【課題】回路形成後、触媒除去液を作用させなくとも、回路間におけるめっき層の析出を抑制な回路形成用基材を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、無電解金属めっき層と、電解金属めっき層とがこの順で積層されており、基材表面における親水基の量を５〜３０ｎｍｏｌ／ｃｍ^２の範囲内とし、基材表面に付与されている金属パラジウムの量を１〜３ｎｍｏｌ／ｃｍ^２の範囲内とした回路形成用基材とする。 （もっと読む）

【課題】新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子を提供する。
【解決手段】光触媒化合物、金属触媒化合物及び光増感剤を含む溶液を基板にコーティングして光金属触媒層を形成した後、これを選択的に露光して結晶成長用核の潜在的パターンを得、該潜在的パターンを１種以上の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させて１層以上の金属パターンを得る、金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子。 （もっと読む）

【課題】線幅が細くて導電性の高い導電性パターンを、少ない工程数にて材料の無駄なく形成することができるＦＰＣ及びＲＦＩＤタグの製造方法と、この方法によって製造されたＦＰＣ及びＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】基材１の表面に金属酸化物薄膜２を形成する。金属酸化物薄膜２の上に無電解めっき触媒を含有するインクをインクジェットヘッドから噴霧して印刷パターン３を形成する。基材１をめっき浴中に浸漬すると、触媒粒子を核としてめっき金属が析出し、無電解めっき層４よりなる導電性パターン５が形成される。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきで必要とされるキャタリストを使用することなく直接、樹脂膜上に金属膜を安価に形成する方法の提供。
【解決手段】金属膜の製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を、基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、有機膜を、金属（M1）イオンを含有する水溶液で処理することによって、酸性基を金属（M1）塩にする金属塩生成工程と、金属（M1）イオンを含有する水溶液で処理した有機膜を、金属（M1）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（M2）イオンを含有する金属（M2）イオン水溶液で処理することによって、酸性基の金属（M1）塩を、金属（M2）塩とする金属固定工程と、金属（M2）イオンを還元して有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】過マンガン酸塩処理などによる樹脂の表面粗化処理および錫を含む触媒付着処理を必要とせず、均一かつ密着性に優れためっき皮膜を提供する。
【解決手段】被めっき材を、陰イオン性界面活性剤、有機溶媒およびアルカリ成分を含む前処理溶液で処理し、その後、陰イオン性界面活性剤および貴金属イオンを含む溶液により処理し、無電解めっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂等の不導体基体に無電解めっきを施す際に、不導体基体と無電解めっきとの間の高い密着性を得るための安価な無電解めっき用触媒剤を提供する。
【解決手段】 無電解めっき用触媒剤として、パラジウム、コバルト等の金属化合物と、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物と、ビニル基、エポキシ基、アミノ基等の単独或いは複数の基を備える水溶性シランカップリング剤と、塩酸、硫酸等の無機酸およびカルボン酸、アミノ酸等の有機酸の少なくとも一方と、の混合物からなる触媒剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金基板上にニッケル系の積層構造を形成する方法、該方法による表面処理マグネシウム合金物及び該方法に用いる清浄溶液と表面処理溶液を提供する。
【解決手段】 本発明は、マグネシウム合金基板（１）上にマグネシウムと所定の金属（３２）との固溶体を含む境界層と、ニッケル系の積層構造とを形成する方法に関する。前記方法により表面処理されたマグネシウム合金物、及び、前記方法に用いる清浄溶液と表面処理溶液も開示されている。 （もっと読む）

