本発明は、原料としてのカーボンブラックと超微粉タングステンを用いて超微粉タングステンカーバイドを作成する方法である。本発明方法は以下の工程より成る。（１）純粋二酸化炭素ガスの存在で超微粉タングステンを不活性化する工程と、（２）冷却水と不活性ガスとを導入した後超微粉タングステンとカーボンブラック粉とを混合するカーボン付加工程と、（３）タングステンカーバイド粉を乾留炉内で高温で乾留し、塊状に合成する工程と、（４）塊状のタングステンカーバイド粉を、粉砕し、冷却し、ふるいにかけて超微粉タングステンカーバイドを得る工程。
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【課題】炭化アルミニウムの水和反応が進まないように、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたことを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムであり、また、金属アルミニウム粉末と炭素粉末とを用いて、所定の雰囲気下で加熱処理することで、炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウムを得ることを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化ケイ素粉体製造方法及びシステムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉体製造方法は、混合器でケイ素源と炭素源とから構成された混合物を生成するステップ、及び前記混合物を真空度０．０３ｔｏｒｒ以上０．５ｔｏｒｒ以下、温度１３００℃以上１９００℃以下に加熱して炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉体を合成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】低いケイ素／炭素比を有するオーバーコートを提供すること。
【解決手段】情報記憶システムのスライダ。単一のオーバーコート層を備えるスライダであって、層は、フィルタ陰極アークプロセスによりスライダのＡＢＳ上に堆積し、層は、約１０％未満のＳｉ／Ｃ比を有すると共に、約１５Å未満の厚さを有する、スライダ。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度200℃以下で照射され、その照射量がはじき出し量として1dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】ホウ素含有量が高く、炭化ケイ素および炭化ホウ素相が良好に分散し、組成が制御された、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を得ることができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法に関し、このケイ素は炭化ケイ素の形態であり、ホウ素が、炭化ホウ素および／または遊離ホウ素の形態である。本発明の方法は、炭素系前駆体、ケイ素系前駆体およびホウ素系前駆体ＢＸ_３（Ｘがハロゲン原子である）を、これらの３つの前駆体の混合物を得るために接触させる工程と、得られた混合物をレーザー熱分解に供する工程と、を含み、ホウ素系前駆体ＢＸ_３は、接触工程の前におよび／または接触工程と同時に、この前駆体の縮合温度よりも高い温度に加熱される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ複合材料体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料体の製造方法は、少なくとも一本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体における少なくとも一本のカーボンナノチューブの表面に金属被覆層を形成させる第二ステップと、真空条件でカーボンナノチューブ構造体に電流を通して、前記少なくとも一本のカーボンナノチューブの外表面に形成された金属被覆層を溶融させると同時に、金属被覆層における金属をカーボンナノチューブの炭素と反応させて、前記カーボンナノチューブの外表面に複数の金属炭化物粒子を形成させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料の物質となる、微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素を作製する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等、高機能材料の前記物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。たとえば微細炭化珪素の場合は、珪藻土原土又は焼成珪藻土内部に、コロイド溶液化した活性炭や黒鉛等の粉末炭素、フラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素物質を含浸させ、乾燥後、不活性ガス雰囲気下、１５００℃まで加熱して得られる。炭素源は珪藻土内に無数に存在する珪藻土粒子の粒界や細孔内で二酸化珪素と反応を起こし、炭素源の形状を維持した、微細炭化珪素が合成される。又、炭素源の形状が維持される性質を利用し、予め炭素源を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。 （もっと読む）

規則性メソ多孔質炭化ケイ素（ＯＭＳｉＣ）ナノ複合材料の調製方法には、フェノール樹脂、前加水分解したオルトケイ酸テトラエチル、界面活性剤、およびブタノールを含む前駆体組成物の蒸発誘起性の自己組織化を使用することが好ましい。前駆体混合物を乾燥し、架橋し、加熱して、中程度の大きさの細孔の規則的離散領域を有する規則性メソ多孔質炭化ケイ素材料を形成する。
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【課題】１，０００℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たし、平均外径が５０ｎｍ以上であって、直径と長さのアスペクト比が１０以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、０．１気圧以下の真空下で、１，４００℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、６００℃以上８００℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
（ａ）グラファイト（００２）面のＸ線回折強度の半値幅が、１°以下の強度を有すること；（ｂ）６００℃の大気中で加熱したときに重量減少が１０％以下であること （もっと読む）

