Fターム[4H049VQ34]の内容
第4族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 第4族元素含有化合物上の結合又は基(目的化合物) (4,225) | N含有基(非環式) (536) | N原子が二重又は三重結合手を持たないもの (414)
Fターム[4H049VQ34]の下位に属するFターム
アミノ基(R3NR1R2;R1〜R3=HorC) (171)
アミン塩、アンモニウムイオン (40)
アミド(R1R2NC(=O)R3;R1、2=HorC:R3=H、CorM) (86)
アミノ基とC=O基とを持つ基(アミドを除く)(例;尿素、カルバミン酸骨格) (56)
M*−NR1R2結合(R1、R2=H又はC)(例;アミノシラン) (51)
Fターム[4H049VQ34]に分類される特許
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トリシリルアミンの製造方法
【課題】 より安価かつ容易に高純度なトリシリルアミンを得ることができるトリシリルアミンの製造方法を提供することを目的とする
【解決手段】 ペルヒドロポリシラザンを、無酸素または低酸素雰囲気下で加熱分解するトリシリルアミンの製造方法を提供する。
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ホモアリルアルコール又はホモアリルヒドラジドの製造方法
【課題】触媒量のインジウムを用いてケトン又はN-アシルヒドラゾンをアリル化するホモアリルアルコール又はホモアリルヒドラジドの製造方法を提供する。
【解決手段】式XXXIX
(式中、R3は水素原子又は脂肪族炭化水素基)で表される、ホウ素を含むアリル化剤によってケトン又はN-アシルヒドラゾンをアリル化するアリル化ケトンの製造方法であって、ケトン又はN-アシルヒドラゾンに対し1〜50mol%の1価又は0価のインジウムを触媒として用いる。例えば下式の反応が例示される。
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タンタル及びニオブ化合物及び化学蒸着(CVD)のための前記化合物の使用
【課題】従来の欠点を有しないか、又は少なくとも実質的に改善された窒化タンタル及び窒化ニオブ薄膜をCVD法で成膜するための新規な前駆物質を提供する。
【解決手段】下記一般式(II)で表される化合物。
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有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法
【課題】400℃のような低温条件での成膜でも高い成膜速度が得られ、安定した成膜が可能であり、かつ段差被覆性に優れるMOCVD法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のMOCVD法用原料は、次の式(1)で示される有機シリコン化合物を用いたことを特徴とする。
【化4】
但し、式中のR1はメチル基又はエチル基であり、R2は水素、メチル基又はエチル基であり、R3は水素又はメチル基であり、R4は炭素数1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基である。
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金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法
【課題】CVD法、ALD法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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原子層蒸着による銅フィルムの蒸着のための揮発性銅(I)錯体
本発明は、新規な1,3−ジイミン銅錯体と原子層蒸着法での基材上でのまたは多孔性固体中もしくは上での銅の蒸着のための1,3−ジイミン銅錯体の使用とに関する。 (もっと読む)
ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたGST薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子
【課題】ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたGST薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体、これを利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたGST薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子である。これにより、低温蒸着用のゲルマニウム前駆体は、窒素及びシリコンを含有しているところ、薄膜、より具体的には、窒素及びシリコンでドーピングされたGST薄膜形成時に低温蒸着が可能である。特に、低温蒸着時、水素プラズマを利用できる。低温蒸着用のゲルマニウム前駆体を利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたGST相変化膜は、減少したリセット電流を有するところ、これを備えたメモリ素子は、集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。
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拡張コドンを利用した糖タンパク質の作製方法
簡便に糖鎖を導入できる糖ペプチドの生成のための方法を提供すること。本発明では、糖鎖の導入のための基を保護したアミノ酸を、4塩基コドン法でタンパクに導入することにより、脱保護したのちにその部位に天然の糖鎖を導入することにより、上記課題を解決した。従って、本発明は、以下の工程:(a)糖鎖に結合し得る官能基を有するアミノ酸を含み、4塩基コドンを認識する改変tRNA改変tRNAを提供する工程;(b)該4塩基コドンまたはその相補体を含む核酸配列を含む改変核酸分子を提供する工程;(c)該改変核酸分子を転写してmRNAを生成する工程;および(d)該改変tRNAおよび翻訳に必要なセットのtRNAを含むタンパク質合成系に該mRNAを曝してタンパク質を生成する工程、を包含する、糖鎖に結合し得る官能基を有するアミノ酸を含むタンパク質を生産するための方法を提供する。 (もっと読む)
含フッ素化合物、撥水性組成物および薄膜
比較的低エネルギーの紫外線を用いて、容易に撥水性親水性パターンを有する薄膜を形成できる含フッ素化合物を提供する。
下式1で表される含フッ素化合物(式1中、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子または1価有機基、そのうちの少なくとも一つはフッ素原子を有する1価有機基。R5は水素原子または1価有機基。R6は1価有機基。Aはヘテロ原子。)を用いて薄膜を形成し、紫外線を照射することにより撥水性親水性パターンを有する薄膜を形成する。
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基材結合用の極性シラン及び結合された基材のクロマトグラフィーにおける使用
以下の構造の一つを有する多官能性のシリコン化合物:
【化1】
ここで、R1、R2及びR3の少なくとも一つは脱離基であり、該基は脱離の後に前記構造の一におけるSiが、Si−O−Si又はSi−O−Zr結合を形成することを可能とするものであり、
L1、L2及びL3は、長さが1から100の置換アルキル鎖又はアルキル鎖を含み、
m=1−100であり;
N−PG、N−PG1及びN−PG2は窒素含有極性基であり;
E、E1及びE2のそれぞれが、アルキル基、置換アルキル基、アリール基又は置換アリール基を含み、1−50の炭素原子を含み、かつ以下から成る群より選択される官能基を含まない;ヒドロキシル、カルボキシル、アミノ、チオ、ハロ及びスルホネート部分。同様に、該化合物はクロマトグラフィーのパッキングとして使用するための基材に結合する。
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