷重受け部１０１と、荷重に応じた基板１００の歪みを検出する歪み検出素子２０１ａ及び２０１ｂと、を具備する荷重センサにおいて、荷重受け部１０１で受けた荷重に応じて基板１００に加わる応力を分散可能なスリット１０５、１０６を基板１００に形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサを構成する感歪抵抗体の抵抗値が所定範囲内に入らなかった場合、ブリッジ回路を構成できないという課題があった。
【解決手段】基板上に、ガラス層２５を介して形成された複数の感歪抵抗体５２が、配線によってブリッジ回路を形成されてなる歪センサにおいて、前記感歪抵抗体５２の少なくとも一側面に接続される配線がトリミング配線２１ａ、２１ｂである歪センサであり、前記トリミング配線２１ａ、２１ｂをオーバーコート５３越しに切断する。 （もっと読む）

【課題】 小型高精度単軸力変換機で、一体型素材から加工するもので、内部の梁に加工する場合、周縁部を貫通し、深い位置にある梁に加工を施している従来の形状では、起歪部形状、精度に問題がり、力変換機の精度に問題があった。
【解決手段】 単一素材からの加工により製作される中心部から外周へほぼ等配放射状の複数の梁で結合されている梁の郡が軸方向に適宜離間して複数設け、当該梁の郡の位相を異にする構造にすることで、起歪部の加工の自由度をあげ、形状を図１に示すようにすることで課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】セラミックダイヤフラムに厚膜抵抗を配したの応力センサにおいて、ゲージ率ないしＫファクタを増大し後置接続された電子回路によっても良好に処理が可能な信号が生成されるように改善を行う。
【解決手段】セラミックダイアフラム（支持体）と厚膜抵抗および厚膜導体路の間に誘電層を設ける。これにより、厚膜抵抗と誘電層との間に両材料の混合層が形成され、感圧抵抗としてのＫファクタが著しく高められる。またダイアフラムの薄膜化を過度に行う必要がなくなり製造が容易になる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と配線を同一平面に凹凸を抑えて形成することができ、配線の段差等による抵抗体ペーストの印刷性に対する影響を最小限に抑え、感歪抵抗体の特性バラツキをできるだけ少なくできる歪センサ及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】基板２１と、前記基板２１上に複数の電極１２を埋め込んだ絶縁層２２を有し、前記電極１２上に感歪抵抗体２３を備え、前記感歪抵抗体２３および前記電極の少なくとも一部を覆う保護層２５を有することを特徴とする歪センサである。 （もっと読む）