【課題】結晶系が２Ｈ相である炭化ケイ素を２０％以上含み、形状異方性を有する炭化ケイ素粒子、および、この炭化ケイ素粒子を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素は、２Ｈ相を２０％以上含み、粒子長さが１μｍ以下であり、かつ、形状異方性を有することを特徴とする。本発明の炭化ケイ素粒子の製造方法は、炭素源およびケイ素源を含む炭化ケイ素前駆体を不活性雰囲気中にて熱処理し、炭化ケイ素とする炭化ケイ素粒子の製造方法であって、前記炭化ケイ素前駆体のアルカリ金属の含有量を０．１質量％以上かつ１０質量％以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用されたディーゼル粒子フィルタの濾過性能を高めるために、カーボンブラック粒子を堆積することができる表面積をできる限り大きくする必要がある
【解決手段】ケイ素含有粒子からなる材料を、ポリアミドの存在で熱分解する、ディーゼル車両用の、再生可能なセラミックの粒子フィルタの製造方法。前記方法から製造された粒子フィルタは＞３５０ｍ²／ｌのＢＥＴ表面積を有する。 （もっと読む）

【課題】 新規耐熱材料として期待されるＡｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物は地殻に多く存在するＡｌ、Ｓｉからなり資源の有効活用の観点から幅広い利用が望まれるが、高純度の複合炭化物を得るために高純度の原料を使用しているのが現状で、高価な高品位原料に選択肢が限定される課題がある。従って本発明の目的は、広範な組成の天然原料を使用して合成する高純度Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物およびその合成方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミナ成分またはシリカ成分を含有し、更にカルシウム化合物またはナトリウム化合物の含有率が酸化物換算で３０質量％以下の天然原料と炭素原料とを含む混合物を、不活性雰囲気中で焼成して得ることを特徴とするＡｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物およびその合成方法。 （もっと読む）

【課題】不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下であり、昇華法による単結晶育成条件下で比表面積の大幅な減少を起こすことがない、安定した昇華速度を示す粒径を有する炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する
【解決手段】高純度のケイ素源、酸素を分子内に含有し加熱により炭素を残留する炭素源としての高純度有機化合物を均質に混合して得られた混合物を、非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素粉体生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を、１７００℃以上２０００℃未満の温度に保持し、上述の保持温度で保持中に、２１００℃〜２５００℃の温度において熱処理を行う熱処理工程とを含み、上述の炭化ケイ素粉体生成工程及び上述の熱処理工程を行うことにより、平均粒径が１００μｍ〜３００μｍ、各不純物元素の含有量が０．１ｐｐｍ以下の炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
炭化チタンの製造方法を提供する。
【解決方法】
少なくともチタン化合物と炭素化合物および／又は元素状炭素を含有する顔料配合物を使用して炭化チタンを製造する方法であって、顔料配合物がレーザー照射によって反応してＴｉＣを生成する方法。 （もっと読む）

【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、６００℃以上、１２００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、チタン、亜鉛、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタルの中から選択された遷移元素の酸化物からなり、アモルファスカーボンによってコーティングされたナノ粒子の製造方法であって、以下の連続する工程を含む。すなわち、（ｉ）前駆体として、少なくとも１つの前記遷移金属のアルコキシドと、アルコールと、前記遷移金属に対して過剰な量の酢酸と、を含む液体混合物を準備し、前記液体混合物を、水で希釈し、水溶液を形成する工程であって、前記前駆体は、前記水溶液を凍結乾燥できるように、ゾルの形成を防ぐ、もしくは実質的に形成させないようなモル比でもって前記水溶液に含まれ、前記遷移金属元素、炭素元素、および酸素元素は、化学量論比でもって前記ナノ粒子に含まれる工程と、（ｉｉ）前記水溶液を、凍結乾燥する工程と、（ｉｉ）前記ナノ粒子を得るために、前記工程で得られた凍結乾燥物を、真空下もしくは、不活性雰囲気下において熱分解する工程を含む。本発明は、また、遷移金属炭化物を製造する方法のアプリケーションにも関連する。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）