【課題】急峻なプロファイルを持つレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板１１上に設けられた、露光光を一部透過させる半透光膜を各々パターン加工することにより、透光部及び半透光部を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光部は、前記透明基板に対して相対的に低い位相シフト量を持つ第１半透光膜１２と、前記第１半透光膜１２に対して相対的に高い位相シフト量を持つ第２半透光膜１３と、から構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細パターンが形成されたマスク製造方法が提供される。
【解決手段】マスクにスリットパターンを形成するための初期リブを形成する段階と、前記初期リブの上面の両側端部を除去して、前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットパターンを定義する最終リブを形成する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空紫外光を用いて高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法およびそれに用いられるレジストマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光を透過する透過部と、上記透過部上に形成され、上記透過部よりも真空紫外光の透過率が低いレジストパターンとを有し、上記透過部は、上記透過部の大きさが上記レジストパターンの大きさ以上となるように形成されていることを特徴とするレジストマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できるマスクを提供する。
【解決手段】マスクは、第１、第２投影光学系の物体面側で第１方向に移動されながら露光光が照射され、その少なくとも一部の像が基板に投影される。第１、第２投影光学系は、第２方向に関して異なる位置に配置され、それぞれ投影領域を形成する。投影領域は、第１、第２方向に第１、第２寸法を有する第１領域と、第２方向に関して第１領域の隣に位置し、第１、第２方向に第３、第４寸法を有する第２領域と、を含む。第３寸法は第１寸法よりも小さい。マスクは、第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、第２方向に関する第１部分の第５寸法は、第２寸法以下であり、第１部分からの露光光が第１領域に入射し、第２領域に入射しない。 （もっと読む）

【課題】近接露光を行う際にパターンの転写精度を向上させる。
【解決手段】主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすためのフォトマスク用基板であって、主表面上のパターン領域の高さ変動の最大値ΔＺｍａｘが、８．５（μｍ）以下である。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイの製造に利用されるブランクマスク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】 透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。これにより、等倍露光装置を利用してフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）デバイスを製造するに当って高い解像度を表すことができ、特に、複数の露光光を利用する等倍露光装置に好適である。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の照射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、透明基板の出射面側の、パターンに対応した部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の出射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、照射面の前記パターンに対応した透明基板部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、サイドエッチング幅αと、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓとに基づき、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓを決定し、更に、決定したライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓの転写用パターンをもつフォトマスクを用いた露光と、エッチングとによって、被加工体に、ライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるように、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定する。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを設定し、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのそれぞれと、サイドエッチング幅αとに基づき、レジストパターンのライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓとを設定し、決定したライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓをもつレジストパターンに基づき、露光の際の露光条件、及び転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌとスペース幅Ｍ_Ｓを決定し、かつ、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌは決定したライン幅Ｒ_Ｌと異なり、転写用パターンのスペース幅Ｍ_Ｓは決定したスペース幅Ｒ_Ｓと異なる。 （もっと読む）

【課題】横電界駆動方式の反射モードを含む液晶表示装置において、コントラスト比を向上できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１０は、反射領域２１を含む。ＴＦＴ基板１４上には、反射領域２１に対応して、断面形状が凹凸を有するように形成された反射板１６が形成される。反射板１６上の絶縁層４１上には、液晶層１３を駆動するための画素電極３５及び共通電極３７が形成される。反射板１６の画素電極３５及び共通電極３７の下に対応する領域における凹凸の傾斜角は、画素電極３５と共通電極３７との間に対応する領域における凹凸の傾斜角よりも小さく設定される。これにより、液晶が動かない電極上を反射し通過する光が、観察者側に出射せず、コントラスト比を向上できる。 （もっと読む）

【課題】テストレチクルを用いて露光システムの伝達関数を導出し、この伝達関数をマスクパターンの設計にフィードバックさせて、厚膜レジストに所望する三次元形状を精度よく形成することが可能な三次元デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】テストレチクルを用いて露光装置の周波数領域の伝達関数Ｈ１（ξ、η）を導出する工程Ｓ１と、前記テストレチクルを用いて露光・現像等の露光プロセスの周波数領域の伝達関数Ｈ２（ξ、η）を導出する工程Ｓ２と、これら伝達関数Ｈ１（ξ、η）、Ｈ２（ξ、η）及び所望する三次元形状の縦断形状プロファイルｄ（ｘ、ｙ）に基づいて、前記三次元形状の縦断形状プロファイルｄ（ｘ、ｙ）を形成するためのマスクパターンの透過率分布ｕ（ｘ、ｙ）を算出し、このマスクパターンを有するレチクルを製造する工程Ｓ３と、前記レチクルを用いて前記三次元形状からなる三次元デバイスを製造する工程Ｓ４とを含む。 （もっと読む）

