光導波路（２０）の両側に位置決めされ、導波路（２０）の伝搬パターンを変更するように働く回折格子（３４、３６）を備えるＰＩＮ電気光学進行波変調器（１０）。変調器（１０）は、Ｎ型層（１４）、Ｐ型層（１８）、及び導波路（２０）として作用する真性層（１６）を備える。金属電極（２６）がＮ型層（１４）に電気的に接触し、金属電極（３０）がＰ型層（１８）に電気的に接触する。電極（２６、３０）は、ＲＦ伝送線路を画定する。光波（２２）が導波路（２０）に沿って伝搬し、格子（３４、３６）と相互作用し、格子（３４、３６）は、光波（２２）の速度を伝送線路のＲＦ波の速度に合わせるように光波（２２）を遅延させる。一実施形態では、格子（３４、３６）は、導波路（２０）内の垂直孔（３８）によって形成される２次元格子である。
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本発明は、可視光に対する有効屈折率の偏光非依存性を与えるように十分に小さいピッチを有するカイラル液晶混合物の層を有する光に対する偏光非依存性位相変調器を提供する。その液晶混合物は、へリックス配向基底状態と液晶混合物層における電界の印加によりもたらされるチルト状態との間で制御可能である。液晶混合物は、好適には、電界を除去したときにへリックス基底状態が回復することを確実にする網目構造材料に分散されている。
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本発明は、利得媒体、同調可能要素およびチャネル割当グリッド要素を含んだ単一モード外部空洞同調可能レーザに関する。チャネル割当グリッド要素は、好ましくは、ＦＰエタロンであり、このＦＰエタロンは、ＩＴＵチャネルグリッド、例えば２００、１００、５０または２５ＧＨｚに対応する複数の等間隔の透過ピークを確定するように構造化され、かつ構成されている。好ましくは同調可能ミラーである同調可能要素は、グリッドエタロンのピークを区別する粗同調要素として役立つ。本発明の同調可能レーザは、１５ｍｍ以下、好ましくは１２ｍｍ以下の比較的短い空洞長を有する。ＦＰエタロンは外部空洞に位相非直線性を導入し、この位相非直線性は、エタロン透過ピークに対応して、空洞モードの圧縮、すなわち空洞モード間隔の減少を引き起こすことが見出された。モード圧縮は、以下で（ＦＷＨＭ）_ＦＰと呼ばれる、グリッドＦＰエタロンのＦＷＨＭ帯域幅の減少と共に、増加する。（ＦＷＨＭ）_ＦＰは、約２ＧＨｚから約８ＧＨｚまでの範囲に含まれるべきである。好ましくは、（ＦＷＨＭ）_ＦＰは、ほぼ３から６ＧＨｚの間に含まれる。
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フォトニック相互接続システム(300)は、光信号を用いてデバイス間でデータを通信することにより、高いキャパシタンスの電気相互接続を避ける。そのシステムは、論理アドレスを周波数帯域にマッピングすることにより、超並列情報出力を与えることができ、結果として、選択された周波数帯域の変調により、論理アドレスに対応する特定の場所のための情報を符号化することができる。フォトニック相互接続システムのための波長特有の方向性結合器(600)、変調器(660)及び検出器(650)は、フォトニックバンドギャップ結晶内の欠陥において効率的に製作され得る。 （もっと読む）

電気光学構造体は、水性エマルション又は溶剤型のセンサ材料、好ましくは溶剤型のポリマー分散液晶（ＰＤＬＣ）を、制御された溶剤蒸発の条件下で基板上にスピンコーティングすることによって構成される。特定のプロセスにおいて、ＰＤＬＣコーティングの均一性は、（１）半密閉チャンバ内でのスピンコーティング、（２）取付具を用いることによる矩形基板の円形基板への「変換」、（３）基板とスピンコーター上部カバーとの間の制御可能な間隔の形成、（４）制御可能な蒸発速度によって達成される。 （もっと読む）

光制御装置８の画素１０には、現フレームの輝度値を記憶する第一の記憶素子１８と、次のフレームの輝度値を記憶する第二の記憶素子１６と、第二の記憶素子１６に記憶された輝度値を第一の記憶素子１８に転送して画素１０の輝度値を変更するスイッチ素子である第一のトランジスタ１４と、がそれぞれ設けられる。制御部６０は、複数の画素１０が第一の記憶素子１８に保持された輝度値に応じて発光している間に、各画素１０の第二のトランジスタ１２を順次オンとして第二の記憶素子１６に次のフレームの輝度値の書き込みを行う。 （もっと読む）

実数の屈折率および／または虚数の屈折率をそれぞれ有する複数の層を有する光学干渉フィルターが提供される。前記実数の屈折率および前記虚数の屈折率の値は、外部電界の強度に依存する。各層の材料の屈折率および厚みならびにそれらの組み合わせは、入射光の少なくとも一つの偏光状態に対するスペクトルの少なくとも一領域において干渉の極値がもたらされるよう、選ばれている。少なくとも一つの層は、電気光学材料からなり、それは、異方性でありかつ少なくとも一つの芳香族有機材料から作られている。前記芳香族有機材料の分子または前記分子のフラグメントは、平板状構造を有する。前記電気光学材料の層の少なくとも一部は、光軸に沿った分子間間隔が３．４±０．３Åである結晶構造を有する。 （もっと読む）

