【課題】中心から外周に向けて徐々に厚くなるように保護膜を被覆する保護膜被覆機構を備えるとともに、被加工物を均一な厚みに研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物１０を保持する円錐状の保持面を備えたチャックテーブル５３２と、研削手段と、研削送り手段と、支持面に液状樹脂を滴下し被加工物を回転させて支持面に保護膜２１０を被覆する保護膜形成手段とを具備する研削装置であって、保護膜２１０の厚みを計測する厚み計測手段と、対面態を調整する対面状態調整手段と、保護膜２１０の厚み情報を記憶するメモリを備え、厚み情報に基づいて対面状態調整手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は、保護膜２１０の厚み情報に基づいて保護膜２１０の外周から中心に至る勾配を求め、外周から中心に至る勾配とチャックテーブル５３２の円錐状の保持面における外周から中心に至る勾配に基づいて対面状態調整手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】吸引保持パッドの吸着面とチャックテーブルの保持面との平行度が許容範囲であるか否かを容易に確認することができる平行度確認治具を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、下面に被加工物を吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッドを備えチャックテーブルに被加工物を搬入または搬出する搬送手段とを具備する加工装置における、吸引保持パッドの吸着面とチャックテーブルの保持面との平行度を確認する平行度確認治具あって、第１の厚みを有する第１の厚み確認部と第２の厚みを有する第２の厚み確認部とを具備し、第１の厚み確認部の第１の厚みは該吸引保持パッドを基準待機位置に位置付けた状態においてチャックテーブルの保持面と吸引保持パッドの吸着面との基準間隔に設定されており、第２の厚み確認部の第２の厚みは第１の厚みより僅かに厚い許容できる平行度の上限値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】スイング式の鋼片研削装置において４５度研削を行う場合、鋼片の被研削面全体を均一に研削する。
【解決手段】スラブＳの平面Ｓｓの研削加工に際して、斜角制御手段１２４により研削砥石１６が砥石斜角４５度に位置させられる場合に、当接位置制御手段１２６により平面Ｓｓに対して研削砥石１６が当接させられると、研削砥石１６が平面Ｓｓに接する位置によっては平面Ｓｓに対する研削砥石１６の外周面の当たり面角度に傾きが生じたり接する位置によってその傾きが異なる可能性があることに対して、揺動角度補正手段１２８によりスラブ厚みＴと砥石径Ｄとに基づいて平面Ｓｓに対して研削砥石１６の回転軸心Ｃｇが平行になるように第３軸心Ｃ３まわりの研削砥石１６の揺動角度が補正されるので、平面Ｓｓに対する研削砥石１６の外周面の当たり面角度に傾きが生じ難くなり、研削砥石１６とスラブＳとの当たり方が一定に保たれ易くなる。 （もっと読む）

【課題】硬質基板の表面に光デバイス層が積層された状態で、光デバイス層の表面が平坦となるように硬質基板を加工する硬質基板の加工方法を提供する。
【解決手段】硬質基板の加工方法であって、チャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心を環状の研削砥石が通過するとともに硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるようにチャックテーブルと研削ホイールとの位置関係をセットする工程と、研削ホイールを回転するとともにチャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心に研削砥石を接触させ硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるように研削ホイールを研削送りし、硬質基板の上面を回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に研削する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、最大板厚偏差に優れるガラス基板を研削するガラス基板の研削方法と、該研削方法を用いた工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板を研削する前の両面研削装置の上定盤の研削面と下定盤の研削面の形状を、内周端における上定盤の研削面と下定盤の研削面との差をＤｉｎとし、外周端における上定盤の研削面と下定盤の研削面との差をＤｏｕｔとしたとき、ＤｏｕｔからＤｉｎを引いたΔＤ（＝Ｄｏｕｔ−Ｄｉｎ）が−３０μｍ〜＋３０μｍとしたことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】上定盤の一部が下定盤の外側にはみ出して上定盤がその自重により傾いてしまう構成でも、上定盤の研磨パッドを基板の全面に均一に当接させることが可能な基板研磨装置を提供すること。
【解決手段】載置される基板６００を吸着保持可能な基板保持面３ｃを有して回転可能な下定盤３と、下定盤３の基板保持面３ｃと並行な平面内で揺動可能であると共に下面に研磨パッド４を有して回転可能な上定盤２を備え、下定盤３上の基板６００に上定盤２の研磨パッド４を押し付けて該基板６００の上面を研磨する基板研磨装置１において、下定盤３の基板保持面３ｃの外縁部には基板６００の外縁部６００ｂを該基板６００の中央部６００ａよりも高くなるように支持する凸部６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 被研削材の研削加工時間を短縮できる複合平面研削装置の提供。
【解決手段】 左右方向に往復移動するワークテーブル３１上に載置された被研削物の表面を、ワークテーブルの中心点３１ｃと粗研削砥石２６ａの直径方向と仕上研削砥石２６ｂの直径方向を含む鉛直平面上に、かつ、ワークテーブルの中心点３１ｃ位置が、研削加工開始時待機位置の前記粗研削砥石の中心点２５ａと前記仕上研削砥石の中心点２５ｂから等距離の位置に砥石２６ａ，２６ｂを配置してなり、砥石軸に超音波発信器４９を備えさせた複合平面研削装置１。砥石の交換をすることが不要であり、砥石軸を超音波振動させることにより被研削材と砥石間の研削屑の離脱を容易とするので、研削加工時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】取代量が大きなワークの両面の研削に際して、ワーク仕上面における優れた平行度と平坦度、さらには研削効率が得られる両頭平面研削技術を提供する。
【解決手段】回転する上下一対の砥石車１、２間に、突起付きワークＷを通し送りしてその上下両面Ｗａ、Ｗｂを同時に平面研削するスルーフィード形式のもので、上側砥石車１として、平面研削砥石面１ａの最外周部に面取り部６を有する砥石車を使用することにより、面取り部６が一対の砥石車１、２のワーク入口部Ａにおける前研削工程用砥石面を構成し、また一対の砥石車１、２の平坦な研削砥石面１ａ、２ａの傾斜角度θを、本研削におけるワーク取代の大きさに対応して設定し、砥石車１、２間にワークＷを通し送りするに際して、前研削工程用砥石面６によりワークＷを前研削した後、対向する一対の平坦な研削砥石面１ａ、２ａによりワークＷを本研削する。 （もっと読む）

