【課題】測定コストの上昇の抑制とハムノイズの除去とを行いつつ、充電状態を揃えて絶縁抵抗を測定する。
【解決手段】ｍ個のコンデンサ１１に試験電圧Ｖを同時に印加する電圧出力部２と、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉを検出して検出信号ＳＩを出力する電流検出部３と、各検出信号ＳＩの１つを選択して特定検出信号ＳＩｓとして出力する信号切替部４と、特定検出信号ＳＩｓの波形データＤｗを出力する１つのＡ／Ｄ変換部６と、波形データＤｗで示される電流値と試験電圧Ｖとから各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを算出する処理部６とを備え、処理部６は、信号切替部４を切替制御して、（Ｔｃ×ｍ／ｎ）以上であるＴｃの最小の倍数を時間ｋとしたときに、ｎ個のポイントの時間間隔が（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）となり、各検出信号ＳＩの１個目のポイントがすべて異なる時間で、かつ期間（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）内に含まれるように信号切替部４を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる周波数信号を重畳した試験信号を出力し、試験信号に対する測定信号から各周波数成分を抽出する際の処理負荷を軽減する。
【解決手段】試験信号を出力する試験信号出力部と、測定信号をサンプリングするサンプリング部と、サンプルデータから、周波数成分を抽出する周波数成分抽出部とを備え、試験信号出力部が出力する試験信号は、ナイキスト周波数以下であるｆ₁…ｆ_qの周波数信号と、ナイキスト周波数超であるｆ_q+1…ｆ_nの周波数信号とを重畳した信号であり、かつｆ_q+1…ｆ_nについて折り返しで出現する周波数それぞれが、ｆ₁…ｆ_qのいずれの周波数および折り返しで出現する他のいずれの周波数とも異なる信号であり、周波数成分抽出部は、折り返しで出現した周波数のそれぞれを、その周波数に基づいてｆ_q+1…ｆ_nのいずれかの周波数に対応付けて周波数成分を抽出する測定装置。 （もっと読む）

【課題】方向性結合器を用いた電力測定において、測定端子が１つであっても運用中の送信信号から反射波電力を正確に測定すること。
【解決手段】送信機１００は、測定する方向性結合器のモニタ端子が切替部によって切り換えられて、進行波モニタ端子で測定される第１パイロット信号を基準信号として、反射波モニタ端子で測定される第２パイロット信号を正規化し、正規化後の測定反射波信号ベクトルを得る。方向性結合器の出力端子を終端して、同様に測定された正規化後の進行波の漏れ信号ベクトルとのベクトル差分から真の反射波信号ベクトルを求める。これらをもとに測定反射波電力に対する電力補正係数を算出する。 （もっと読む）

【課題】導電率をはじめとする各種物性の測定値が安定したことを自動的に検知して、その測定値を自動的にディスプレイ等に出力することが可能な測定装置を提供する。
【解決手段】過渡応答状態を経過して所定状態に収束するまでに一定以上の時間を要する物性を検出する検出器２から当該物性を示す出力信号を受信して、その物性の測定値を算出する算出部９１と、前記算出部により算出された測定値を時系列に格納する格納部９２と、前記格納部９２に格納された測定値の所定時間内での変化が予め定めた一定範囲内に収まっているか否かを判定する判定部９３と、前記判定部９３が測定値の所定時間内での変化が予め定めた一定範囲内に収まっていると判定した場合に、前記測定値を出力する出力部９４と、を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】容量検出装置と抵抗検出装置の高精度化を図る。
【解決手段】本発明の容量検出装置は、発振部、第１微分部、第２微分部、第３微分部、第４微分部、制御部、積分部、サンプルホールド部を備える。第１〜４微分部は、第１〜４容量センサを用いて、第１発振信号を微分した信号に相当する第１微分信号を生成する。第２容量センサは第１容量センサと逆向きに静電容量が変化する。第３容量センサは第１容量センサと同じ向きに静電容量が変化する。第４容量センサは第１容量センサと逆向きに静電容量が変化する。積分部は、第１の位相のときに第１微分信号と第４微分信号とを合成した信号に対応する第１合成信号を生成し、第２の位相のときに第２微分信号と第３微分信号とを合成した信号に対応する第２合成信号を生成し、積分制御信号にしたがって第１合成信号と第２合成信号とを積分し、積分信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】 二次電池が実使用状態においてもその内部抵抗値の把握を可能とする。
【解決手段】 二次電池の電圧測定手段と、該電池の電流測定手段と、該電圧測定手段及
び電流測定手段によって測定した測定値を一時的に記憶する記憶手段をもち、前記電圧測
定値および電流測定値をそれぞれウェーブレット変換し、対応する周波数毎に電流および
電圧のウェーブレット変換係数の関係を直線近似して、その傾きから周波数毎に電池の内
部抵抗を算出する内部抵抗演算装置。 （もっと読む）

