【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】より小型の光操作装置を提供すること。
【解決手段】外部から光が入力される、または外部に光を出力する光入出力ポートと、光入出力ポートから入射した光を光入出力ポートに向けて出射する、偏波依存特性を有する空間光変調器と、光入出力ポートと空間光変調器との間に配置され、光入出力ポートと空間光変調器と光学的に結合させる集光素子と、集光素子と空間光変調器との間に配置され、入力された光の偏波状態を、単一の偏波方向のみからなるように操作して出力する偏波操作素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特に初期条件の厳密な制御が不要となることからデバイスの作製が容易になり、また持続的なパルス発振を実現する。
【解決手段】連続して供給される入力光に応じて励起子が励起されるエネルギー準位２１を有する量子ドットＡと、第１のエネルギー準位２１と共鳴するエネルギー準位２２を有するとともに当該エネルギー準位２２から下位準位であるエネルギー準位２３へ励起子が遷移することによるエネルギー放出量に応じた出力となる出力光を生成する量子ドットＢとを有するエネルギー供給用量子ドットグループ２と、量子ドットＡにおけるエネルギー準位２１からの励起子の一部が遅延系４を介して供給され、これに基づいて制御光を出力する遅延システム用量子ドットグループ３とを備え、量子ドットＢは、制御光に応じてエネルギー準位２３における励起子の励起状態を変化させて、これに基づいて、パルス波形からなる上記出力光を生成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学部品の外部リードと回路基板との電気的接続部に発生する応力を抑制する光トランシーバを提供することを目的とする。
【解決手段】光トランシーバは、電気的な接続のための外部リード１２を有する電気光学部品１０と、外部リード１２がはんだ付けされた回路基板２２と、電気光学部品１０と回路基板２２を接着する接着部２６と、電気光学部品１０と回路基板２２を接着部２６よりも強固に固定する固定部２８と、を有し、固定部２８は、接着部２６よりも外部リード１２のはんだ付けされる部分から離れて設けられ、接着部２６の少なくとも一部は、固定部２８よりも外部リード１２のはんだ付けされる部分に近い位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の劣化を防ぎ、消費電力を低減し、光変調素子の故障を防ぐことができる光変調装置を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮに変調信号が入力される。光変調素子１０のアノードは入力端子ＩＮに接続され、光変調素子１０のカソードは接地されている。光変調素子１０に並列に整合抵抗Ｒ１及び整合コンデンサＣ１が接続されている。整合コンデンサＣ１は整合抵抗Ｒ１に直列に接続されている。保護抵抗Ｒ２が、光変調素子１０、整合抵抗Ｒ１、及び整合コンデンサＣ１に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音の少ない高周波発振器を得る。
【解決手段】 光源と、光変調手段と、第１の光伝送手段と、光電変換器と、電気信号を発生する信号発生手段と、この電気信号を分岐する第１の分岐手段と、分岐した電気信号の一方と光電変換器からの電気信号をミキシングする第１のミキサと、前記第１のミキサにより生成された差周波数を有する電気信号を通過させるバンドパスフィルタと、前記バンドパスフィルタを通過した電気信号と前記第１の分岐手段で分岐した電気信号の他方をミキシングし、前記光変調手段で光を変調する電気信号を生成する第２のミキサと、前記第１の電気信号または前記第２の電気信号の一部を分岐し出力信号として出力する第２の分岐手段と、前記第３の電気信号の一方、前記第３の電気信号の他方、および、前記第４の電気信号のいずれかの通過時間を調整する通過時間調整手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノ物質間における光エネルギーの伝達を制御するための技術を提供する。
【解決手段】制御装置２００は、光源２０１と、基板固定部２０２と、検出部２０３と、振動外場発生部２０４と、制御部２０５とを備える。光源２０１は、ナノ構造体２０に含まれるナノ物質（セグメント）に光誘起分極を生じさせる光を発生させる。ナノ構造体は、基板４に固着した第１のナノ物質（セグメント１に相当）と、第２のナノ物質（セグメント２に相当）と、第１および第２のナノ物質を接合する接合ナノ物質とを備える。振動外場発生部２０４は、接合ナノ物質の特定の振動状態を励振するための振動外場を生じさせる。制御部２０５は、検出部２０３による検出結果に基づいて、振動外場発生部２０４によって発生される振動外場の強度（たとえばテラヘルツ波の強度）、あるいは、光源２０１のパワーを制御する。 （もっと読む）

【課題】変調部の材料として半導体が用いられた場合でも変調部から出力される光信号のパワーの低下を抑制すること。
【解決手段】光変調装置は、入力信号を用いて入力光を変調する変調部を備える。また、光変調装置は、変調部により入力光が変調されて得られた信号光の位相を入力電流に応じて補償する補償部を備える。また、光変調装置は、補償部により補償された信号光と変調部へ入力される入力信号との位相差を検出する検出部を備える。また、光変調装置は、検出部により検出された位相差に基づいて補償部へ入力される入力電流を調整する調整部を備える。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調信号の品質の劣化を抑制するように光変調器を駆動する。
【解決手段】光送信器は、光源が発する光をデータに応じて変調することで光変調信号を出力する光変調器と、データを光変調器に対して出力する駆動部と、光変調信号及びデータの少なくとも一方の信号強度を検出する検出部と、検出部における検出結果に基づいて、データの信号パラメータを調整する調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】歪みの低減された光パルスを発生可能とする。
【解決手段】光を２つに分岐して分岐光のそれぞれを変調した後再び合波して出力する光変調器と、前記分岐光のそれぞれを変調するための各変調信号を生成する変調信号生成部と、を備え、前記各変調信号の一方の振幅と他方の振幅との差ΔＡを０．２π≦ΔＡ＜０．５πとすることにより光周波数コムを発生させる。 （もっと読む）

