【課題】 湿度センサを用いることなく、測定雰囲気の湿度に応じたガス感度補正を容易に行うことのできる熱線型半導体式センサの感度補正方法、および、熱線型半導体式センサを具え、信頼性の高いガス検知を効率よく行うことのできるポータブル型ガス検知器を提供すること。
【解決手段】 測定雰囲気の湿度に応じた熱線型半導体式ガスセンサのガス感度の、基準湿度における当該熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度に対するガス感度比の、測定雰囲気の湿度と基準湿度との湿度差による変動量と、測定雰囲気において検知対象ガスが含まれないガスが導入されることにより取得されるゼロ出力値と基準湿度のゼロ校正用ガスによるゼロ校正値との差で示されるゼロ出力変動量とが比例関係にあることを利用して、熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度を補正する。ポータブル型ガス検知器は、上記ガス感度補正を行うガス感度補正機構を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【構成】
シリコン基板表面の絶縁膜にヒータを備えるガス検知部が設けられ、ガス検知部の周囲で絶縁膜の底部に空洞が設けられ、シリコン基板がハウジングに収容されている。ハウジングに有機溶媒の吸着剤と有機溶媒の酸化触媒とが、ハウジングの外側から内側へ吸着剤、酸化触媒の順に設けられ、被検出雰囲気を吸着剤と酸化触媒とを介してガス検知部へ導くようにされている。
【効果】 有機溶媒による被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極６は、基体１５の主面１７に形成されるチタン層６２と、チタン層６２の上面に形成されるプラチナ層６１とからなる２層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体１５の厚み方向に沿って見たときに、検出電極６は、プラチナ層６１の幅方向Ｔにおける両側の縁端６３よりも外向きにチタン層６２が突出してなる突出部６５を、少なくとも１カ所以上に有する。突出部６５がプラチナ層６１の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、支持体２、リード線５１，５２，５３、センサ素子６、及び有孔の防曝部材７を備える。前記支持体２は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間８が形成される。前記リード線５１，５２，５３は、前記導体配線に接続されて、前記支持体２から前記配置空間８へ突出する。前記センサ素子６は前記配置空間８内で前記リード線５１，５２，５３によって支持されると共に前記リード線５１，５２，５３に電気的に接続される。前記防曝部材７が前記配置空間８を覆っている。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】使用状況に応じてヒートクリーニング期間を調整することで使い勝手を向上させた呼気成分測定装置を提供する。
【解決手段】ガスセンサ２は、金属酸化物半導体からなる感ガス体２０及び感ガス体２０内に埋設されたヒータ兼用電極２１を具備し、呼気吹込口から吹き込まれた呼気が感ガス体２０に接触するように測定器本体内に収納される。マイコン７は、ヒータ兼用電極２１への通電を制御し、測定開始操作が行われると感ガス体２０の温度を高温にしてヒートクリーニングを行った後、感ガス体２０の温度を低温状態とし、この測定期間に呼気が吹き込まれると、感ガス体２０の抵抗値から呼気中の検知対象ガス成分のガス濃度を測定する。マイコン７は、ヒートクリーニングの開始時から所定時間が経過するまで感ガス体２０の抵抗値の二次微分値を求め、二次微分値が大きいほどヒートクリーニング時間が短くなるように、ヒートクリーニング時間を設定する。 （もっと読む）

【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 （もっと読む）

【課題】 通電により加熱された状態で検知対象ガスに感応するガス感応素子を有するガスセンサを具えてなるものにおいて、電源投入後、ガス濃度測定を行うことのできる状態を早期に得ることのできるガス検知器を提供すること。
【解決手段】 前記ガスセンサを具えたガス検知器において、ガスセンサの起動時にゼロガスが導入されている状態において、センサ出力値が対数関数的に経時的に変化する特定の時間範囲内で選ばれた２つの測定時の各々においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値に基づいて、前記特定の時間範囲内におけるいずれかの測定時を出力補正対象測定時として当該出力補正対象測定時におけるセンサ出力値を予測して、これを補正用出力値として取得し、この補正用出力値に基づいて、前記出力補正対象測定時においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値を補正する機能を有する出力補正機構を具えてなる。 （もっと読む）

【課題】 耐圧防爆構造を有し、操作性および作業性に優れたガス測定装置を提供すること。
【解決手段】 先端部にガス検知部を有する円筒型のプローブを具え、当該プローブの先端側部分が検知対象空間を区画する隔壁を介して挿入されて前記ガス検知部が当該検知対象空間内に位置されるよう当該隔壁に固定され、当該検知対象空間内における有機溶剤のガス、可燃性ガスまたは引火性ガスのガス濃度測定に用いられるガス測定装置において、プローブがその基端部に径方向外方に突出する板状のフランジ部を有しており、正面に表示部および操作部を有する耐圧防爆構造を有する端子箱が、その背面が前記フランジ部の基端側の面に対接された状態で、前記プローブに対して着脱可能に固定された構成とされる。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＯ_２を主成分とするガス検知層の被毒耐性を高め、感度を確保し、長期間の使用に対する耐久性を得ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。その結果、Ｆｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計の含有量を、ＳｎＯ_２とＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計量に対し、０．０３０質量％未満に抑えたガス検知層８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガス検出部がシロキサン化合物によりシロキサン被毒状態にあるか否かを判定し、所定濃度の検出対象ガスの存在の検出及び警報を正確に行うことを可能とし、シロキサン被毒によるセンサ故障を早期に認識するガス検出装置、これを備えた機器を提供する。
【解決手段】検出対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス検出部を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように又は高温作動状態のみに加熱部の作動を制御するとともに、高温作動状態にあるガス検出部の第１電気抵抗値に基づいて可燃性ガスを検出する制御部を備えたガス検出装置で、加熱されたガス検出部の温度が高温作動状態においてガス検出部の雰囲気中のシロキサン化合物がガス検出部を被毒することがある温度であり、制御部により検出された第１電気抵抗値の低下する低下状態が所定期間継続した場合に、ガス検出部の表面がシロキサン化合物による被毒状態であると判定する判定部を備えた。 （もっと読む）

