【課題】高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンの発生が抑制され、高純度な多結晶シリコン棒を安定的に製造するための技術を提供すること。
【解決手段】本発明では、シリコン芯線上にシリコンを析出させて多結晶シリコン棒を得る多結晶シリコンの製造方法において、析出反応の初期段階（前段工程）では原料ガスを反応炉に大量に供給することにより反応速度を上げることはせず供給する原料ガスの濃度を高濃度とすることにより反応速度を上げ、当該前段工程の後の後段工程では反応炉内に原料ガスを高速で吹き込むことにより生じる高速強制対流の効果を利用してポップコーンの発生確率を低く抑えることとした。これにより、高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンが少なく、かつ、高純度な多結晶シリコン棒を、生産効率を低下させることなく製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜１２０を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光２００を照射して、半導体シリコン膜１３０ａを形成する工程を含み、かつ基材の表面１００ａに対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。 （もっと読む）

【課題】原料粉体の融点に応じて圧力を調整しつつ、火炎長を適切に保つことができる無機質球状化粒子の製造方法、それに用いる無機質球状化粒子製造用バーナ及び無機質球状化粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の無機質球状化粒子の製造方法は、高圧雰囲気内でバーナによって発生させた火炎にキャリアガスによって原料粉体を投入して無機質球状化粒子を製造する無機質球状化粒子の製造方法であって、原料粉末の融点に応じて高圧雰囲気の圧力を調整するとともに、火炎長をキャリアガスの噴出速度によって調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、結晶の成長方向が安定したシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液を保持する坩堝と、この坩堝を加熱するヒータと、前記坩堝内に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたシリコンインゴット製造装置であって、前記坩堝の上に載置される蓋を有し、前記蓋は、前記坩堝の側壁上面に載置される載置部と、前記坩堝の側壁外縁から外周側に突出した庇部と、厚さ方向に貫通した開口部と、を有し、前記庇部は、前記坩堝の側壁上端の１０％以上の領域の外周側に配設され、かつ、前記側壁上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、前記開口部は、前記坩堝の側壁上端面の５０％以上の領域が前記ヒータに対して露出するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸湿性を小さく改善した酸化マグネシウム粉末を簡易な方法で製造する。また、この酸化マグネシウム粉末を含み、耐湿特性、加工性に優れかつ熱伝導性が良好な電気絶縁層のための熱硬化性樹脂組成物を製造する。
【解決手段】酸化マグネシウム粉末は、シリカ含有量が１〜６質量％である酸化マグネシウムを原料として使用し、これを１６５０℃〜１８００℃で焼成することにより、表面にシリカ膜を形成する。熱硬化性樹脂組成物は、前記酸化マグネシウム粉末の平均粒径ｄ１を、１０μｍ≦ｄ１≦８０μｍの範囲とし、熱硬化性樹脂固形分と酸化マグネシウム粉末を合わせた体積中に、前記酸化マグネシウム粉末の含有量が２０〜８０体積％となるように混合する。酸化マグネシウム粉末の一部を他の無機充填材に置換えることができる。無機充填材の平均粒径は、０．１〜５０μｍ、含有量は１５〜３０体積％が好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能を備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】溶融状態の多結晶シリコンと固体状態の単結晶シリコンを用いて相互に一体化したウエハであって、単結晶部との境界から１０ｍｍ以内の多結晶部の平均結晶粒径が８ｍｍ以下の微細結晶を有することを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。予め鋳型の中に円柱状の単結晶シリコンインゴットをセットし、この単結晶インゴットの周囲に、溶融したシリコンを鋳込んで一体化して単結晶シリコンと多結晶シリコンの複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とするハイブリッドシリコンウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンの精製法に関し、特にニッケルを含む溶融シリコンを一方向凝固法により精製し、このニッケル濃度を指標にして６Ｎ以上の高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルを含む金属シリコンを溶融し、この溶融した金属シリコンを一方向凝固法により精製し、６Ｎ以上の純度の多結晶シリコンを製造する方法であり、シリコンブロックの凝固完了からの温度降下時間を制御すること、若しくは、シリコンブロック最表面直下に形成される不純物濃縮層の結晶組織を柱状結晶以外の等軸結晶組織及び／又は樹枝状結晶組織に作り込むことにより、ニッケルの熱拡散による汚染を低減し、太陽電池原料用の多結晶シリコンが効率良く精製するものである。 （もっと読む）

