【課題】太陽電池パネルが備えるバイパスダイオードについて容易に診断することができる太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】太陽光発電システム１は、バイパスダイオードを有し、太陽光を受けて発電する太陽電池ストリング３ａ，３ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加することによって、発電時と同じ方向の電流を流す診断用電源１２ａ，１２ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加するか否かを切り替えるスイッチ部１４ａ，１４ｂと、太陽電池ストリングに流れる電流を測定する電流検出部１５ａ，１５ｂとを備える。太陽光発電システム１はさらに、診断電圧が印加された場合に電流検出部１５ａ，１５ｂによって測定される電流の大きさと予め定められた診断閾値とを比較し、比較の結果に基づいてバイパスダイオードに不具合があるか否かを判断する制御部１７を備える。 （もっと読む）

【課題】低い耐圧特性、及び大きな電流が流れる被検査半導体装置を、破壊することなく実際の使用環境と略一致の条件にて耐圧検査する。
【解決手段】
被検査半導体装置に電圧を印加するための電源を二つ設ける。片方の電源は、被検査半導体装置の破壊電圧以下の電圧を常に印加する。もう片方の電源は、所望の検査条件の電流を流すために必要な電圧を、被検査半導体装置の制御信号と同期させて印加する。この結果、被検査半導体装置には実際の使用環境と同様に、常に一定のストレスが印加された状態となり、実用的な耐圧検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域でダイオードの電流コラプス特性を評価することができるダイオード装置およびダイオード装置の評価方法を提供する。
【解決手段】ダイオード装置１００において、第１の回路と、第１の回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７を有する測定回路と、第１の回路および測定回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７のカソード側の電位を所定の電位にクランプするクランプ回路１１１と、第１の回路、測定回路およびクランプ回路と並列に接続された第２の回路とを備え、被測定ダイオード１０７のカソード電位は、被測定ダイオード１０７のカソード電位が所定値未満の場合に、クランプ回路１１１の出力端子の電位にクランプされる。 （もっと読む）

【課題】大規模な被測定トランジスタの特性を高精度に測定する半導体装置及びそれを用いた評価方法を提供する。
【解決手段】ｎ行ｍ列のマトリクス状に配列される被測定トランジスタＤＵＴを有する評価セルＣ１１〜Ｃｎｍと、被測定トランジスタにストレス電圧を印加するためのドレインストレス線ＤＶＳ等と、評価セルを選択するための行選択信号供給用の行選択線Ｘ１〜Ｘｎと、列選択信号供給用の列選択線Ｙ１〜Ｙｍと、入力される行選択信号と列選択信号に応じて被測定トランジスタの選択／非選択を表す選択信号を出力する選択回路１０と、を備え、選択信号供給回路に入力される選択制御信号等により行選択信号と列選択信号を生成し、評価セル各々に設けられた第１のトランジスタＴ１〜第９のトランジスタＴ９を切り替え、被測定トランジスタＤＵＴの測定評価、或いは被測定トランジスタＤＵＴへのストレス電圧印加を行う。 （もっと読む）

【課題】従来よりも正確な信頼性寿命を簡単に予測することのできる半導体装置の評価方法、評価装置、および、評価プログラムを提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極にストレス電圧を一定時間印加するストレス電圧印加ステップＳ４２と、一定時間の経過後、ドレイン電流Ｉｄを測定する測定ステップＳ４３と、ゲート電極にストレス電圧より絶対値の小さい回復電圧を一定時間印加する回復電圧印加ステップＳ４５と、一定時間の経過後、ドレイン電流Ｉｄを測定する測定ステップＳ４６と、測定ステップＳ４３で測定したドレイン電流Ｉｄと、測定ステップＳ４６で測定したドレイン電流Ｉｄとから、ドレイン電流劣化率ΔＩｄと作動時間の関係を近似した近似式を求める近似ステップと、近似式のドレイン電流劣化率ΔＩｄに、信頼性寿命の判断基準となる数値を代入することにより、信頼性寿命を算出する算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に設けられた複数の半導体素子のそれぞれについてリーク電流の発生の有無を判定することが可能であるとともにリーク電流の発生箇所を特定することが可能なリーク電流検査装置およびリーク電流検査方法を提供する。
【解決手段】インバータ１の第一入力端子４１と第二入力端子４２との間に所定のバイアス電圧Ｖ_０を印加し、かつインバータ１の第一アーム１０・第二アーム２０・第三アーム３０のいずれか一つに対応する出力端子と第一入力端子４１・第二入力端子４２のいずれか一方との間に所定の測定電圧Ｖ_１を印加した状態で、当該出力端子の電流値を検出する。 （もっと読む）