【課題】リング状の補強部が形成されるように板状ワークを粗研削と仕上げ研削とによる２段階で研削加工するに際して、砥粒の脱落によるスクラッチの発生を抑制できるとともに、被研削面の平坦度を維持できるようにする。
【解決手段】粗研削加工を行う第１の加工手段の第１の回転軸は回転軸に対して第１の傾斜角だけ僅かに傾斜させる一方、仕上げ研削加工を行う第２の加工手段の第２の回転軸φ２は回転軸φ０に対して第１の傾斜角よりも小さな第２の傾斜角βだけ僅かに傾斜させることで、粗研削加工に際しては第１の傾斜角が相対的に大きいため脱落砥粒によるスクラッチが起こりにくくし、仕上げ研削加工に際しては第２の傾斜角βが相対的に小さいが砥粒が小さく延性モードが支配的となる加工であり、脱落砥粒があってもスクラッチの影響は実質的になく、被研削面を平坦度のよい状態で仕上げることができるようにした。 （もっと読む）

【課題】リング状の補強部が形成されるように板状ワークを研削加工するに際して、板状ワークをより薄く研削加工する場合であっても、被研削面に割れが発生するのを抑制することができるようにする。
【解決手段】第１の加工手段によって円弧状の第１の研削痕２１が形成されるように研削加工を施すのに対して、第２の加工手段では第１の研削痕２１に交差する円弧状の第２の研削痕２３が形成されるように研削加工を施すことで、第１の研削痕と第２の研削痕が同一方向に連続して形成されることによる被研削面の強度低下を防止できるようにした。 （もっと読む）

【解決手段】回転型小型加工ツールの研磨加工部を半導体用合成石英ガラス基板表面に１〜５００ｍｍ²の接触面積で接触させ、基板表面上を前記研磨加工部を回転させながら走査させて、基板表面を研磨することを特徴とする半導体用合成石英ガラス基板の加工方法。
【効果】本発明によれば、ＩＣ等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、比較的簡便でかつ安価な方法でＥＵＶリソグラフィーにも対応可能な平坦度の極めて高い基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノ精度の高精密研削装置の提供。
【解決手段】 磁気軸受と静圧水軸受により軸受けされる回転／直動可能な砥石軸１３、前記砥石軸を回転／直動させる回転／直動複合アクチュエータ１６，１８、前記砥石軸の移動距離を測定する位置測定手段８５、および、前記砥石軸１３を固定するコラム７を砥石軸方向に直線移動させる駆動手段９を備える研削ステージＴＳと、前記砥石軸に軸承される砥石１４の研削加工面に対して被研削物表面を直角方向に保持する回転保持具２０、および、静圧水軸受で軸受けされた前記回転保持具の主軸を回転駆動させる回転駆動手段を備えるワークステージＷＳ、とを供える研削装置１。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面を平坦に仕上げることができる半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ積層体１０の裏面をインフィード研削する半導体ウェーハ裏面の研削方法であって、ウェーハ積層体１０の裏面のインフィード研削中において、ウェーハ積層体１０の外周部分と内周部分の積層体厚みをインプロセスゲージで測定することと、外周部分と内周部分の積層体厚みの厚み差を算出することと、算出された厚み差が小さくなるように研削砥石１５の軸線Ｒ２を任意の方向に所定角度傾けることと、を備える。 （もっと読む）