【課題】吸着燃焼式のガスセンサを用いたガス分析装置で、センサ出力の検出値の微分波形から正確にガス種を判定する。
【解決手段】吸着燃焼式のガスセンサのマイクロヒータを一定昇温制御する。１回目の４０ミリ秒の間に、マイクロヒータを一定昇温制御しながら抵抗値を高速サンプリングする。最初に余分なガス成分、水分等を焼き飛ばす。その後の１０秒間マイクロヒータを１００℃に保ち、測定ガスを吸着させる。次に、マイクロヒータを一定昇温制御しながら抵抗値を高速サンプリングする。計測値を微分して微分波形を求める。微分波形をウェーブレット分解・合成し、ノイズを除去する。ノイズを除去した微分波形と基準ガスの微分波形との相互相関をとり、相関係数を求める。複数の基準ガスを選択しながら、相関係数を閾値と比較し、閾値以上の場合にその基準ガスのガス種を測定ガスのガス種とする。異なる吸着時間または吸着温度を設定して同様に相関係数によりガス種を判定する。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子への水の付着を低減することができるガスセンサを提供する。
【解決手段】筒型のハウジング２０内に形成されるガス検出室２５と、ハウジング２０の鉛直方向上部の開口を閉塞するベース部３０と、ベース部３０の鉛直方向下方に位置するように、ベース部３０に固定されるガス検出素子４０，４０と、ガス検出室２５に検査対象ガスを導入するガス導入口２４と、ベース部３０で結露した水を、ベース部３０から鉛直方向下方に導く結露水案内部材５０Ａと、を備えた。結露水案内部材５０Ａは、円筒体５１からなり、円筒体５１の鉛直方向下端がガス検出素子４０よりも下方に位置するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電池駆動が可能で、水素と区別してメタンを選択的に検出でき、経時安定性の高いガスセンサを提供する。
【構成】 シリコン基板に設けた空洞上へ突き出した 支持層上に、ヒータ層と電極層とを設けて、ガス検出用の金属酸化物半導体膜で被覆する。金属酸化物半導体膜は、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｔとを含み、膜厚が５〜４０μｍの第１層と、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｄとを含み、膜厚が１５〜６０μｍで、前記第１層を被覆する第２層とからなり、第１層と第２層との膜厚の合計が２０〜８０μｍである。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。
【解決手段】感知層７を、第１層としてドナーとなる＋５価または＋６価の元素を添加したＳｎＯ２層９、その上の第２層として触媒となる元素を添加したＳｎＯ２層１０の、２層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第２層１０における触媒添加量を１０ｗｔ％を超え６０ｗｔ％以下とすることにより、水素ガス選択性，メタンガス選択性ともに向上させる。 （もっと読む）

【課題】吸着燃焼式のガスセンサを用いたガス分析装置で、センサ出力の検出値の微分波形のノイズを除去し、ピーク値の正確な位置特定、精度高い波形分析を行えるようにする。
【解決手段】吸着燃焼式のガスセンサのマイクロヒータを一定昇温制御する。１回目の４０ミリ秒の間に、マイクロヒータを一定昇温制御しながらマイクロヒータの抵抗値を高速サンプリングする。１回目の４０ミリ秒でガスセンサの余分なガス成分、水分等を焼き飛ばす。その後の１０秒間マイクロヒータを１００℃に保ち、計測ガスを吸着させる。２回目の４０ミリ秒の間に、マイクロヒータを一定昇温制御しながらマイクロヒータの抵抗値を高速サンプリングする。計測値を微分して微分波形を求める。微分波形をウェーブレット分解・合成し、ノイズを除去する。ノイズを除去した微分波形からピーク値を求め、ガス種を判定する。ピーク値の抵抗値からガス濃度を判定する。 （もっと読む）

【課題】燃焼部の燃焼開始初期の燃料漏れをも的確に検知することができながら、燃料漏れと不完全燃焼とを的確に検知し得る燃焼装置のガス検出装置を提供する。
【解決手段】高温作動状態で可燃性ガスを検出し且つ低温作動状態で不完全燃焼ガスを検出する通常検出モードを実行する制御手段１６が設けられ、制御手段１６が、燃焼部の燃焼開始操作を受け付けた後、初期検出用設定時間の間、その初期検出用設定時間以下に設定された比較用設定時間の間における高温作動状態で可燃性ガスを検出する回数を通常検出モードよりも多くする形態で、ガス検知体１の電気的特性に基づいて高温作動状態で可燃性ガスを検出し且つ低温作動状態で不完全燃焼ガスを検出すべく、ガス検知体１を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように加熱手段２の作動を制御する初期検出モードを通常検出モードに先立って実行するように構成されている。 （もっと読む）