【課題】マスクの位置合わせの作業性を向上させつつ、位置合わせの精度を高め、容易に、かつ高精度に圧電板や電極を形成することができる圧電振動片の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ側マーク群７１と、電極マスク側マーク群５２とを検出する電極マーク群検出工程と、ウエハ側マーク群７１と電極マスク側マーク群５２とを位置合わせしながらウエハに電極膜用マスクを配置する電極マスク配置工程とを有し、ウエハ側マーク群７１、および電極マスク側マーク群５２は、それぞれ互いに大きさの異なるマーク５１ａ〜７１ｄにより構成され、それぞれ最も小さいウエハ側マーク７１ｄ、および電極マスク側マーク５２ｄを互いのマークの位置合わせ用として利用し、これ以外のウエハ側マーク７１ａ〜７１ｃ、および電極マスク側マーク５２ａ〜５２ｃを、電極マーク群検出工程に利用する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（描画方法やレジスト塗布方法）や異なる条件（レジストの種類やレジスト膜厚）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜を少なくとも有し、前記遮光性膜上にレーザ描画用のレジスト膜をスリットコータ装置で形成するためのＦＰＤデバイス製造用マスクブランクであって、前記遮光性膜は、前記レーザ描画波長を含む３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が２％未満の範囲となるように制御された膜であり、前記スリットコータ装置は、一方向に延びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記遮光性膜表面に対して前記一方向に交差する方向へノズルを相対移動させてレジスト膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】裸眼立体視を行う３次元表示装置におけるクロストークを解決するために、画像光の方向を限定する視差クロストークフィルタとその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板１１上の開口部１３を囲む遮光膜パターン１２と、開口部を通して照射される光３を斜め方向に屈折させる光路傾斜機構部１４と、露光対象基板との間隔を保持するスペーサ１５と、からなるフォトマスク１を用いて、基板２１上の感光性材料２２に選択的に露光することにより、感光性材料面に対して傾斜した加工部２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】濃度分布マスクが感光性レジスト材料層に投影するパターンのつなぎ目での露光光量誤差を軽減して微小立体形状配列を製造する。
【解決手段】濃度分布マスクのパターンの光透過率をＢと定義すると、前記網点間隙領域の開口率ＷをＷ＝（√Ｂ）に設定し、第１段階の露光工程として、前記濃度分布マスクのパターンの投影する位置を該パターンの寸法だけずらしつつ前記感光性レジスト材料層に複数回投影露光することで、該パターンをつないで前記感光性レジスト材料層の全面を露光する工程と、次の段階の露光工程として、前記濃度分布マスクのパターンの投影する位置を該パターンの整数Ｎ分の１だけずらして前記第１段階の露光工程で露光された感光性レジスト材料層の全面に重ねて露光することで、前記感光性レジスト材料層の全面を前記整数Ｎ回重ねて露光することを特徴とする微小立体形状配列の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを用いて製造したバス電極の電極ピッチを精度よく形成可能なプラズマディスプレイパネル用フォトマスクを提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマディスプレイパネルの前面板に配置されたバス電極を形成するためのプラズマディスプレイパネル用のフォトマスク４０であって、このフォトマスク４０は、バス電極を露光するためマスクを有し、マスクに形成した電極ピッチは、前面板に配置されたバス電極の電極ピッチとは異なる電極ピッチとした構成である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、遮光膜の端部の形状
に荒れのない階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と
、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記
透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、およ
び上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであっ
て、上記遮光膜および上記半透明膜の結晶構造が、いずれも柱状である、またはいずれも
粒状であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】石英ガラス母材を加熱溶融して成形する石英ガラス成形体の外径を容易に変更できるようにする。
【解決手段】カーボンよりなる板材を組み合わせることによって得られる正多角柱を外筒とする型材１０を用いて溶融成形を行う際に、得られる溶融成形体の外径を変更するために、板材の幅を変更することによって解決する。正八角形の場合、板材の一辺の幅をａから１．２ａ、そして１．４ａと大きくしていくことによって、組み立てられた正多角柱の内接円の直径（Ｒ）は、それぞれ２．４ａ、２．９ａ、そして３．４ａと大きくなっていくので、容易に直径を変更することができる。 （もっと読む）