本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】反応系に硫黄粉末を存在させることにより、自己伝播高温合成反応を促進させ（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を短時間で合成する。
【解決手段】（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系を、好ましくはモル比２：（０.５〜１.０）：（１〜３）又はモル比２：（１〜３）で配合した粉末混合物を圧粉成形し、反応装置１にセットした圧粉体３の一端に、電流を通したコイル４で着火し、他端に向けて燃焼（自己伝播高温合成反応）を進行させることにより、（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ系又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を合成する。 （もっと読む）

【課題】固相炭化反応の進行に高温が必要であるという欠点と、高価な原料を使用しなければならないという欠点を同時に解決する。
【解決手段】周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】炭化物系セラミックスからなり、かつ、高い出力因子をもつn型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料は、結晶構造中にRC₆八面体（但し、RはZr、Sc、Y又は希土類元素から選択された少なくとも一種類以上の元素である。）が稜共有することで形成される[RC₂]層を部分構造として含む。すなわち、電気伝導率の高い層と電気伝導率の低い層とからなる二種類の異なる層が交互に積層する結晶構造をもつことから、良好な熱電特性を示す。 （もっと読む）

【課題】高い強度のチタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶チタンシリコンカーバイドの結晶粒を配向させ、大部分の結晶のｃ面が一方向に揃った組織のチタンシリコンカーバイドに微細な炭化チタン粒子が分散した組織で、その強度が従来の多結晶チタンシリコンカーバイドより大きいことを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びこの複合材料に１０〜２０体積パーセントの炭化ケイ素ウィスカが分散した組織で、更に、高強度であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びチタン、ケイ素、炭化チタンの混合粉末、又はチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末を用いて、上記チタンシリコンカーバイド基複合材料を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】高密度、高強度の炭化ケイ素焼結体を製造する原料として好適な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】核粒子となるシリカ粒子を含むシリカゾルを生成した後、シリコンアルコキシド、アルコールおよびアンモニア水溶液の量比を変えて混合し、温度およびｐＨを設定して加水分解する（Ａ）（Ｂ）の異なる２段階の条件で加水分解して二峰性のシリカゾルを調製し、その後、フェノール類とホルムアルデヒドおよびアンモニア水溶液を添加して重合し、シリカ粒子を核としてその周囲をフェノール樹脂で被覆したコア・シェル構造のＳｉＣ前駆体を作製し、無酸素雰囲気下８００〜１０００℃で熱処理して焼成し、次いで、不活性雰囲気下１４００〜２２００℃で熱処理して珪化することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力１〜７０Ｐａ、０．５〜３ｋＷのマイクロ波出力、基板温度３５０〜６００℃のＳｉ基板を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ナノメータ単位の粒子径を有するＷ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｓｉの炭化物粉末の合成手段を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｏ以外の元素を実質的に含まない有機物の炭素源とを溶媒に溶解した後に、乾燥し得られた組成物を、非酸化雰囲気中、１０００〜１９００℃にて炭化処理する。アルコキシドに存在する配位子と、炭素源の官能基を液相中で置換し、安定に存在させることにより、金属の酸化物生成を抑制できる。得られた金属炭化物は最大粒子径が１５０ｎｍ以下で遊離炭素含有量が０．５重量％以下である。この焼結体は強度や破壊靭性（耐クラック発生・伝播性）にも優れており、加工時のクラック発生や粒子脱落（プルアウト）が無い材料である。また、炭化物が微細な為、２〜１５重量％の炭化物含有量でも従来のセラミックス複合材料焼結体と同等以上の機械的特性や加工特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形態が複合化した炭化ケイ素ナノ構造物並びにその製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ構造物は、炭化ケイ素ナノワイヤーの側面から、その側面に対し直角にエピタキシャル成長した炭化ケイ素からなる板状結晶を有することを特徴し、その製造方法は、一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末および酸化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、１３×１０^２〜１４×１０^２℃にて０．３〜１．２時間加熱することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な合成工程を経ることなく簡便に製造でき、焼成することで炭化チタン、又
は、炭化チタンと炭素の混合物に変化する、新規な前駆体を提供すること。
【解決手段】チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール化
合物の反応生成物からなることを特徴とする、炭化チタン、又は、炭化チタンと炭素の混
合物の前駆体。チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール
化合物を混合して溶液又はスラリーを生じさせるか、チタンのアルコキシド又は塩化チタ
ン、及び、フェノール又はフェノール化合物を有機溶媒中で混合して溶液又はスラリーを
生じさせることで製造できる。溶液又はスラリーを乾燥させて得られる固体前駆体を焼成
して炭化反応を生じさせることにより炭化チタン又は炭化チタンと炭素の混合物を製造で
きる。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が５０ｎｍ以下でありかつ粒度分布の幅が狭い炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法及び炭化ケイ素粉末を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭素源及びケイ素源を混合した混合物からなる炭化ケイ素前駆体を、不活性雰囲気中にて熱処理し、さらに酸化性雰囲気中にて熱処理し、得られた炭化ケイ素含有物をフッ化水素酸または強塩基性溶液を用いて洗浄し、この炭化ケイ素含有物に含まれる不純物を除去し、平均粒子径が５０ｎｍ以下でありかつ粒度分布の幅が狭い炭化ケイ素粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】１０００℃を超える高温の還元性ガス雰囲気中においても、優れた還元性ガス反応抑制効果を発揮し、製品寿命を大きく延ばすことができる還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法を得る。
【解決手段】本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料は、Ｔａ微粒子を、Ｃを含む反応性ガス粒子と共に黒鉛基材表面に付着させることで、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる結晶組織のＴａＣ被膜が形成され、かつ該被膜の組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となる。また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、アークイオンプレーティング式反応性蒸着法により、金属Ｔａの微粒子を、Ｃを含む反応ガスの粒子と共に黒鉛基材表面に付着させ、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる前記被膜を形成すると共に、黒鉛基材表面にＴａＣ被膜をその組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となるように形成する。 （もっと読む）

