【課題】リング状の金属構造やメッシュ状の金属構造を容易に作成することを可能とする。
【解決手段】ビーズを２枚の基板で挟んで押しつぶした状態で、メッキ処理を施すことでビーズの側面に金属コートが施されリング状の金属構造が得られる。使用するビーズの形状を選ぶことで、円環状、三角環状などの形状の金属構造を得ることができる。ビーズをポリマー溶液に入れてガラス基板上に滴下することで、ビーズの凝集を防いで欠けのないリング状の金属構造を作成できる。また、同様の方法により基板に対してメッシュ状の金属コーティングを施すことができる。この場合、ビーズを水に混ぜて滴下することで、自己組織化によってビーズを整列させることができ、メッシュ状の金属コーティングが得られる。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素の高熱伝導性を損なうことなく、絶縁基板に必要とされる絶縁信頼性を高めた低熱抵抗の回路基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板の表面に金属からなる回路パターンがろう材により接合されるとともに、前記回路パターンの表面にニッケルめっき層が形成されて構成された窒化珪素回路基板であって、回路パターンが形成された窒化珪素基板の主たる二表面の面粗さが異なり、面粗さの小さい主たる面の表面粗さＲａが０．２μm以上１．０μｍ以下であり、面粗さの小さい主たる面の沿面距離が基板厚みよりも大きく、且つ前記窒化珪素基板の厚みが０．２〜１．０ｍｍである窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】基材との強固な密着性を有し、しかも、金属光沢等の仕上がり外観にも優れた金属含有膜を製造することができる金属インキを提供する。
【解決手段】金属インキは、金属粒子と溶媒と、前記の金属粒子１００重量部に対して０．５〜２０重量部のポリエーテルと、前記の金属粒子１００重量部に対して０．１〜２０重量部の密着性付与剤とを少なくとも含み、ポリエーテルと密着性付与剤との合量が金属粒子１００重量部に対し０．６〜２０．５重量部とする。ポリエーテルとしてはポリエチレンオキシドが好ましく、密着性付与剤としてはポリエステルが好ましい。前記の金属インキを基材に印刷又は塗装した後、２００℃以下の温度で加熱処理して、装飾膜、電極、配線パターン等の金属含有膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 （もっと読む）

本発明は、プリント回路板、ＩＣ基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての１μｍ以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解（浸漬）めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】非回路となる部分についてレーザー光を照射して除去できない部分とマスク材で被覆できない部分との双方が存在する場合にも、無電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体１の粗化面に触媒２を付与し、レーザー光３の照射による除去が容易な非回路となる部分１２ａ、１２ｂ、１２ｃについて、このレーザー光の照射によって触媒を除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材４で被覆する。レーザー光３の照射によって除去されておらず、かつマスク材４で被覆されていない回路となる部分１１、１１に無電解銅めっき５を積層した後、マスク材４を溶解除去し、さらにこのマスク材で覆われていた部分に残存する触媒２を除去する。 （もっと読む）

【課題】現像によるパターン形状の乱れを改善し得る、前駆体溶液を用いた金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属カルボン酸塩を含む有機金属化合物及び第１有機溶剤を含有する前駆体溶液を基板に塗布し、基板上に塗膜を形成する工程と、塗膜を形成した基板に対して所望のパターンに従って光照射を行い、塗膜にパターンに従った可溶部及び不溶部を形成する露光工程と、第２有機溶剤を用いて可溶部を溶解し、不溶部を残存させる現像工程と、現像の直後に、基板を第１有機溶剤及び第２有機溶剤よりも極性の高い第３有機溶剤に浸漬し、基板表層に残留している第２有機溶剤を洗い流して現像を即座に停止させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、高熱伝導で、かつ高
靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。
【解決手段】 開示される窒化珪素配線基板１は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基
板１１の表面に金属からなる配線回路パターン１３がろう材により接合されるとともに、
配線回路パターン１３の表面にめっき層が形成されて構成されている。この場合、窒化珪
素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、スルホン化されてもめっき性にはならない第１のポリマー樹脂部分と、スルホン化されてめっき性になる第２のポリマー樹脂部分とを含むプラスチック物品に対して選択的にめっきを施す方法に関する。前記方法は、前記プラスチック物品をスルホン化する工程と、スルホン化されたプラスチック物品がめっきを受容するようにスルホン化された前記プラスチック物品を活性化する工程と、スルホン化及び活性化された物品に無電解めっき浴中でめっきを施す工程とを含む。前記プラスチック物品は、第１のポリマー樹脂部分にはめっきが施されず第２のポリマー樹脂部分には無電解的にめっきが施されるように選択的にめっきされる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はＮｉＳＯ_４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さい回路基板である。 （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に１００μｍ以下の素地露出部の幅を有する高さ３μｍ以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、１００μｍ以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における半導体ウェハの反り量を低減し、搬送ミスやウェハ割れを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造法は、互いに対向する一方表面１ａおよび他方表面１ｂを有する基板１を準備する工程と、基板１の一方表面１ａおよび他方表面１ｂにめっき法により導電層であるＮｉめっき膜７およびＡｕめっき膜８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 生産性よく、パターンが施された金属箔を製造する方法により得られた金属箔を提供する。
【解決手段】 （イ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、（ロ）上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程を含むパターンが施された金属箔の製造方法。絶縁層は幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されており、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属凸部を有するポリマー材料の製造方法を提供する
【解決手段】ポリマー基板上に１個又は２個以上の金属凸部を有するポリマー材料の製造方法であって、下記工程（１）〜（５）：
（１）ポリマー基板上の紫外線硬化型組成物により形成されたアクリル樹脂層表面をプラズマ処理する工程、
（２）プラズマ処理を行った該アクリル樹脂層表面に、無電解めっき法により金属皮膜を形成する工程、
（３）リソグラフィ処理により、１個又は２個以上の開口部を金属皮膜上に有するめっき用レジスト皮膜を形成する工程、
（４）電解めっき処理により、めっき用レジスト皮膜の開口部の金属皮膜上に金属を析出させる工程、及び
（５）めっき用レジスト皮膜を除去する工程
を含むポリマー材料の製造方法 （もっと読む）

【課題】改質すべき固体材料いかんにかかわらず比較的小さいエネルギーの紫外線照射によっても、光化学反応により永続的な表面改質を行うことができる固体材料表面の改質方法を提供する。
【解決手段】固体材料（フッ素樹脂を除く）表面に、化学種を含有し、かつ液体の形態にある化合物の薄層を形成し、該薄層を介して該固体材料表面に紫外線を照射して該固体表面と該化合物を励起して該化学種を該固体材料表面に導入することによって該固体材料表面を光化学的に改質することを包含し、該固体材料表面に該薄層を形成するに先立ち、該固体材料表面を活性化エネルギーまたは酸化剤で処理して該固体材料表面の光化学的改質を促進させることを特徴とする固体材料表面の光化学的改質方法。 （もっと読む）