【課題】ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、内部にオミックパターン電極を備え、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフ動作すると共に高耐圧及び高電流で動作可能な、半導体素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】内部に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルを形成する窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０にオーミック接合されたドレイン電極５０と、ドレイン電極５０と離間され、窒化物半導体層３０にショットキー接合されるソース電極６０と、ドレイン電極５０とソース電極６０との間の窒化物半導体層３０上及びソース電極６０の少なくとも一部上にかけて形成された誘電層４０と、ドレイン電極５０と離間されるように誘電層４０上に配設され、一部が誘電層４０を挟んでソース電極６０のドレイン方向のエッジ部分上部に形成されたゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成し、ドレイン電極と該ソース電極との間にフローティングガードリングを設けることによって、ノーマリ−オフで動作する半導体素子を提供する。
【解決手段】内部に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルを形成する窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０にオーミック接合されたドレイン電極５０と、ショットキー接合されたソース電極６０と、ドレイン電極５０とソース電極６０との間で窒化物半導体層３０にショットキー接合されたフローティングガードリング７５と、ドレイン電極５０とソース電極６０との間及びソース電極６０の少なくとも一部上にかけて形成された誘電層４０と、誘電層４０上に形成され、一部が、誘電層４０を挟んでソース電極６０のドレイン方向のエッジ部分上に形成されたゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ製のＪＢＳダイオードにおいて、サージ耐量を低下させることなく、通電劣化現象を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】アクティブ領域のｎ⁻ドリフト層２内の表面側に、アノード電極４とオーミック接触する複数の第１ｐ領域６と、第１ｐ領域６とは分離され、アノード電極４とショットキー接触する複数の第２領域７とを形成し、アクティブ領域を（１１−２０）面に射影したときに、複数の第１ｐ領域６を＜１−１００＞方向に正孔の拡散長の２倍よりも広い間隔を置いて配置し、＜１−１００＞方向に配置された第１ｐ領域６と第１ｐ領域６との間に第２ｐ領域７を配置する。 （もっと読む）

【課題】低シート抵抗化、リーク電流の低減、および、オーミック電極の接触抵抗の低減を実現する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ第１の窒化物系化合物半導体からなるチャネル層と、チャネル層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた第１電極と、チャネル層の上方に設けられた第２電極とを備え、バリア層は、チャネル層上に設けられ第１の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物系化合物半導体からなる障壁層と、第２の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが小さい第３の窒化物系化合物半導体からなり量子準位が形成された量子準位層とを有する半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置のオン抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、アンドープのＡｌＧａＮ層１０４と、該ＡｌＧａＮ層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ層１０４とオーミック接触するソース電極１０７及びドレイン電極１０８とを有している。ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 （もっと読む）