【課題】粗研削後のウエーハを仕上げ研削する際に砥石の食いつきを良好にして面焼けの発生を防止することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】円錐状の保持面を備えたチャックテーブル６に保持されたウエーハ１５に粗研削ホイールを接触させて粗研削する粗研削工程と、粗研削工程が実施されたウエーハに研削ホイール４３を接触させて仕上げ研削する仕上げ研削工程とを実施するウエーハの研削方法であって、粗研削工程は粗研削ホイールの研削面をチャックテーブルの保持面に対して所定の傾斜角をもって位置付けて実施し、仕上げ研削工程は仕上げ研削ホイールの研削面をチャックテーブルの保持面に対して平行に位置付けるとともに、仕上げ研削ホイールの回転方向を仕上げ研削ホイールの研削領域において仕上げ研削ホイールの研削面とウエーハの被研削面との接触角の頂点に向かう方向に回転せしめる。 （もっと読む）

【課題】ＤＤＧ研削装置において研削位置の正確な軸方向アライメント測定を可能にする。
【解決手段】半導体ウェハの同時両面機械加工のための両面研削盤における研削スピンドル位置の修正のための方法において、それぞれが研削ディスクを受容するための研削ディスクフランジを有する２つの研削スピンドルが連結エレメントによってねじれて連結されており、傾斜計と距離測定のための２つのセンサとを有する測定ユニットが研削ディスクの代わりに２つの研削ディスクフランジの間に取り付けられており、これにより、研削スピンドルがこの場合実質的に、研削プロセスの間、取り付けられた研削ディスクと共に配置される位置にあり、連結された研削スピンドルが回転させられながら、２つの研削スピンドルの対称的な向き付けのために使用される２つの研削スピンドルの軸方向アライメントの半径方向及び軸方向の修正値を決定するために、傾斜計及びセンサが使用される。 （もっと読む）

【課題】研削前の鋼帯に幅方向で大きな板厚偏差がある場合でも、鋼帯端部の過度の研削を確実に防止できる鋼帯の表面研削装置および表面研削方法を提供する。
【解決手段】一対の研削ベルトの巻き付けられたコンタクトロールとビリーロールとからなる鋼帯の表面研削機を複数台有し、ビリーロールが、一方のロール端部からロール軸の1/5〜1/3にあたる位置を中心に、コンタクトロールに対して、水平面上で鋼帯の進行方向へ角度θ傾斜されて配置されている第1の鋼帯の表面研削機と、ビリーロールが、前記ロール端部からロール軸の2/3〜4/5にあたる位置を中心に、コンタクトロールに対して、水平面上で鋼帯の進行方向へ角度-θ傾斜されて配置されている第2の鋼帯の表面研削機と、が少なくとも一組連続して設置されている鋼帯の表面研削装置。 （もっと読む）

【課題】電縫溶接前の帯板の幅端部に適切なテーパ形状を付与して溶接品質を良好に保持するとともに、製造能率の低下も抑止することができる、溶接部特性の良好な電縫管の製造装置を提供する。
【解決手段】レベラー２の後に、切削または研削手段３を備えているとともに、ロール成形機５が、２段テーパのフィン形状となったフィンパス成形スタンド４ａを有しており、切削または研削手段３によって、帯板の上面側の幅端部にテーパ形状を付与し、フィンパス成形スタンド４ａによって、帯板の下面側の幅端部にテーパ形状を付与する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの研削工程時の研削条件の調整を、非熟練作業員でも簡便かつ確実に行うことができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、原料ウェーハを研削する研削工程を有し、該研削工程により研削されたウェーハ面のナノトポグラフィを測定し、このウェーハ面の複数の直径または半径上のナノトポグラフィ測定値を平均して平均値成分を求め、前記平均する前のナノトポグラフィ測定値から前記平均値成分を差し引いて残差成分を求め、前記平均値成分および残差成分に基づいて前記研削工程の研削条件を調整することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの研削工程時の砥石のチルト／シフト調整を、非熟練作業員でも定量的に簡便かつ確実に行うことができる半導体ウェーハの製造方法および研削装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、原料ウェーハを砥石で研削する研削工程を有し、該研削工程により研削されたウェーハ面のナノトポグラフィを測定し、このウェーハ面の複数の直径または半径上のナノトポグラフィ測定値を平均して平均値成分を求め、該平均値成分の凹凸量と該凹凸を平坦化するための前記砥石のチルト調整量および／またはシフト調整量との相関関係を計測して関係式を予め求め、該予め求めた関係式に基づいて以後の研削工程において前記砥石のチルト調整および／またはシフト調整を行うことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法および研削装置。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で容易に板状被研削物を均一な厚さに研削する。
【解決手段】研削砥石２７がチャックテーブル１０の回転中心Ｘ上に載るようにチャックテーブル１０の回転中心Ｘと研削ホイール２５の回転中心Ｙとをオフセットして配置する。第１のエアーベアリング１３に１対のチャック側圧力ポートを設け、第２のエアーベアリング２６に１対の砥石側圧力ポートを設ける。第１のエアーベアリング１３のハウジング１２は、ウェーハ９の研削砥石２７に対する当たり面の傾斜角を調整可能に構成する。１対のチャック側圧力ポートと１対の砥石側圧力ポートとで検出した圧力差Ｐ_AC、Ｐ_BWに基づいて、第１のエアーベアリング１３のハウジング１２を傾斜させる。 （もっと読む）