【課題】半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。
【解決手段】基板表面から放出された二次電子を計数する機構に含まれる波高弁別器９において、一定時間間隔内に検出器に入った電子の個数の計数量を制限することによって、ＳＥＭ画像のパターン側壁に生じるホワイトバンドの幅とパターン側壁角度の相関関係を強調することができ、予め求めたパターン側壁角度とホワイトバンドの幅の相関関係からパターン側壁角度を非破壊で計測することができる。 （もっと読む）

【課題】感光体表面に生じている静電潜像をミクロンオーダーで高精度に計測する静電潜像計測装置および静電潜像計測方法を提供する。
【解決手段】電子銃１１と、光源１００と、音響光学偏向素子１０３と、ポリゴンミラー１０５と、２次電子検出器２４と、音響光学偏向素子１０３の駆動周波数の変化が回折に与える影響を補正する補正手段と、を備えた静電潜像計測装置。１次元方向への走査は音響光学偏向素子１０３による回折、他の１次元方向への走査はポリゴンミラー１０５による偏向により行うことで２次元方向への走査を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体１３９上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源１３１と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源１３１からのレーザ光を感光体１３９上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体１３９上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域（ＥＰ）を複数の撮像領域（ＳＥＰ）に分割し，ＳＥＰをＳＥＭを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において，繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるＳＥＰを決定すること，およびそのようなＳＥＰを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを決定することである。
【解決手段】
一部のＳＥＰ間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し，ＳＥＰ配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるＳＥＰを決定できるケースが増える。また，そのようなＳＥＰを決定できなくても，複数のＳＥＰ配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・ＳＥＰを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを容易に決定できる。 （もっと読む）

【課題】撮像ポイントに対応する撮像領域間が重なった場合、評価ポイントについて撮像される画像の品質が低下する。
【解決手段】荷電粒子線装置における撮像範囲間の重なりの有無を、コンピュータによる演算処理を通じて判定する。この際、重なりの有無の判定は、判定対象に対応する撮像範囲を構成する４つの頂角のうち隣り合う関係にある４組の２つの頂角と、他の１つの撮像範囲を構成する４つの頂角のうちの１つの頂角とによって形成される４つの三角形の面積の総和が、判定対象に対応する撮像範囲の面積と一致する否かによって実行する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、高精度かつ短時間の薄膜の膜厚測定と異常値検出を可能とする薄膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線回折装置を用いて、評価試料の最上層の膜厚を測定する方法であって、Ｘ線回折装置以外の膜厚測定方法を用いて、標準試料の膜厚基準値を測定する基準値測定ステップと、前記標準試料のＸ線回折強度分布から検出された特徴量と、前記膜厚基準値とを対応付けた校正情報１０をあらかじめ生成する校正情報生成ステップと、評価試料のＸ線回折強度分布を取得する分布取得ステップＳ１００と、前記分布取得ステップＳ１００で取得されたＸ線回折強度分布から特徴量を検出する特徴量検出ステップＳ１０１と、前記特徴量検出ステップＳ１０１で検出された特徴量と、前記校正情報１０とから前記評価試料の最上層の膜厚を算出する膜厚算出ステップＳ１０６とを備えたことを特徴とする膜厚測定方法である。 （もっと読む）

【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高炉の炉内状況の推測は温度計測に依存しているのが現状で、耐火レンガの損耗を推定するのに利用された宇宙線ミュオンを用いて炉内状況の推定を行う。
【解決手段】宇宙線ミュオンを計測する計測装置により高炉を透過して飛来する高炉透過の宇宙線ミュオン強度と、該高炉透過の宇宙線ミュオンの飛来方向の判別情報と、高炉を非透過の非透過宇宙線ミュオン強度とを一定時間蓄積し、該実測による蓄積データに基づいて、高炉の状態を密度として炉底透過の宇宙線ミュオン強度と非透過宇宙線ミュオン強度との強度比で表し、特定箇所における強度比より当該箇所に存在する炉内充填物の密度を求め、該密度より炉内を構成する充填物を推定する。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡による観察面の直接観察では発見しにくい、平坦で特徴の少ない面内の極小領域に規則性を持って点在する試料であった場合に、アライメントを容易にする。
【解決手段】走査電子顕微鏡の試料室外もしくは試料室内に、走査電子顕微鏡の観察面に対して斜め方向に光を照射して反射光を検出する光学顕微鏡ユニット２４を設ける。アライメントの際には、複数ある観察対象部位から任意に選択した観察対象部位で、電子顕微鏡の観察面とは異なる端面を斜めから観察した光顕画像を撮影する。撮影した画像をテンプレートマッチングの手法を用いて解析し、実画像上における観察位置の座標情報を推定する。 （もっと読む）