【課題】良好なオン特性を維持したまま、逆方向バイアスに対するリーク電流を低減した半導体デバイスを得る。
【解決手段】窒化物系化合物半導体からなるチャネル形成層と、チャネル形成層上に設けられ、第１の窒化物系化合物半導体からなる第１の半導体層、および、第２の窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体層を有する疑似混晶からなる疑似混晶層と、疑似混晶層上に設けられ、窒化物系化合物半導体からなり、チャネル形成層の多数キャリアと反対の導電型を有する導電半導体層と、導電半導体層に接する第１の電極と、チャネル形成層に電気的に接続された第２の電極と、を備える半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造時間とコストの大幅な削減が可能な下地導電層付き基板および貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に複数の貫通孔２を有するガラス基板３の貫通孔２内に下地導電層４を有する基板の製造方法であって、前記ガラス基板３の貫通孔２内に、金属粒子と分散媒とを含有する流動性の導電性組成物（金属インク）の層を形成する工程と、この導電性組成物の層を加熱して、貫通孔２の内壁面に金属粒子の金属を主体とする下地導電層４を形成する工程とを備える方法である。貫通電極基板５の製造方法は、こうして形成された下地導電層４上に電解めっき等により導電性金属の層を形成して、貫通孔２内に充填された貫通電極６を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜３上には、金属電極４、パッド電極５が形成される。金属電極４は、Ｐｄ層４ａ上にＡｕ層４ｂが積層された多層膜構造を有している。金属電極４は、半透明電極として機能する。金属電極４上にはパッド電極５が形成されている。基板１の裏面には金属電極４に対向するように、裏面電極６が形成される。ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を低減しつつ、イオン注入したｐ⁺層の消失を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）炭化珪素半導体基体表面にマスクとしての酸化膜マスク層２１、酸化膜マスク層２２を形成し、室温でイオン注入する工程と、（ｂ）イオン注入を行った炭化珪素半導体基体表面を活性化アニールする工程と、（ｃ）活性化アニール後の炭化珪素半導体基体表面を、ドライエッチングする工程と、（ｄ）ドライエッチング後の炭化珪素半導体基体表面を犠牲酸化し、犠牲酸化膜５を形成する工程と、（ｅ）犠牲酸化膜５を濃度１０％以下の希フッ酸で５分以内のエッチングにより除去する工程と、（ｆ）炭化珪素半導体基体裏面にオーミック電極６を、炭化珪素半導体基体表面の所定領域にショットキー電極７をそれぞれ形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】支持基材、電極および反射層としての機能を兼ね備え、かつ、フレキシブル、軽量、薄型の有機太陽電池等の電子デバイスに有用な電極箔を提供する。
【解決手段】金属箔と、金属箔上に直接設けられるグラフェン層とを備える電極箔が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の電流拡散効率を向上させるとともに、コンタクト抵抗をも低減でき、大きな駆動電流密度においても発光均一性と高い光出力を得ながら、動作電圧を低減させる得る窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の同一面側にｎ側およびｐ側電極パッドが形成された窒化物半導体発光素子であって、ｐ側電極パッド（およびｎ側電極パッド）から枝状に延伸された延長部を形成し、それによって発光素子中の電流分布を改善する電極構造の窒化物半導体発光素子において、ｎ側およびｐ側のシート抵抗がいずれも充分に低い場合に、ｐ型窒化物半導体層上に形成された透光性導電膜からなる電流拡散層のシート抵抗を一定条件下において高くすることにより、ｐ型窒化物半導体層と電流拡散層とのコンタクト抵抗を低減し、且つ、シート抵抗の面内分布がより均一になり、光出力も向上する。 （もっと読む）

【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法、ならびにプログラムを提供する。
【解決手段】本発明は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が少なくとも設けられた薄膜トランジスタの製造方法である。ソース電極およびドレイン電極を形成する工程において、基板の歪み、または基板の伸縮率に基づいて、露光データを、スケーリング処理を用いて薄膜トランジスタのチャネル長を固定した状態で補正して第１の補正データを作成する。この第１の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に薄膜トランジスタを製造する製造装置であり、基板に関する基板情報を取得する取得部と、取得部で得られた基板に関する基板情報に基づいて、基板の伸縮強度が高い方向を特定し、伸縮強度が高い方向と薄膜トランジスタのチャネル領域を挟んでソース電極およびドレイン電極が配置される配置方向とが直交するように薄膜トランジスタを形成する向きを設定する設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】インク材料等として、発光輝度の向上を可能にする材料を提供すること。
【解決手段】分子量２００以上の共役化合物がアスペクト比１．５以上の金属ナノ構造体に吸着されてなる金属複合体及びイオン性化合物を含む金属複合体組成物（ここで、イオン性化合物が共役化合物の場合、イオン性化合物である共役化合物の分子量は２００未満である。）；金属複合体組成物と、分子量２００以上の共役化合物とを含有する混合物等。イオン性化合物は、下記式（ｈｈ−１）で表される構造を有する化合物であってもよい。
【化１】


（式中、Ｍ^ｍ’＋は、金属カチオンを表す。Ｘ’^ｎ’−はアニオンを表す。ａ及びｂはそれぞれ独立に、１以上の整数を表す。Ｍ^ｍ’＋及びＸ’^ｎ’−の各々は複数存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第１の導体パターンを形成し、第１の導体パターンより微細な第２の導体パターンを形成し、前記第２の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第２の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 （もっと読む）