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Fターム[4K022CA17]の内容

化学的被覆 (24,530) | 前処理 (4,223) | 液体浸漬、塗布 (2,196) | 無機質成分 (1,492) | 金属、金属化合物 (1,076)

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本発明は、絶縁性基体上への金属付着のための粘度調整可能な感光性分散液に関し、該感光性分散液は、光照射下に酸化−還元特性を与える顔料、金属塩、該金属塩の封鎖剤、液状膜形成性高分子配合物、塩基性化合物、有機溶媒および水を組み合せて含む。本発明はまた前記分散液の使用に関する。 (もっと読む)


【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板611の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜612を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線613を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜614を得ることができる。また、エネルギ照射された基板611は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 (もっと読む)


均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのAl電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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【課題】 安価で取り扱いやすい湿式法で、非導電性物質表面を実質的に平滑のまま密着性良く触媒を担持することができ、しかも環境負荷の少ない無電解めっきの前処理方法を提供すること。
【解決手段】 無電解めっきにおける触媒核と化学結合をすることが可能な基を有する化合物(A)を、水素結合によって非導電性物質表面に吸着させることを特徴とする無電解めっきの前処理方法。 (もっと読む)


【課題】微細回路の具現の際、高信頼性を有し、絶縁材との接着効果に優れており、高速対応用低プロファイル資材として活用可能な光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。
【解決手段】pH2〜7のナノTiOゾル溶液を用意し、前記TiOゾル溶液を基板の表面にコートした後、紫外線を照射して活性化層を形成させ、少なくとも1種の金属塩、少なくとも1種の還元剤、及び少なくとも1種の有機酸を含む無電解金属溶液を用意し、前記基板の活性化層上に前記金属鍍金溶液を接触させて無電解金属鍍金層を形成させることを含んでなる光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 樹脂素材のめっきにおいて、樹脂とめっき金属層との密着強度を向上させるとともに、めっき処理に要するコスト削減を達成する。
【解決手段】 樹脂素材に対してめっき皮膜を樹脂めっき方法において、樹脂素材をオゾン溶液で処理する工程と、銀、コバルト、ニッケル、ルテニウム、セリウム、鉄、マンガン、ロジウム触媒から選択される金属触媒の1種以上を吸着させる工程とを含むことを特徴とする樹脂めっき方法。 (もっと読む)


中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、(1)貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を2種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、(2)200〜500℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして(3)固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 (もっと読む)


【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、1つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、1つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、1つ以上のフィラーを含む。 (もっと読む)


本発明は、複合表面の特定の領域を導電性膜で選択的にコーティングするための方法、マイクロ電子機器の配線を製造するための方法、集積回路を製造するための方法およびプロセスおよび、特に、金属配線の回路網の形成に関する。本発明はさらに、マイクロシステムおよびコネクタを製造するための方法およびプロセスに関する。 (もっと読む)


この発明は、アルミニウム表面を清浄化すること、腐食性のニトレート化合物を実質的に含まず、過酸素化合物を含む酸性エッチング溶液に前記アルミニウム表面を接触させること、前記アルミニウム表面を、6〜60g/lの亜鉛及び100〜500g/lのヒドロキシイオンを含むジンケート処理溶液に接触させることを含んでなる、その後のメッキのためにアルミニウム表面をジンケート処理する方法に関する。廃棄物処理を簡単にするため、酸性エッチング溶液は有害な無機フルオリド化合物を実質的に含まない。この発明は、図2、特にステップ6を参照することによって理解することができる。 (もっと読む)


【課題】シアン化物を含まない浸漬めっき溶液、およびアルミニウムまたはアルミニウム合金基板の表面にシアン化物を用いずに亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。
【解決手段】本発明は、pHが約3.5〜約6.5であり、亜鉛イオン、ニッケルおよび/またはコバルトイオン、フッ化物イオンを含む、非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液を提供する。1つの実施形態においては、本発明の浸漬めっき溶液は、1つ以上の窒素原子、1つ以上の硫黄原子、あるいは硫黄原子および窒素原子の両方を含む少なくとも1つの抑制剤とをさらに含む。本発明は、さらに、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板を、本発明の非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液に浸漬し、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板の表面に亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。任意で、亜鉛合金をコーティングされたアルミニウム基板またはアルミニウム合金基板は、無電解または電解金属めっき溶液を用いてめっきされる。 (もっと読む)


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