基板３２と、基板３２の上部に形成された光変調膜４６とを含む構造体であって、光変調膜４６は、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含む多結晶ＰＬＺＴからなり、膜中のＬａの含有率が５原子％以上３０原子％以下であり、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率が１２００以上であることを特徴とする構造体。 （もっと読む）

光制御装置８は、基板３２と、絶縁膜３８と、第一のトランジスタ１４と、絶縁膜３８上に設けられた反射膜４４と、反射膜４４上に設けられた光変調膜４６と、光変調膜４６に配して二次元に配置された複数の電極対４８および４９と、第一の電極４８の上に設けられた偏光板５２とを有する。ここで、光変調膜４６は、印加された電界の大きさにより屈折率が変化する材料により構成される。このような材料として、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含むＰＬＺＴを用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、光信号をフィルター処理する方法および装置を提供する。本方法は、少なくとも一つの入力光信号を受信し、その少なくとも一つの入力光信号を使用して第一および第二光信号を形成し、複数の非導波電気−光位相調節装置を使用して該第一光信号の少なくとも一部を修正することを含む。本方法は、信号の少なくとも一つが修正された第一光信号を、第二光信号と組み合わせることにより、出力光信号を形成することも含む。
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本発明は、デバイス層の少なくとも一部に形成された第一光伝送媒体、デバイス層の少なくとも一部に形成された第二光伝送媒体、およびデバイス層の少なくとも一部に形成されたスロットを包含し、該スロットが少なくとも一つの湾曲した縁部を有し、該スロットが該第一および第二伝送媒体に隣接して配置される、導波管配置用の電気−光ギャップ−セルを提供する。
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エルビウムファイバ（或いはエルビウム−イットリビウム）ベースチャープパルス増幅システムが説明される。通信の窓で動作するファイバ増幅器の使用は、優れた機械的安定性をもつ通信要素と通信コンパチ式手順の実施を可能にする。
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１Ｇｂ／秒を超えるスイッチング速度を達成する電気光学変調器配置は、プリエンファシス・パルスを利用して、電気光学変調器を形成するのに用いられる光導波路の屈折率の変化を加速させる。一実施形態では、変調された光出力信号の一部を用いてプリエンファシス・パルスの大きさおよび持続時間のほか変調に使用される種々の基準レベルを調整するために、フィードバック・ループが加えられ得る。シリコンベース電気光学変調器を含む自由キャリヤベースの電気光学変調器では、プリエンファシス・パルスを用いて入力信号データ値間の遷移において自由キャリヤの移動が加速される。

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【課題】消費電力を一定にでき、温度変動を防止して、安定した特性を有する光スイッチ及び光波長ルータを提供する。
【解決手段】石英系光導波路１により構成された光スイッチであり、その構成として、入力分岐部２Ａは、１本の入力導波路５から入力された光波を４本の出力導波路の全てに等強度に分岐するものであり、出力合分岐部３Ａは、４本の入力導波路のうち任意の１本に入力された光波を４本の出力導波路２９〜３２の全てに等強度に分岐するものであり、入力分岐部２Ａと出力合分岐部３Ａに挟まれた位相シフタ部４Ａは、入力分岐部２Ａの４本の出力導波路と出力合分岐部３Ａの４本の入力導波路を１対１に接続する位相シフタ導波路１１〜１４のそれぞれに位相変調を行う薄膜ヒータ１５〜１８を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】接続部分における電気反射を抑制することにより、伝搬する電気信号波形の劣化を抑制できる高周波電気伝送線路の接続構造を提供すること。
【解決手段】同一基板上に構成され、前記基板上のベンゾシクロブテン膜３上に形成されたマイクロストリップ１を信号線とする第１の高周波電気伝送線路と、前記基板上のインジウムリン系誘電体膜４上に形成され、マイクロストリップ１の線幅よりも狭い線幅を有する進行波型電極２を信号線とする第２の高周波電気伝送線路とを電気的に接続する高周波電気伝送線路の接続構造において、マイクロストリップ１を進行波型電極２に電気的に接続する接続線の線幅がインジウムリン系誘電体膜４上で変化していることを特徴とする高周波電気伝送線路の接続構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】 さまざまなサイズの光電変換半導体素子をコプレナ基板に実装することのできる光電変換半導体装置を提供する。
【解決手段】 本光電変換半導体装置は、光電変換半導体素子１、コプレナ基板２、インピーダンス整合用の終端抵抗３を備えている。コプレナ基板２には、シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとが形成されている。シグナルライン４は、相対的に大きい幅４４ａと小さい幅４４ｂをそれぞれ有して延びる部分を備えている。シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとのギャップも、相対的に大きいギャップ１０ａと小さいギャップ１０ｂの部分がある。 （もっと読む）