【課題】回路規模および消費電力の増大を伴わずに低ノイズ特性を実現し、Ｓ／Ｎ比の高い正確な静電容量検出が可能な静電容量検出回路を提供する。
【解決手段】被検出キャパシタＣｓの容量値を電圧に変換して出力する静電容量検出回路であって、演算増幅器Ａ１の反転入力端子と演算増幅器Ａ１の出力端子との間に直列に第１のスイッチＳ１及びホールドキャパシタＣｈを接続する。そして、フェーズ１（第１のサンプリング期間）で第１のスイッチＳ１をオフし、フェーズ２（第２のサンプリング期間）で第１のスイッチＳ１をオンすることで、ホールドキャパシタＣｈに、フェーズ２の電荷のみを保持させるようにする。 （もっと読む）

【課題】単一のコイルでインダクタンスの変化を効果的に検出し、小型でありながら高精度な変位センサを実現するためのインダクタンス変化検出回路と、これを用いる変位検出装置及び金属検出装置を提供する。
【解決手段】コイルとコンデンサを直列接続した過渡応答回路に対し、所定の電圧と接地とを交互に接続する。また、フリーホイールダイオードを二つ設けて、電圧或は接地から切断した直後にコイルから生じる起電力を受け流し、コンデンサに電荷を蓄積させると共に回路を安定化させる。その後、コンデンサ或はコンデンサとコイルの直列接続よりなる負荷の両端電圧を取得して、コイルに非磁性体金属が近接しているときと近接していないときに生じるインダクタンスの変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】単一のコイルでインダクタンスの変化を効果的に検出し、小型でありながら高精度な変位センサを実現するためのインダクタンス変化検出回路と、これを用いる変位検出装置及び金属検出装置を提供する。
【解決手段】コイルとコンデンサを直列接続した共振回路に対し、所定の電圧と接地とを交互に接続する。また、フリーホイールダイオードを二つ設けて、電圧或は接地から切断した直後にコイルから生じる起電力を受け流し、コンデンサに電荷を蓄積させると共に回路を安定化させる。その後、コンデンサ或はコンデンサとコイルの直列接続よりなる負荷の両端電圧を取得して、コイルに非磁性体金属が近接しているときと近接していないときに生じるインダクタンスの変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】容量検出装置と抵抗検出装置の高精度化を図る。
【解決手段】本発明の容量検出装置と抵抗検出装置は、発振部、第１微分部、第２微分部、積分部、サンプルホールド部、制御部を備える。第１微分部は、第１容量センサまたは第１抵抗センサを用いて発振信号を微分した第１微分信号を生成する。第２微分部は、第２容量センサまたは第２抵抗センサを用いて発振信号を微分した第２微分信号を生成する。積分部は、あらかじめ定めた位相のときに第１微分信号と第２微分信号との差に対応した信号となる積分信号を生成する。サンプルホールド部は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。制御部は、発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】専用検査器を必要とせず、コンデンサ１個当たりに要する検査時間を短縮してＤＣバイアス−容量特性を計測する。
【解決手段】計測装置１は、素子接続部４、制限抵抗３、ＤＣバイアス源２、電流測定器５、および演算部６を備える。素子接続部４はセラミックコンデンサ５０が接続される。制限抵抗３は既知の抵抗値であり、セラミックコンデンサ５０に直列に接続される。ＤＣバイアス源２は、制限抵抗３とセラミックコンデンサ５０とからなる直列回路７に既知のＤＣ電圧を印加する。電流測定器５は、直列回路７の電流瞬時値を測定する。演算部６は、電流瞬時値を既知の時間間隔で取得し、電流瞬時値に基づいてセラミックコンデンサ５０の容量瞬時値を導出し、ＤＣ電圧と抵抗値と電流瞬時値とに基づいてセラミックコンデンサ５０に印加される電圧瞬時値を導出し、電圧瞬時値および容量瞬時値によりＤＣ電圧値に対応した被測定素子の容量値を求める。 （もっと読む）