【課題】内部に球状のシリコンナノ結晶が点在する、発光材料として利用可能なシリコンナノワイヤを提供する。
【解決手段】該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにＯ^２＋イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。
【解決手段】反応炉１内のシリコン芯棒４に通電してシリコン芯棒４を発熱させ、シリコン芯棒４にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドＲとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、反応炉１内の圧力を０．４ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下、シリコンロッドＲの表面温度を１０００℃以上１１００℃以下に維持しながら、原料ガスを１５０℃以上６００℃以下に予熱した後に反応炉１に供給するとともに、シリコンロッドＲの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を２．０×１０^-7ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²以上３．０×１０^-7以下ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する。 （もっと読む）

ナノ構造体を生成するために、所定の条件下でナノ粒子材料の１つまたは複数の層に光エネルギーを印加することによって製品が作製される。ナノ構造体は、所定の細孔密度、所定の細孔径、またはこれらの両方を含む、光融合したナノ粒子の層を有する。光エネルギーを印加するための所定の条件は、所定の電圧、所定の時間、所定の出力密度、またはこれらの組合せを含み得る。
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【課題】従来の方法では薄箔素子の変形や断線が起こり、また、シリコンの変形や空気の混入などが起こっていた。圧力が収縮率の違う物に均一にかかっていた為である。
【解決手段】平面状にマス目を付け、マス目を潰して圧力を分散し収縮を少なくする。この構造により素子への圧力を弱め、シリコンの収縮を抑え空気を抜く事や変形や断線を抑える事が出来る。シリコンにて薄箔を圧着する製造方法を構成している。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】可燃性溶媒を用いることなく、基板上に無機膜を安全かつ低時間、超低電力で製膜できる、工業的に極めて有利な無機膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】泳動電着法により基板表面に無機膜を製膜する方法において、電着浴の溶媒としてハイドロフルオロエーテルを用いた無機膜を製膜する。
ハイドロフルオロエーテルとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で示されるフルオロエーテルを用いる。
R¹−O−R² （Ｉ）
（R¹およびR²は、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のフルオロアルキル基であり、かつR¹およびR²の少なくとも一方は炭素数１〜６のフルオロアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】
本発明は、欠陥のない有機分子膜被覆ナノ結晶粒子を提供するのみならず、これを含む有機分子膜被覆ナノ粒子の製造工程を極めて簡便にすることができた製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ナノ結晶粒子の表面が有機分子膜にて被覆されてなる有機分子膜被覆ナノ結晶粒子であって、前記ナノ結晶粒子の表面全体が有機分子膜にて被覆されていることを特徴とし、有機分子膜被覆ナノ粒子の製造方法であって、ナノ粒子の母材となるターゲット材料を表面修飾用の有機分子液中に浸漬した状態でレーザー照射し、前記ターゲット材料から前記有機分子液中にナノ粒子を放散させ、その表面に前記有機分子を結合させることを特徴とする。
本発明は、上記の製造方法において、前記ターゲット材料が、前記レーザー照射によって放散されたナノ粒子の表面に酸化膜が生じない性質を有することを特徴とし、前記ターゲット材料が、予め表面を水素終端化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、シリコン堆積のための従来慣用のジーメンス法で使用されるようなシリコン心棒を製造する方法及び装置に関する。半導体及び太陽電池用のシリコンの需要が著しく高まっていることにより、シリコン心棒の需要も高まっている。本発明に係る方法は、原則、古典的なペデスタル法に相当する。本発明では、使用される誘導コイル（１）が、電流が環流する中央開口（４）周りに別の引き上げ開口（５．１，５．２，５．３，５．４）を有している。誘導コイル（１）の下の貯蔵棒には、貯蔵棒の頂部を融解させ、貯蔵棒（６）上に融液溜（６．１）を生じさせる、十分に均等な温度プロフィールが形成される。誘導コイルに設けられた別の引き上げ開口を通して、それぞれ１つのシリコン心棒（９．１，９．２，９．３，９．４）が融液溜から上方に引き上げ可能である。公知の従来技術とは異なり、棒は電流が環流する中央開口を通して上方に引き上げられない。これらの別の付加的な引き上げ開口は、有利には、中央開口に対して同心的に、かつ貯蔵棒（６）の外縁に対して十分な間隔を置いて配置されている。相互の間隔は、個々のシリコン心棒が可及的等しく成長するように、成長したシリコン心棒が互いに熱的に過度に強く干渉し合わないように選択されている。使用されるＳｉ原料棒の直径が大きければ大きいほど、誘導コイルの直径も大きく選択することができ、これにより、相応により多くの数の付加的な引き上げ開口を設けることもできる。
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クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらのクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

チョクラルスキー型結晶引上装置を用いて多結晶シリコンインゴットを作製する方法、多結晶シリコンインゴットを引き上げるための複数のシード結晶を含む引上アセンブリ。
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