【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が５．４×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上５．６×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下で、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１重量％以上３重量％以下のＡｌを含み、酸化亜鉛粒子１０中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の粒子径は３μｍ以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の径は１０μｍ以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にＡｌが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０を起点とする異常放電を防止できる。 （もっと読む）

【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体と、この絶縁基体内に埋設された発熱抵抗体とを備え、耐久性の良好なセラミックヒータの製造方法、及びこのようなセラミックヒータを有するグロープラグの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成により絶縁基体１０の一部となる第１成形体３０及び焼成により発熱抵抗体１１となる未焼成発熱抵抗体３３を有する半成形体３４を成形する半成形体成形工程と、焼成により絶縁基体１０の残部となる第２成形体３５を、半成形体３４と一体に成形する第２成形体成形工程とを備え、未焼成発熱抵抗体３３の未焼成曲げ返し部３２は、一部が第１成形体３０中に埋められる一方、残部が第１成形体３０から突出しており、半成形体成形工程は、未焼成曲げ返し部３２と成形体内側部５２とがなす内側角θｉと未焼成曲げ返し部３２と成形体外側部５５とがなす外側角θｏの少なくともいずれかが、９０度よりも大きい形態に、半成形体３４を成形する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体と、この絶縁基体内に埋設された発熱抵抗体とを備え、耐久性の良好なセラミックヒータの製造方法、及びこのようなセラミックヒータを有するグロープラグの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成により絶縁基体１０の一部となる第１成形体３０及び焼成により発熱抵抗体１１となる未焼成発熱抵抗体３３を有する半成形体３４を成形する半成形体成形工程と、焼成により絶縁基体１０の残部となる第２成形体３５を、半成形体３４と一体に成形する第２成形体成形工程とを備え、未焼成発熱抵抗体３３の未焼成曲げ返し部３２は、一部が第１成形体３０中に埋められる一方、残部が第１成形体３０から突出しており、半成形体成形工程は、少なくとも、未焼成曲げ返し部３２と成形体後側部５５との後側境界５７において、第１成形体３０から突出した後側高さＨＨ２が第１成形体中に埋められた後側深さＨＤ２よりも小さい形態に、半成形体３４を成形する。 （もっと読む）

【課題】電極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素さらにゼオライトを含む固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュールを提供する。
【解決手段】正極を二酸化ケイ素とし、負極を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素又は金などとし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、電極リード金属２を基盤１にスパターリングした後、陽極に二酸化ケイ素、陰極に窒化ケイ素を、該基盤に、スパターリングで薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線(ＵＶ)、又は約１３０℃に加熱し印刷するか、又は大気圧プラズマ化学蒸着法(ＰＥＣＶＤ)を使用して各電極４,６を製膜し、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質５をコーティングし、両電極を接合して単位セルを作成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【解決手段】ＰｂおよびＣｄの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば１３００℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜３５％、ＳｒＯ ２５〜６５％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｃａ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、ＷＯ_ｘ膜をＤＣスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、ＷＯ_２相とＷ_１８Ｏ_４９相との２相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、ＷＯ_２相の組織中の割合が、５％以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＷＯ_２と、Ｗ_１８Ｏ_４９及びＷＯ_３の少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記ＷＯ_２の含有量を、５〜９５ｍｏｌ％とする。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 （もっと読む）

【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ＺｎＯ蒸着材を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．２以上３．０％未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、０．１〜３００μｍの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ＺｎＯ膜は、上記ＺｎＯ蒸着材を用いて形成される。 （もっと読む）