【課題】電圧データに含まれる勾配成分によるインピーダンス演算への影響を大幅に軽減でき、出力変化が直線近似できない場合でも高精度のインピーダンス測定が行え、ステップ的な入力に対しては出力が安定するまで待つことなく短時間でのインピーダンス測定が可能な交流インピーダンス測定システムを提供すること。
【解決手段】周期信号が重畳された信号を被測定物に印加することにより得られる電流と電圧の少なくとも一方に勾配を含むデータをフーリエ変換したデータに基づき、被測定物のインピーダンスを演算するように構成された交流インピーダンス測定システムにおいて、
前記電流と電圧のフーリエ変換を固定の時間区間で開始時間をずらして複数回行うフーリエ変換部と、これら電流と電圧の各フーリエ変換データ列におけるデータの差分を値が１つになるまで複数回求める差分演算部と、この差分演算部で求めた電流と電圧の差データの比から前記被測定物のインピーダンスを求めるインピーダンス演算部、を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】フライングキャパシタ方式の絶縁計測装置にあって、検出精度を確保しつつ計測時間を短縮する技術を提供する。
【解決手段】キャパシタＣ１に設定された電圧を計測するために、判定制御部３０は、第１及び第２のスイッチＳＷ１、ＳＷ２をオフして第３及び第４のスイッチＳＷ３、ＳＷ４をオンする。さらに、判定制御部３０は、ＡＤ読み込みスイッチＳＷａを非常に短い時間だけオンする。そして、ＡＤ読み込みスイッチＳＷａがオフとなると、ＡＤ読み込み用キャパシタＣａの電位はホールドされ、判定制御部３０は、ＡＤ読み込みスイッチＳＷａがオフとなっている所定期間に入力ポートＡＤに入力される電位を読み込む。このとき第３及び第４のスイッチＳＷ３、ＳＷ４はオンのままでキャパシタＣ１の電荷は徐々に放電される。 （もっと読む）

【課題】常時の潮流を利用して高精度に線路定数を求める。
【解決手段】測定対象とする送電線１０１Ａ〜Ｃの両端に、その電気量を取り込む保護制御計測装置１１０と、両端の保護制御計測装置１１０において電気量取り込みを同時刻に行うための時刻同期手段１１２と、両端の保護制御計測装置１１０から取り込んだ電気量から線路の定数を算出する線路定数算出手段１１３を設ける。線路定数算出手段１１３において保護制御計測装置１１０に取り込む電気量に零相分が一定値以上含まれていることを検出する零相分検出手段１１４を設ける。零相分検出手段１１４において検出した零相分が一定値以上となったことを条件に線路定数算出手段を起動する。定数算出手段は、少なくとも２つ以上の異なる時点で取り込んだ電気量とその零相分に基づいて送電線路の定数を算出する。線路定数算出手段１１３は、送電線をπ型等価回路または分布定数回路と考える。 （もっと読む）

【課題】被測定系のインパルス応答を計測する際に、送信側と受信側のサンプリングクロックが非同期であっても、簡単な装置あるいは信号処理によって精度の高いインパルス応答計測を可能にする。
【解決手段】インパルス応答測定方法は、第１のサンプリングクロック周波数を有する同期信号を用いて、被測定系に入力する任意波形の入力信号を生成する入力信号生成ステップと、第２のサンプリングクロック周波数を有する同期信号を用いて、前記被測定系から出力される被測定信号の離散値系への変換を行う信号変換ステップと、前記第１のサンプリングクロック周波数と前記第２のサンプリングクロック周波数との周波数比に応じて前記入力信号の周波数特性を示す関数の逆関数である逆フィルタの位相を少なくとも補正する逆フィルタ補正ステップと、を有する。そして、補正後の前記逆フィルタを用いて前記被測定系のインパルス応答を計測する。 （もっと読む）

