【課題】面発光型蛍光発光装置において、十分な電子放出効率が得られる陰極の製造方法および構造を提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンからなる電極層１の上に、Ｒｕ又はＹを構成材料とし電子放出層よりも小さい抵抗率を有する導電性の第２の層２を、スパッタにより１ｎｍから２００ｎｍの厚さに成膜し、第２の層２の上に電子放出層として、仕事関数が第２の層２の金属よりも小さく、且つ３．６ｅＶ以下の希土類材料からなる層をリアクティブスパッタにより１原子層から１０ｎｍの間の膜厚に積層形成する。 （もっと読む）

【課題】 使用に耐える大型化が可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１は、電極基板２、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を含んで構成される。電極基板２は、導電性を有する構造体であり、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を支持する。電気絶縁層５は、電極基板２上に形成され、複数の開口部６を有する。微粒子層３は、開口部６によって形成される開口６Ａに、電極基板２と薄膜電極４との間に充填される。微粒子層３は、絶縁性微粒子および導電性微粒子を含んで構成される第１微粒子層３１と、絶縁性微粒子を含んで構成される第２微粒子層３２とによって構成される。薄膜電極４は、微粒子層３および電気絶縁層５の表面形状に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】面発光型蛍光発光装置では、十分な電子放出効率が得られない状況にあった。
【解決手段】金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。電子放出層と電極との間に、電子放出層よりも抵抗率の小さい薄膜を介在させることにより、電子放出効率を更に改善できる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子放出可能で、さらに長寿命の電子放出が得られる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の電子放出材料、無機粉末および有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、無機粉末として鉛を含有しないハンダ粉末を含む電子放出源用ペースト。無機粉末として、さらに導電性金属酸化物やガラス粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や耐酸化性に優れた電子放出源用ペーストおよびそれを用いた均一で長寿命な電子放出源と電子放出素子および製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出源用のペーストにおいて、酸化ホウ素を含む成分で被覆された針状炭素と無機粉末を含む事を主たる特徴とする。更に、前記針状炭素のラマンスペクトルのＧバンドとＤバンドの強度比が３以上である事、前記被覆成分が更に酸化ケイ素を含むこと、また、前記無機粉末がガラスや導電性粒子を含む事なども付加的な特徴とすることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが焼成中に焼失せず好適に固定され、発光性に優れた電子放出源用被膜を形成可能な被膜形成用組成物及び電子放出源の形成方法を提供する。
【解決手段】電子放出源形成用組成物は、カーボンナノチューブと、ガラスフリットと、有機バインダー樹脂と、有機溶剤とを含有し、ガラスフリットの軟化点は５００℃以下である。基板に塗布される電子放出源形成用組成物から有機溶剤を除去して得られる塗膜を、４００〜４５０℃の温度で焼成して有機バインダー樹脂を除去し、カーボンナノチューブとガラスとを含有する被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、冷陰極の表面処理方法に関する。
【解決手段】本発明の冷陰極の表面処理方法は、複数の一次元のフィールド・エミッターを含む冷陰極を形成させる第一ステップと、液体の接着剤を前記冷陰極の表面に塗布する第二ステップと、前記冷陰極の表面に塗布された液体の接着剤を固化させる第三ステップと、前記固化された接着剤を、前記冷陰極の表面から除去して、前記複数の一次元のフィールド・エミッターを前記冷陰極の表面に直立させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 低仕事関数材料が被覆された、良好な電子放出特性を備える電子放出素子を、素子間の電子放出特性のバラツキを抑制し、再現性よく、簡易に製造する製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体に低仕事関数材料を被覆する前に、構造体表面に金属酸化物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、リーク電流の発生を抑えた信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面と該上面と角部を介して接続する側面とを備える絶縁層の上に、前記側面から前記上面にかけて延在し、前記角部の少なくとも一部を覆う、導電性膜を形成し、前記導電性膜に形成された膜密度の差を利用してエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の少なくとも前記側面の上に第１導電性膜を設ける第１工程と、前記上面の上から前記側面の上に渡って、かつ前記第１導電性膜の上に、第２導電性膜を設ける第２工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分な先端の尖鋭度を有するＺｎＯナノロッドを、導電膜、更には導電性を有する基板上に形成することにより、高性能な冷陰極表示素子を、簡便かつ低価格で提供できる電子放出素子の製造方法及び電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０を所定温度に制御し、該基板上に酸化亜鉛を成長させ、先端が上方を向いたナノロッド５０を形成する電子放出素子６０の製造方法であって、
融点が前記所定温度以上である前記基板を用意する工程と、
前記基板上に、融点が前記所定温度以上である導電性膜２０を形成する工程と、
該導電性膜上に、前記酸化亜鉛を前記所定温度よりも低い所定低温度で成長させ、第１の直径ｄ１を有する第１のロッド３０を形成する工程と、
前記所定温度で前記酸化亜鉛を成長させ、前記第１のロッド上に、前記第１の直径よりも細い第２の直径ｄ２を有する第２のロッド４０を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等に用いられる、安定した電子放出特性が再現性良く得られる電子放出材料を提供する。
【解決手段】異方性の粒子形状をもつ酸化チタン等の金属酸化物を用いた電子放出材料であって、異方性金属酸化物の長軸径の頻度分布が、複数の極大値を持つものを用いる。具体的には、異方性金属酸化物の平均長軸径が異なる少なくとも二種の異方性金属酸化物を混合して用いる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体粒子を用いた電子放出素子を低温プロセスでかつ大面積に形成する。
【解決手段】単結晶サファイア粒子とこの単結晶粒子にヘテロエピタキシャル成長を通じて形成された角錐形状を有した窒化物系化合物半導体粒子を形成する工程と前記角錐形状の粒子を電極が形成された基板上に配置する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】取付易く、耐用寿命が長い電子ビーム源を提案する。
【解決手段】ビーム電子源は、ベースと、ベースに固定され、ベースから離れて延在するチップし、第１材料からなる表面および第２材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、第２材料がチップの表面を提供するチップと、被覆層に電気的に接続された第１電気端子と、チップに向かい合う間隙を有する抽出電極と、抽出電極に電気的に接続された第２電気端子とを備える。第１材料の電気伝導率が、１０^５Ｓ／ｍ、１０^３Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍまたは１０^−７Ｓ／ｍよりも低いか、第２材料の電気伝導率が、１０^−７Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^２Ｓ／ｍ、１０^４Ｓ／ｍまたは１０^６Ｓ／ｍよりも高いか、第２材料と第１材料の電気伝導率との比率が、１０：１、１００：１、１０^４、１０^６または１０^８よりも大きいかの少なくとも１つの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】後処理工程を必要としない、電子放出能に優れる電子放出源、その製造方法、およびこれを用いた電界放出素子、並びに当該電子放出源を形成するための組成物を提供する。
【解決手段】有機残留物と、少なくとも一部の領域に形成された亀裂部と、前記亀裂部内に露出しているナノサイズの針状物質と、を含む電子放出源が開示される。前記針状物質は、前記亀裂部の内壁間に露出していることが好ましい。また、当該電子放出源を有する電界放出素子、および電子放出源形成用組成物もまた、開示される。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
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