本発明は、それぞれの割合がｎ＋１±ε_１、１±ε_２及びｎ±ε_３である少なくとも１つの要素Ｍ、少なくとも１つの要素Ａ及び少なくとも１つの要素Ｘを含む粉末であって、Ａは、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳから選択され、Ｍは、遷移金属であり、Ｘは、Ｂ、Ｃ及びＮから選択され、ｎは、１、２または３に等しい整数であり、ε_１、ε_２及びε_３は、独立して０から０．２の範囲の数を表し、５００ｎｍ未満の平均粒径を有する粉末に関する。
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【課題】窒化物薄膜成長用基板として利用可能な亜粒界のない良質なTiC単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】式Ti_1-xZr_xC（ただし、0.05≦x≦0.35）で示される、炭化チタンTiCに、５モル％から３５モル％の炭化ジルコニウムZrCを固溶させた炭化物単結晶。この炭化物単結晶は、例えば、TiC粉末にZrC粉末を混合した圧粉体等を焼結した焼結棒を原料棒として浮遊帯域溶融法により単結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高温における半導体特性や電界電子放出特性の優れた竹状形態を有する炭化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末及び窒化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、所定温度で所定時間加熱し、炭化珪素ナノワイヤーを合成する。上記粉末の混合物を不活性ガス気流中で、１３００〜１４００℃で、４０分〜２時間加熱することにより、直径が８０〜３００ｎｍで、長さ数百μｍの竹状形態を有する立方晶系炭化珪素ナノワイヤーを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高温冶金操作を使用してタングステン酸ナトリウムを形成する方法が提供される。
【解決手段】タングステン含有精鉱（１２）はシリカ（１４）及び珪酸ナトリウム（１６）と共にスラッギング炉（１８）に導入される。高密度タングステン含有相（２０）は重力により、るつぼ炉の底部に沈殿し、低密度のスラグ相（２２）がるつぼ炉の上部に隔離される。高密度タングステン相（２０）はスパージング炉（２４）に導入される。メタンなどの炭素含有ガス（３４）はスパージング炉（２４）に導入される。スパージング工程により、粗の炭化タングステン生成物（５２）が得られ、それが水浸出工程（５４）に供される。液体部分（５８）は晶出装置（６０）へ送られ、結晶（６４）が水（６８）中で粉砕されるとともに好適な酸（７２）による酸浸出（７０）に供される。高純度の炭化タングステン（７８）がその後に回収される。 （もっと読む）

式M_n+1AX_nの前駆体を提供する工程、およびM_n+1AX_nを提供するためにM_n+1X_nをAと反応させる工程を含む、M_n+1AX_nを形成する方法であって、式中、Mは早期遷移金属（Tiなど）またはその混合物であり、AはIII族もしくはIV族の元素（Siなど）またはその混合物であり、かつXはC、N、またはそれらの混合物である。M_n+1X_nは、Aと反応させる前に、MおよびXからのM_n+1X_nの形成の間に、規則化および/または双晶化されてもよい（例えば、機械的合金化、熱処理などによって）。Aは、MおよびXからのM_n+1X_nの形成の間に、または不規則型M_n+1X_nの規則化および/もしくは双晶化の間に存在してもよい。生成したM_n+1AX_nは、MXおよび/または他の残渣相を実質的に含まない。

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【課題】粉末粒子が二次的に結合した癒着粒子が少なく、特に、焼結材料として好適な単球性に優れた高純度ＳｉＣ微粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の高純度ＳｉＣ微粉末の製造方法は、シリコンアルコキシドから調製したシリカの粒子径が１０〜２０００ｎｍのシリカゾルもしくはシリカ懸濁液に、フェノール類とホルムアルデヒドおよびアンモニア水溶液を添加して重合し、シリカ微粒子を核としてその周囲をフェノール樹脂で被覆したコア・シェル構造のＳｉＣ前駆体を作製し、無酸素雰囲気下８００〜１０００℃で熱処理して焼成し、次いで、不活性雰囲気下１４００〜２２００℃で熱処理して珪化することを特徴とする。また、ＳｉＣ前駆体を構成するフェノール樹脂とシリカ微粒子の割合が、体積含有率でフェノール樹脂がシリカ微粒子の３３〜５００％であることが好ましい。 （もっと読む）