【課題】パッシブロードプルおよびアクティブロードプルの両方を利用するハイブリッドシステムの使用を提案する。
【解決手段】
本発明は、当該技術分野において一般的に被験装置（すなわち、ＤＵＴ）と称される高周波装置の挙動を比較的高い電力レベルで分析する、またはその特性を評価するための測定システムおよび測定方法に関する。係る装置は、例えば、携帯電話ネットワーク、または他の電気通信に関連する基地局において用いられる増幅器等、高電力（大信号）高周波増幅器に使用するために当該装置を設計するかまたは当該装置を用いる回路を設計する際に分析する必要がある場合がある。高周波入力信号に対する電子装置の応答を測定する測定装置が、測定対象の電子装置に接続可能なアクティブロードプル回路を具備する。パッシブロードプル装置はアクティブロードプル回路に含まれる。 （もっと読む）

【課題】漏電を短時間に検出することが可能な漏電検出装置を提供する。
【解決手段】接地部に対して電気的に絶縁された高圧直流電源の漏電を検出する漏電検出装置において、測定回路３０は定電流交番回路３２と演算制御回路３１からなり、定電流交番回路３２の出力側にブリーダー抵抗を設け、定電流交番回路３２は所定のサンプリング周期で定電流Ioの注入、引き抜きを交互に行い、演算制御回路３１は、所定の関係式から絶縁抵抗値を算出する。ブリーダー抵抗の抵抗値Rmは、定電流値Ioとブリーダ抵抗値Rmの積が定電流交番回路３２の最大駆動電圧値以下になるように設定される。演算制御回路は次式で算出される抵抗値RC_xを絶縁抵抗値の測定値とする。
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【課題】検査中に発生した接触状態の悪化についての検出確度を向上させる。
【解決手段】第１検出部８は、測定処理前の接触検査処理において定電流Ｉｃ１を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１を上限として印加可能で、かつ測定処理後の接触検査処理において定電流Ｉｃ２を供給するために両プローブ３ａ，４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧の所定電圧値Ｖｃ２を上限として印加可能に構成され、第２検出部９は、測定処理前の接触検査処理において定電流Ｉｃ３を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３を上限として印加可能で、かつ測定処理後の接触検査処理において定電流Ｉｃ４を供給するために両プローブ３ｂ，４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧の所定電圧値Ｖｃ４を上限として印加可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 測定対象物が発熱して溶解するという不具合がなく、精度良く接触抵抗を測定する。
【解決手段】 コンデンサ２２に充電した電荷により放電回路２０に通電し、電圧検出用アナログ積分回路６１により測定対象抵抗Ａの両端電圧Ｖin１を時間積分し、電流検出用アナログ積分回路６２により標準抵抗２１の両端電圧Ｖin２を時間積分する。アナログ除算回路７０は、両端電圧Ｖin１の積分値を両端電圧Ｖin２の積分値で除算した値に相当する電圧Ｖdivをホールド回路８０に出力する。ホールド回路８０の出力電圧Ｖholdは、測定対象抵抗Ａの抵抗値Ｒｘと相関関係を有する電圧となるため、この電圧を測定して抵抗値Ｒｘを求める。 （もっと読む）

より高い周波数で被試験デバイス（「ＤＵＴ」）を分析する。位相シフターは、ＤＵＴに連結される伝送線上の定在波の位相を変化させる。定在波の大きさが、位相シフトのそれぞれにおいてサンプリングされ、ＤＵＴの１つ以上の特性が、サンプリングした大きさおよび位相シフトの関数として決定される。さらなる態様は、導波路の中に形成される複数の副共振スロットを有し、かつ信号に適用される位相シフトを制御するようにスロットを装荷するための能動素子を有する、導波路を備える、関連位相シフターを含む。
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