【課題】標準試料を使用することなく正確に測定可能な走査型電子顕微鏡及びそれを用いる測定方法を提供すること。
【解決手段】試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 （もっと読む）

【課題】サンプルと基準点との間の距離を測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】検査されるサンプル（１２）と少なくとも基準点（１９，２１）との間の距離（Ｚ）を測定する方法は、信号をサンプル（１２）の第１の電位に変調し、一次粒子ビームをサンプル（１２）に供給し、二次粒子ビーム、および二次粒子ビームの粒子の第２の電位に変調信号を検出し、検出された変調信号を、基準信号と比較するという工程を有する。装置は、信号をサンプル（１２）の第１の電位に変調する変調ユニット（２２）と、サンプル（１２）に当たる一次粒子ビームを発生させるビーム発生器（２）と、二次粒子ビームの粒子と二次粒子ビームの粒子の第２の電位に変調された変調信号を検出する検出器（１９，２０，２１）と、検出された変調信号を基準信号と比較する評価ユニット（２５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】宇宙線ミュオンを利用して高炉炉底の耐火レンガの損耗量の計測には改良すべき点があった。
【解決手段】ミュオンを計測する計測装置により高炉炉底を透過して飛来する炉底透過のミュオン強度と、該炉底透過のミュオンの飛来方向の判別情報と、高炉を非透過の非透過ミュオン強度とを一定時間蓄積し、該実測による蓄積データに基づいて炉底の状態を密度として炉底透過のミュオン強度と非透過ミュオン強度との強度比で表し、炉底耐火物の密度に対応する該強度比と、炉内の物質の密度に対応する強度比との相違に基づいて高炉炉底耐火物と炉内の境界位置を判定し、また前記強度比と炉底耐火物の損耗量との関係を推定し、この推定した関係から境界位置の判定に供された強度比に対応する損耗量を求め、これを実測値による炉底耐火物の損耗量と推定する。 （もっと読む）

【課題】熱電対を利用して高炉炉底の耐火レンガの残厚を推定する方法において、耐火レンガ残存厚を一層高精度に推定できる高炉炉底管理方法を提供する。
【解決手段】宇宙線ミュオンを利用して耐火物と炉内との境界位置を判定する。境界位置の判定は、宇宙線ミュオンを計測する計測部１２により高炉炉底２を透過して飛来する炉底透過の宇宙線ミュオン強度と、該炉底透過の宇宙線ミュオンの飛来方向の判別情報と、高炉を非透過の非透過宇宙線ミュオン強度とを一定時間蓄積し、該蓄積データに基づいて炉底の状態を炉底透過の宇宙線ミュオン強度と非透過宇宙線ミュオン強度との強度比で表し、該強度比に基づいて行う。この判定基準として高炉炉底耐火物内に配置された温度計測手段９ａ、９ｂにより計測した計測温度の変動から耐火物への付着物厚みの増減を推定し、短期的な炉内状況変動も管理する。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】標準寸法試料の最適観察倍率以外の倍率範囲においても倍率校正、測長値の校正が行える荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】倍率基準とする試料の試料拡大像を用いて倍率が校正された第１の倍率で試料像を取得する一画像内で前記偏向器によって荷電粒子線を所定量偏向させて記録した視野移動を含む第１の試料像から抽出した荷電粒子線偏向前後の視野の移動量と、第２の倍率で試料像を取得する一画像内で前記偏向器によって荷電粒子線を前記所定量偏向させて記録した視野移動を含む第２の試料像から抽出した荷電粒子線偏向前後の視野の移動量とをもとに、前記第２の倍率を校正する。 （もっと読む）

【課題】 低加速電圧を用いた高精度な三次元解析を行える走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 二次電子検出器１２よりも電子源側に、４分割された変換電極２１ａ〜２１ｄが配置されている。変換電極２１ａは対物レンズの下面（試料側）より上方に配置されており、その変換電極２１ａに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、変換電極２１ａの近傍の二次電子検出器１２ａに捕集される。同様にして、変換電極２１ｂに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｂにより捕獲され、変換電極２１ｃに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｃにより捕獲され、変換電極２１ｄに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、二次電子検出器１２ｄに捕集される。 （もっと読む）

【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）