【課題】ＰＶＴ変動によってスキューが発生しても、不良に関する情報を適切に格納できるようにした半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】書き込み動作のために書き込みコマンドおよびデータを印加し、読み出し動作のために読み出しコマンドを印加し、前記読み出し動作によって出力データが入力されるテスト回路と、前記書き込みコマンドに応答して前記データをメモリセルに格納し、前記読み出しコマンドに応答して不良に関する情報を含む情報データを内部的に格納するが、前記情報データの格納は、前記情報データのレベルが遷移する場合に発生するパルスに同期して行われる。 （もっと読む）

【課題】 論理ゲートの一方の入力を含む信号パスの遅延故障と、論理ゲートの他方の入力を含む信号パスの遅延故障とを、１つの制御点により検出する。
【解決手段】 第１および第２ユーザロジックと、第１ユーザロジックの出力に接続される第１入力を有する第１論理ゲートと、第１論理ゲートの出力に接続された第３ユーザロジックと、第２ユーザロジックと第１論理ゲートとの間に挿入された制御点とを有する。制御点は、第１または第３ユーザロジックの第１スキャンフリップの１つのデータ出力がデータ入力に接続された第２スキャンフリップフロップと、一対の入力が第２スキャンフリップフロップのデータ出力および第２ユーザロジックの出力にそれぞれ接続され、出力が第１論理ゲートの第２入力に接続された第２論理ゲートとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路のクロックに一定周波数のクロックのみを供給しつつ半導体集積回路の内部クロックを動的に変化させて半導体集積回路のランダム・ロジックを検査する。
【解決手段】複数の組み合わせ回路と当該複数の組み合わせ回路のスキャンテストを行うためのスキャンチェーンを構成する複数のスキャンフリップフロップとを有する半導体集積回路、の検査方法を、クロック生成装置から前記半導体集積回路に一定周波数の第１クロックを入力する入力工程と、前記半導体集積回路の内蔵する分周器が前記第１クロックを分周して第２クロックを生成する分周工程と、前記複数のスキャンフリップフロップに入力するクロックを、前記第１クロックと前記第２クロックとの間で動的に切り替えつつ前記半導体集積回路を検査する検査工程と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の被試験デバイスに対して電源供給部から電源の供給を行って試験を行うときに、同時スイッチングノイズの影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体試験装置１は、複数のＤＵＴ３に電源を供給するデバイスパワーサプライ５を備える半導体試験装置１であって、ＤＵＴ３の試験を行うピンエレクトロニクスカード２のドライバ１２およびコンパレータ１３とＤＵＴ３との間の伝送経路１５の伝播遅延Ｔｐｄを校正するデータをタイミング校正データとして記憶するタイミング校正データ記憶部２１と、ＤＵＴ３を複数のグループに分割して、当該グループごとに異なる遅延量をタイミング校正データに加算する遅延量加算部２５と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 従来の技術においては、ROM3個分のテスト時間を2個分のテスト時間までしか短縮できないという問題、或いは、加算或いは減算をおこなうため、データビット数の変動の虞があると共に、信頼性が低下する虞があった。
【解決手段】 複数個のROMに書き込まれたデータをテストする場合のROMテスト時間の短縮方法に於いて、複数個のROMの二つずつのROMの出力データのビット毎の比較を行う比較手段を備え、該比較手段の出力を複数個のROMに対応してそれぞれ記憶させ、該複数の記憶手段の出力データに対して、演算の順序が異なる少なくとも二つの異なる内容の演算を行い、該演算結果を期待値と比較することでROMデータを検査する。 （もっと読む）

【課題】クロックゲーティング回路を搭載した半導体集積回路の回路規模の増大を抑制しながら、テスト時の消費電力を低減する。
【解決手段】本発明による半導体集積回路は、第１フリップフロップ回路５、第２フリップフロップ回路７、制御回路３、及びクロックゲーティング回路２を具備する。第１フリップフロップ５は、スキャンシフトによって第１データを格納する。第２フリップフロップ７は、スキャンシフトによって第２データを格納する。第３制御回路３は、第１データとスキャンイネーブル信号ＳＭＣとの論理演算結果と、第２データと組合せ回路９からの第１イネーブル信号ＥＮ１との論理演算結果との論理演算結果をゲート制御信号Ｃ１として出力する。クロックゲーティング回路２は、ゲート制御信号Ｃ１に応じて次段のフリップフロップ回路１へのクロック信号ＣＬＫの伝播を制御する。 （もっと読む）