【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法、それにより得られる金属膜、及び金属膜形成用基板を提供することにある。
【解決手段】（ａ）基板に直接化学結合しており、メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、及び架橋性基前駆体を有するポリマーを形成するポリマー層形成工程と、（ｂ）該ポリマー層上にメッキ触媒又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｃ）該メッキ触媒又はその前駆体に対してメッキを行うメッキ工程と、（ｄ）ポリマー層に架橋を行う架橋工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】湿式処理主体のプロセスにより、連続処理化が容易で、生産性が高く、めっき析出安定性をより向上させることができ、更にポリイミド樹脂フィルムと金属との境界面の平滑性および密着性を、ポリイミド樹脂フィルムの種類によらないで、安定して確保できる。
【解決手段】ポリイミド樹脂材を前処理する前処理工程と、無電解めっき処理工程と、厚付け銅めっき処理工程とを含むポリイミド樹脂材の表面金属化方法であって、上記前処理工程が、カルボニル基を分子内に有する有機溶剤を用いてポリイミド樹脂材の表面を処理する工程と、表面酸化処理する工程と、アルカリ性水溶液で処理する工程とを含み、上記無電解めっき処理工程が無電解ニッケルめっき処理工程であり、上記厚付け銅めっき処理工程が、無電解めっきで得られるめっき層表面にアルカリ性無電解銅めっき処理およびアルカリ性電気銅めっき処理から選ばれる少なくとも１つのめっき処理工程である。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっきのための前処理時間が短縮できて、めっき層と樹脂製品表面との密着性が良好であり、めっき層と樹脂製品表面との密着性のバラツキを小さくすることができる樹脂製品の無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】
樹脂製品を大気下で紫外線を照射して処理を行った後、（１）半導体粉末を懸濁させた液に浸漬し、該液中で光を照射することにより、前記樹脂製品の表面に極性基を形成させ、該極性基が形成された表面に無電解めっきを行う、又は（２）水又は水溶液を介して紫外線を照射して処理を行い、その後に無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 過共晶型アルミニウム−シリコン合金又は該合金を含む複合材にはんだ付けを可能とするメッキ方法及びメッキ物を提供する。
【解決手段】 急冷凝固させた過共晶型アルミニウム−シリコン合金又は該合金を含む複合材の表面を、アルカリによりエッチング処理し、次いで、Ｎｉ−Ｐの無電解メッキ層を形成し、その上にＮｉ−Ｂの無電解メッキ層を形成することを特徴とする過共晶型アルミニウム−シリコン合金又は該合金を含む複合材のメッキ方法、及びそのメッキ物。 （もっと読む）

【課題】金などの基材に対して容易にアルミナ膜の形成が可能であり、また、アルミナ膜の膜厚を制御することが可能なアルミナ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】自己組織化法によって基材１の表面に対して末端にカルボキシ基を有する分子を配向させて自己組織化単分子膜２を形成する第１ステップと、自己組織化単分子膜２上にベーマイト粒子３を固定する第２ステップと、ベーマイト粒子３を固定した自己組織化単分子膜２が形成された基材１を加熱焼成してアルミナ膜４を形成させる第３ステップとを有す。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することができ、製造工程が短く、下地配線金属の表面状態の影響が小さいビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】所定の配線を終えパッシベーションのパターンエッチングが終了した基板上のレジストマスクを剥離する前に、金属化合物の被膜を形成し、（ａ）該レジストマスク及び金属化合物被膜を剥離除去した後に配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元するか、（ｂ）配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元した後に該レジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去してから、金属化合物の被膜を還元し、得られた金属膜を無電解めっきの活性化触媒膜および中間膜とし、該中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および／またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】保存性良好な無電解めっき用触媒濃縮液を提供すると共に、それを使用しためっき触媒付与方法を提供する。
【解決手段】２価のパラジウム化合物とアミン系錯化剤を含む無電解めっき用触媒濃縮液であって、ｐＨ１０以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製した後、ｐＨを４以上１０未満の範囲に調整して保存する無電解めっき用触媒濃縮液。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（ａ１）基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、（ａ２）ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ａ３）金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が１０〜１００ｋΩ／□の導電性層を形成する工程と、（ａ４）電気めっきにより、表面抵抗率が１×１０⁻¹Ω／□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス、プラスチックス等の各種の基板上に、簡単な処理工程によって優れた密着性を有する無電解めっき皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】下記（１）及び（２）の工程を含む無電解めっき用前処理方法：
（１）亜鉛イオン、硝酸イオン及びアミンボラン化合物を含み、亜鉛イオン濃度が０．０３〜０．０８モル／Ｌであって、硝酸イオンのモル濃度が亜鉛イオンのモル濃度の１〜３倍の範囲内にある水溶液からなる酸化亜鉛膜形成用組成物を被処理物に接触させて、酸化亜鉛膜を形成する工程、
（２）上記（１）工程によって酸化亜鉛膜を形成した被処理物を、触媒金属を含有するｐＨ３．５以上の水溶液からなる触媒付与液に接触させる工程、
並びに上記方法によって前処理を行った後、被処理物を無電解めっき液に接触させ、その
後、必要に応じて熱処理を行うことを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属層の形成の前に、非導電性基板表面のエッチング、特にポリアミドまたはABSプラスチック表面をエッチングするための方法及びエッチング溶液に関する。
【解決手段】本発明においては、被エッチング表面を、Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca及びZnからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含むハロゲン化物及び／または硝酸塩を有するエッチング溶液で処理する。本発明の利点はいかなるクロム酸塩も使用することがない点にある。 （もっと読む）