【課題】ワーク搬送パレットに載せられて搬送されてくるワークを試験位置で位置決め固定できる環境試験装置を提供すること。
【解決手段】ワークは、ワーク搬送パレット２０上において、ワーク押さえ部材３０はバネ力によって位置決め板２２へ押し付けられて固定されている。ワークが試験位置１２まで搬送されてくると、ワーク位置決め機構５０がパレット位置決めピン５５、５６をパレット位置決め貫通孔２１ｂ、２１ｃに挿入して、ワーク搬送パレット２０の位置決めを行う。また、ワーク押さえ部材位置決めピン５７をワーク押さえ部材位置決め貫通孔３２ａに挿入して、ワーク押さえ部材３０を位置決めする。この結果、バネ力による押し付け状態のいかんに拘らず、ワーク押さえ部材３０によってワークが確実に位置決め板２２に位置決め固定される。 （もっと読む）

【課題】 デバイス評価装置においては、ソケットへＤＵＴを逆挿しするミスがあり、逆挿しにより過大な電流がＤＵＴに流れ，ＢＧＡパッケージのハンダボールが溶け、ＤＵＴを破損させ、またデバイス評価装置を損傷させるという問題がある。
【解決手段】 ＤＵＴに印加される電源電圧をモニターすることで過負荷状態を判定する判定回路を設ける。ＤＵＴ電源投入直後の過負荷をデバイスの逆挿しとして検知し、ＤＵＴ電源の立ち上がり時間にほぼ等しい短時間でＤＵＴへの電源を遮断することができる電源供給システムを提供することである。 （もっと読む）

電子的に活性化された集積回路の試験に使用するのに便利な、冷却プレート及びマイクロスプレー冷却システムの結合体が開示されている。システムは、透明熱拡散体及び熱拡散体近傍に配置されたマイクロスプレーヘッドを含む。スプレーヘッドは、冷却流体を熱拡散体の周辺に噴霧し、チップから熱を除去する。或いは、マイクロスプレーヘッドは冷却プレートの内側に備えられ、ホルダが冷却されるように、ホルダーの内側に冷却液を噴霧する。ホルダーは、熱拡散体と物理的に接触し、これによりホルダーは、スプレーにより冷却され、熱は、熱拡散体から、そしてチップから除去される。
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【課題】試験中の半導体デバイスの動的電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性を正確に測定する半導体監視機器及びその測定方法を提供することである。
【解決手段】
試験中の半導体デバイスの動的電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性を測定する機器は、試験中のデバイスの入力と出力の両方において、高速で印加した一般に方形波のバイポーラパルスの形を用いて調整可能なバイアスを適用する手段と、状況に応じて、試験中のデバイスの入力と出力の両方で直流信号を適用することにより試験中の半導体デバイスの直流電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性を測定する手段と、入力と出力の両方で電流応答を測定する手段を備えている。試験中の半導体デバイスの動的電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性の測定方法も、また上記と同様である。
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バーンイン試験中の温度のばらつきを低減するためのシステムおよび方法。一実施形態では、被試験集積回路によって消費される電力を測定する。集積回路に関係する周囲温度を測定する。集積回路の所望の接合部温度は、集積回路のボディバイアス電圧を調整することによって達成される。個々の集積回路の温度を制御することによって、バーンイン試験中の温度のばらつきを低減することができる。

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バーンイン試験中の温度放散を低減するためのシステムおよび方法を記載する。被試験デバイスは各々ボディバイアス電圧に曝される。ボディバイアス電圧は、接合部温度（例えば被試験デバイスで測定される温度）を制御するために使用することができる。各被試験デバイスに印加されるボディバイアス電圧は、各デバイスで基本的に同一接合部温度を達成するように、デバイス毎に調整することができる。
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バーンイン試験中の温度放散を低減するためのシステムおよび方法を記載する。複数の被試験デバイスが各々ボディバイアス電圧に曝される。ボディバイアス電圧は、被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流を低減または実質的に最小化する。したがって、バーンイン中の熱放散が低減される。
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