【課題】評価環境を簡易化し、評価の効率化を図ることができる評価基板を得る。
【解決手段】評価基板１はパワーモジュール２を評価するために用いられる。パワーモジュール２は、パワー半導体装置３と、パワー半導体装置３の特性を検出する温度検出部４及び電圧検出部５とを有する。評価基板１の１枚の基板７に、電源回路８、フォトカプラ駆動回路９、及び表示部１０が設けられている。電源回路８はパワーモジュール２に電力を供給する。フォトカプラ駆動回路９はパワー半導体装置３を駆動する。表示部１０は温度検出部４及び電圧検出部５から入力した検出信号を表示する。 （もっと読む）

【課題】集積回路上の冗長メモリの試験に際し、冗長メモリにおける不良発生位置を取得する。
【解決手段】スペアのメモリセルをもつ冗長メモリ３０と、冗長メモリ３０に与えるテストパターンと当該テストパターンを冗長メモリ３０に与えた際に冗長メモリ３０から出力されるべきデータの期待値とを生成する生成部４１と、生成部４１によって生成された期待値と、第１生成部４１によって生成されたテストパターンを冗長メモリ３０に与えた際に冗長メモリ３０から出力されるデータとを比較する比較部４２と、比較部４２の比較結果を記憶する記憶部１０と、比較部４２の比較結果が不一致である場合、当該比較結果を、当該比較結果を得た冗長メモリ３０の位置情報に対応付けて記憶部１０に書き込む一方、比較部４２の比較結果が一致である場合、当該比較結果の記憶部１０への書込を抑止する書込制御部５０Ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】アナログ／デジタル変換器のより詳細な故障診断のための技術を提供する。
【解決手段】アナログ／デジタル変換回路（１００〜１０８）は、入力されたアナログ信号（ｘ、１５）を所要の演算式（ｆ（ｘ））にしたがって診断用に演算する演算部（１２）と、前記入力されたアナログ信号（ｘ）又は前記演算部によって演算されたアナログ信号（ｙ）のいずれかを選択する第１選択部（１１）と、前記第１選択部によって選択されたアナログ信号をデジタル信号に変換する変換部（１０、２１、２２、２３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】テスト時間の増大を抑制し、スキャンチェーンの故障診断を容易化し故障箇所推定用の故障診断時間の短縮を図る。
【解決手段】スキャンチェーン上の故障の範囲を絞り込むシステムは、バイパステストモードでのテストパタンと、圧縮テストモードでのテストパタンの両方で故障候補スキャンＦＦを絞り込む手段２４と、圧縮テストモードとバイパステストモードでのスキャンチェーン構造の差異から圧縮テストモードにおける故障スキャンチェーンを特定して記憶部に記憶する手段２３と、バイパステストモードの故障候補の範囲を圧縮テストモードのスキャンＦＦの範囲に変換する手段２７と、圧縮テストモードのテストパタンを用いて故障候補を含むスキャンチェーンの故障シミュレーションを実行し、圧縮テストモードのテスト結果と照合し、照合結果を出力装置に出力する手段２５を備える。 （もっと読む）

【課題】アンチヒューズ型のＯＴＰメモリへの書き込み時間を短縮化すること。
【解決手段】書込回路は、ＯＴＰマクロに対して書き込むデータを記憶する記憶部と、前記書き込むデータの書き込みを前記ＯＴＰマクロに実行させる第一の信号を印加し、前記ＯＴＰマクロが記憶しているデータの読み出しを前記ＯＴＰマクロに実行させる第二の信号を印加する制御部と、前記第二の信号に応じて前記ＯＴＰマクロから読み出されたデータと、前記記憶部が記憶するデータとを比較し、比較結果を出力する比較部とを有し、前記制御部は、前記比較結果が一致を示す場合、前記書き込むデータに関する処理を終了し、前記比較結果が不一致を示す場合、前記第一の信号及び前記第二の信号の印加を再度行う。 （もっと読む）