【課題】 高出力のパルスレーザ光を生成することが可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】 レーザ装置１ではチャネル増幅器１４において、レーザ装置１Ａではスラブ型固体レーザ装置４４において、連続光であるレーザ光Ｌ_１のそれぞれを増幅する。このため、パルスレーザ光を増幅する場合に比べて、増幅率を高く設定できる。そのように増幅されたレーザ光Ｌ_２のそれぞれを回折格子１６の集光位置Ｐ_１で合波して合波光Ｌ_３を生成する際に、集光位置Ｐ_１において合波光Ｌ_３の出力のピークが（同じパルス時間波形が）所定の時間間隔で繰り返し現れるように、レーザ光Ｌ_１のそれぞれの位相を制御する。これにより、回折格子１６の集光位置Ｐ_１において、増幅された複数のレーザ光Ｌ_２によりパルスレーザ光が生成される。よって、このレーザ装置１によれば、高出力のパルスレーザ光を生成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高速駆動が可能であり、駆動電圧のより一層の低減が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、薄板１に形成された光導波路５２、５３と、光導波路５２、５３を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、光制御部の少なくとも一部には、光導波路５２、５３に電界を印加するための制御電極が、第１電極と第２電極とから構成される。第１電極は信号電極３３、３４と接地電極６１、６２とを有すると共に、第２電極は少なくとも接地電極６３を有し、第１電極の信号電極３３、３４と協働して光導波路５２、５３に電界を印加するように構成される。複数の光制御部の間は、コプレーナ型線路、コプレーナ型線路と裏面に配置された接地電極、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成される制御信号配線で接続し、光と電気信号の到達時間がほぼ同じになるように設定する。 （もっと読む）

【課題】
光導波路が集積された場合でも不要光を効率良く基板外又は光導波路全体の外側に導出することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
基板１に光導波路２が形成され、該光導波路は、信号光を伝播する主導波路（２１〜２３）と、該主導波路から不要光を除去する不要光用導波路（３１〜３３）とから構成される光導波路素子において、該不要光用導波路と該主導波路とが交差する交差部では、該不要光用導波路（３２，３３）は、該主導波路を挟んで分断されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
素子自体のサイズを増加させることなく、電極間のクロストークを抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路（２１〜２３）と、該光導波路を伝播する光波を変調する変調電極とを有する光制御素子において、該変調電極は、少なくとも二つの信号電極（３１，３２）と該信号電極を挟むように配置された接地電極（４１〜４３）から構成され、二つの該信号電極の間に配置された該接地電極と、それ以外の該接地電極とを電気的に接続すると共に、該信号電極の一部を跨ぐように配置された電気的接続手段（５１，５２）を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導波路素子の状態だけでなく、光導波路素子を製造するプロセスにおいても、補強基板による焦電効果で光導波路素子が損傷することを抑制し、光導波路素子の電気的な特性劣化を抑え、さらに、生産に係る歩留まりを改善することを可能とする光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が電気光学効果を有する補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該補強基板の該接着剤層側の面には、半導体層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発振スペクトル線幅の狭小化と、高速な波長掃引と、を同時に達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と、光導波路と、光の強度を変調する光変調器と、を含んで構成される光共振器を備えた光源装置であって、前記光共振器は、該光共振器を周回する光に対する増幅率が複数の周波数域において、それぞれ極大値と極小値をとるように構成され、前記光の周波数をν、前記光共振器の屈折率をｎ（ν）、前記光共振器の長さをｌ、光速をｃ、自然数をａとして、前記光変調器を変調する周波数ｆｍは、ｆｍ ＝ ａ×ｃ ／（ｎ（ν）×ｌ）を満足し、前記周波数ｆｍに対応して発振周波数が変化すると共に、該発振周波数は前記複数の周波数域における前記極大値をとる周波数に対応して定まり、前記極大値の帯域幅が２×ｆｍよりも大きいことを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】導電膜が形成された基板に光硬化型接着剤を用いて受光素子を固定することが可能な光導波路素子および光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路素子１は、電気光学効果を有する基板１０と、基板１０の表面に形成された光導波路１０１〜１０４と、基板１０の表面に形成され光導波路１０１〜１０４を伝搬する光波を制御する電極１０５〜１０７と、光硬化型接着剤により基板１０に固定され光導波路１０１〜１０４を伝搬する光波の一部をモニタする受光素子２０と、基板１０の光導波路１０１〜１０４が形成された面の対向面および他の面に形成された導電膜１１０，１２０と、を備え、前記対向面の一部に導電膜１２０を形成しない導電膜非形成部１３０を設け、前記対向面の側から基板１０を介して前記光硬化型接着剤に光を照射可能とした。 （もっと読む）

【課題】変調帯域を十分に拡大することができる光変調器を得る。
【解決手段】半導体チップ１０内に導波路１２が設けられている。進行波型電極１４の入力部１４ａに、第１のワイヤ１８を介して給電ライン２０が接続されている。進行波型電極１４の出力部１４ｂに、第２のワイヤ２２及び終端ライン２４を介して終端抵抗２６が接続されている。出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 （もっと読む）