【課題】並列処理に起因するテストパターンの増加を抑止する。
【解決手段】第２の演算処理装置２０は、複数の第１の演算処理装置１０が要求値の設定対象となる同じ回路素子に対してそれぞれ異なる要求値を設定するコンフリクトが発生するか否かを要求値バッファ２２ａに格納された要求値に基づいて判定する。そして、第１の演算処理装置１０が要求値の設定対象となる入力点に設定しようとする要求値が、他の第１の演算処理装置１０が当該入力点に設定する要求値と異なるコンフリクトが発生すると、第２の演算処理装置２０が判定した場合、当該第１の演算処理装置１０は当該要求値の設定を抑止する。 （もっと読む）

【課題】
集積回路内のＪＴＡＧタップドメインにアクセスするのに最適化されたＪＴＡＧインターフェイスが使用される。限定はしないが、シリアル通信関連集積回路テスト、エミュレーション、デバッグ、および／またはトレース操作等の多様なシリアル通信操作に対してインターフェイスを使用することができる。
【解決手段】
ＴＤＩ入力端子、ＴＣＫ入力端子、ＴＭＳ入力端子、およびＴＤＯ出力端子を有し、ＴＤＯ出力端子は集積回路の外部アクセス可能なデータ入出力ピンに接続されているＩＥＥＥ １１４９．１タップドメインと、集積回路の外部アクセス可能なデータ入出力ピンに接続されたシリアル入力端子、ＴＤＩ入力端子に接続された第１のパラレル出力端子、およびＴＭＳ入力端子に接続された第２のパラレル出力端子を有するシリアル入力パラレル出力回路とを含む、集積回路。 （もっと読む）

【課題】不良電流パスの選別に要する時間を短縮する。
【解決手段】半導体装置は、それぞれ少なくとも１つの貫通電極を含み、インターフェイスチップ内に第１のノードｎ１を有する複数の電流パス１０１_Ｘと、互いに異なる複数の電圧値からなる比較電圧ＤＡＣＯＵＴを生成する比較電圧生成部１０２と、複数の電流パス１０１_Ｘそれぞれの第１のノードｎ１の電圧ＴＳＶＣ_Ｘと、比較電圧ＤＡＣＯＵＴの上記複数の電圧値それぞれとを比較し、比較の結果を示す比較結果信号ＣＭＰ_Ｘを電流パス１０１_Ｘごとに出力する比較部１０３と、比較結果信号ＣＭＰ_Ｘに応じて、複数の電流パス１０１_Ｘのそれぞれが高抵抗化しているか否かを示す結果信号ＲＥＳＬＴ_Ｘを生成する結果信号生成部１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、制御部をテスト可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】
本実施形態のメモリシステムは、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと前記入出力部との間、および前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと前記入力バッファ部との間に設けられた複数のデータバスと、入力される選択信号に基づいて、所望の前記データバスを選択するスイッチと、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、前記入出力部、及び前記スイッチを制御して、前記入力バッファ部から前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにデータを書き込むとき、選択された前記データバスを介して、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと前記入力バッファ部との間を接続し、残りのデータバスを介して、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと前記入力バッファ部との間を接続しない前記選択信号を前記スイッチに出力する制御部とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子機器におけるパケットエラー率を試験する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】試験器１０４からＤＵＴ１０２に一連のデータパケット２０１を送信し、事前定義される受信エラーフリーデータパケットの数を設定し、一連のデータパケット２０１からＤＵＴ１０２でエラーなしに受信されたデータパケット２０１の数が事前定義される受信エラーフリーデータパケットの数と等しいか評価し、一連のデータパケット２０１からＤＵＴ１０２でエラーなしに受信されたデータパケット２０１の数が事前定義される受信エラーフリーデータパケットの数と等しくないとき正常動作のＤＵＴ１０２でゼロの受信パケットエラーを生成することが既知の電力レベルで試験器１０４からＤＵＴ１０２に追加データパケットを送信して、電子機器におけるパケットエラー率を試験する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置に関し、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御する。
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。 （もっと読む）